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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFQ20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.71 EUR
10+9.2 EUR
120+7.81 EUR
510+6.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.52 EUR
13+6.56 EUR
30+5.58 EUR
60+4.99 EUR
120+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ21N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ22N60P3IXYSMOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ22N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ22N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.98 EUR
30+13.79 EUR
60+12.7 EUR
120+11.77 EUR
510+10.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ23N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO268
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Supplier Device Package: TO-268AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ23N60QIXYSMOSFETs 23 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ24N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ24N50P2IXYSMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ26N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.33 EUR
10+12.52 EUR
120+9.7 EUR
510+9.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+9.41 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ26N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ26N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ28N60P3IXYSMOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ28N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.92 EUR
30+9.91 EUR
120+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ30N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ34N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ34N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 695W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 34A
Power dissipation: 695W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ34N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.45 EUR
30+10.26 EUR
120+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4335 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N50P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3IXYSMOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.04 EUR
10+17.15 EUR
30+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Case: TO3P
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 94nC
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.16 EUR
10+12.54 EUR
30+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.98 EUR
30+14.43 EUR
60+13.29 EUR
120+12.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ50N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 1713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.64 EUR
10+15.11 EUR
100+12.59 EUR
500+11.11 EUR
1000+10 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N25X3IXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N50P3IXYSMOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.03 EUR
30+14.47 EUR
120+12.38 EUR
510+11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFQ60N50P3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFQ60N50P3. - MOSFET, N-CH, 500V, 60A, TO-3P
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IXFQ60N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFQ60N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFQ60N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFQ72N20X3IXYSMOSFETs TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFQ72N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.11 EUR
10+18.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXFQ72N30X3MOSFET N-CH 300V 72A TO3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFQ72N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.12 EUR
10+18.96 EUR
100+15.79 EUR
500+13.93 EUR
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IXFQ72N30X3IXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-3P (3)
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
10+16.8 EUR
120+14.16 EUR
510+13.76 EUR
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IXFQ80N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFQ8N85XIXYSMOSFETs TO3P 850V 8A N-CH XCLASS
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.49 EUR
10+10.94 EUR
120+7.98 EUR
510+7.39 EUR
1020+7.03 EUR
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IXFQ8N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFQ90N20X3IXYSMOSFETs TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFQ90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFQ90N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 85ns
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.38 EUR
8+12.03 EUR
10+10.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXFQ94N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFQ94N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 94 A, 0.036 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 94
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.04
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.04
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFQ94N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.32 EUR
10+16.53 EUR
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IXFQ94N30P3Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFQ94N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 94A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.86 EUR
30+17.65 EUR
120+15.2 EUR
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IXFR100N25IXYSMOSFETs 87 Amps 250V 0.027 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFR100N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFR102N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+23.78 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFR102N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™
Power dissipation: 250W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXFR102N30PIXYSMOSFETs 54 Amps 300V 0.033 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFR10N100QIXYSMOSFETs MOSFET w/FAST Intrinsic Diode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFR10N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR120N20IXYSMOSFETs 200V 105A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR120N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFR12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFR12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR12N100QIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR12N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR12N120PIXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR13N50IXYSMOSFETs 13 Amps 500V 0.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 4066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.59 EUR
30+28.2 EUR
60+26.25 EUR
120+24.61 EUR
510+22.66 EUR
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IXFR140N20PIXYSMOSFETs 75 Amps 200V 0.018 Rds
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.39 EUR
10+26.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.022 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 90A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N30PIXYSMOSFETs 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.73 EUR
10+41.72 EUR
120+37.09 EUR
510+35.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.88 EUR
6+44.04 EUR
10+35.1 EUR
50+29.58 EUR
100+29.24 EUR
250+28.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 28mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain current: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: ISOPLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 300W
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFR140N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 ISO
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFR140N60X3LittelfuseMOSFETs ISOPLUS 600V 140A N-CH X3CLASS
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IXFR14N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 9.5A ISOPLS247
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR14N100Q2IXYSMOSFETs 14 Amps 1000V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100PIXYSMOSFETs 15 Amps 1000V 1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH ISOPLUS247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 400W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+27.11 EUR
10+23.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.06 EUR
10+32.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR15N80QIXYSMOSFETs 13 Amps 800V 0.6 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR16N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR16N120PIXYSMOSFETs 16 Amps 1200V 1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFR16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH ISOPLUS247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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