Produkte > BUK

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50 54  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK7Y7R8-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y7R8-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y8R7-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 5270 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5270µohm
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
69+3.39 EUR
100+2.3 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
13+1.71 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 60V 87A
auf Bestellung 7588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.96 EUR
1500+0.9 EUR
9000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 347A
Power dissipation: 147W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.17 EUR
34+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y8R7-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 87A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80ENexperiaNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80E,115NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK7Y98 - N-CHANNEL 80
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80E,115NXP USA Inc.Description: BUK7Y98-80E - N-CHANNEL 80V, 98
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80E,115Nexperia USA Inc.Description: BUK7Y98-80E - N-CHANNEL 80V, 98
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 12.3A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A LFPAK56
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 8.7A; Idm: 49A; 37W
On-state resistance: 246mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 37W
Gate charge: 8.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80EXNexperiaMOSFETs N-channel 80 V, 9.9 mohm standard level MOSFET in LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 12.3A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y98-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 12.3A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y9R9-80E/CXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y9R9-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y9R9-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63A; Idm: 354A; 195W
On-state resistance: 24.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 354A
Power dissipation: 195W
Gate charge: 51.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y9R9-80EXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 80V 89A
auf Bestellung 19303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.32 EUR
10+2.76 EUR
100+1.86 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.29 EUR
1500+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y9R9-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 89A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y9R9-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4266 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK7Y9R9-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7Y9R9-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 7300 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 1027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.04 EUR
55+4.22 EUR
100+2.57 EUR
500+2.07 EUR
1000+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK854800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK856-800A
Produktcode: 88798
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK856400IZ
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK856800
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK856800A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK866-400IZPHILIPS05+
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK866-400IZ
Produktcode: 128191
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK866400IZ
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK900655A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9107-40ATC /T3NXP SemiconductorsMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9107-40ATC,118NexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9107-40ATC,118NXP USA Inc.Description: BUK9107-40ATC - D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-426
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9107-55ATE
auf Bestellung 3762 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9107-55ATE /T3NXP SemiconductorsMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9107-55ATE,118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9107-55ATE -
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-426
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9107-55ATE,118NexperiaMOSFET TRENCHPLUS MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK910740ATC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK910755ATE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9120PHI00+
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK912048TC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9207-30BPHILIPSTO252
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9207-30B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9207-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9207-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK920730B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9209-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9209-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9209-40B,118NexperiaMOSFET BUK9209-40B/SOT428/DPAK
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 136-140 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+3.27 EUR
100+2.56 EUR
500+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9209-40B118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 75A, 40V, 0.01OHM,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK920940B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9212-55BNexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9212-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 167
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9212-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9212-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 167
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0081
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 185
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9212-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3519 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9212-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 83A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9212-55B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK921255B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9213-30A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2852 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9213-60EJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK921330A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9214-30A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2317 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9214-30A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
auf Bestellung 9517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
123+1.75 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.14 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9214-30A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 30V 63A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9214-30A,118NexperiaMOSFETs BUK9214-30A/SOT428/DPAK
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.28 EUR
100+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9214-30A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9214-30A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
auf Bestellung 9517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
91+2.55 EUR
123+1.75 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.14 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9214-30A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2317 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9214-80EJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK921430A
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK921475B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9215-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
auf Bestellung 9731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9215-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2916 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK92150-55ANexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK92150-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK92150-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK92150-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK92150-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK92150-55A.118
Produktcode: 165282
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK92150-55A/CDJNexperia USA Inc.Description: TRANS DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK92150-55A118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK92150-55A - POWE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9215055A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK921555A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9216-100EJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.32 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 8736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.34 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4029 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9217-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 64 A, 0.0134 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 185°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0134ohm
auf Bestellung 3439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.04 EUR
37+6.38 EUR
100+3.37 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
538+1.23 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 538 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9217-75B,118NexperiaMOSFET BUK9217-75B/SOT428/DPAK
auf Bestellung 4484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+3.22 EUR
100+2.51 EUR
500+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK921775B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50 54  [ Nächste Seite >> ]