Produkte > NTM

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 20085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
131+1.78 EUR
171+1.26 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5838NLR2G
Produktcode: 204296
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5838NLR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: NSOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 20085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
131+1.78 EUR
171+1.26 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5838NLR2GDiodesTrans MOSFET N-CH 40V 7.4A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5838NLR2GonsemiMOSFETs NFETDPAK40V100A3.7M OHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5838NLR2GON Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 7,4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 785 @ 20, Qg, нКл = 17 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 7 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6601NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
auf Bestellung 60595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 566 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02ON07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02D2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2ON SemiconductorMOSFET 20V 6A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2MOTSOP-8
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 21500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 730mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.92A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 730mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2GonsemiMOSFETs NFET 20V 0.035R TR
auf Bestellung 7421 Stücke:
Lieferzeit 143-147 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.43 EUR
100+0.99 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N02R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03onsemionsemi NFET SO8 30V 6A 32MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03MOT95+ SOP
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N0382
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2onsemiMOSFETs 30V 6A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 52300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1441+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2ON04+
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 53550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1401+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1401 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
798+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 798 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
756+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 756 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GonsemiMOSFET NFET 30V SPCL TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
756+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 756 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2G
Produktcode: 94669
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GON Semiconductor
auf Bestellung 52570 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
756+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 756 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N03R2GOSonsemiMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Arrays - MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N04R2G
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N04R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.29W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N04R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD6N04R2G - NTMD6N04R2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6N04R2GonsemiMOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02onsemionsemi PFET SO8 20V 6A 33MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02ON07+ SO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02DR2G
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2
auf Bestellung 4792 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2onsemiDescription: MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2onsemiMOSFET 20V 6A P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 750mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2GonsemiMOSFETs 20V 6A P-Channel
auf Bestellung 6146 Stücke:
Lieferzeit 108-112 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.05 EUR
100+1.46 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2GON-SemiconductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 750mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
100+1.34 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
704+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 704 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD6P02R2SGonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMED2P01R2G
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMF1N05MOT09+ SO-8
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMF4708NT1G
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMF4N02MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFC013NP10M5LonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8FL, 100 V, 13.4 mohm, 60 A, -100 V, 32 mohm, -36 A MOSFET - Power, Dual N- & P-Channel, SO8FL, 100 V, 13.4 mohm, 60 A, -100 V, 32 mohm, -36 A
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+4.46 EUR
100+3.12 EUR
500+2.53 EUR
1000+2.37 EUR
3000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFC013NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6)
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.15 EUR
100+2.89 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFC013NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 60A (Tc), 5A (Ta), 36A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345pF @ 50V, 2443pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 8.5A, 10V, 36mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 158µA, 4V @ 158µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD001N03P9onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
10+3.34 EUR
100+2.31 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD001N03P9ONN
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD001N03P9onsemiMOSFETs FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD001N03P9onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 43nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1mOhm @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224pF @ 15V, 6575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 57A (Tc), 25A (Ta), 165A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 960mW (Ta), 25W (Tc), 1.04W (Ta), 41W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD016N06ConsemiON Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD016N06CT1GONN
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD016N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD016N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.06 EUR
3000+0.98 EUR
4500+0.94 EUR
7500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD020N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.48 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD020N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 17564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.25 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 11920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD024N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD024N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.7 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 11845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
12+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD030N06CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
137+1.23 EUR
140+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD030N06CT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.86 EUR
3000+0.79 EUR
4500+0.76 EUR
7500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD030N06CT1GonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.87 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.92 EUR
1500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD0D9N02P1EonsemiDescription: IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V
Power - Max: 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 5485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
10+4.7 EUR
100+3.3 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD1D1N02XonsemiMOSFET Dual Power MOSFETs, N-Channel, 25V, 3.0mohm/75A, 0.87mohm/178A, Asymmetric, Power Clip Dual 5x6 25V, N-Channel, Power MOSFETs, Power Clip Dual 5x6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD1D1N02XonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 14A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 27W (Tc), 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc), 27A (Ta), 178A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 12V, 4265pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, 0.87mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 59nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 240µA, 2.1V @ 850µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.87 EUR
10+3.82 EUR
100+2.65 EUR
500+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD1D4N02P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 13A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 960mW (Ta), 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 1724994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
10+2.42 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD1D6N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
auf Bestellung 1722000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.31 EUR
6000+1.26 EUR
9000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD1D6N03P8onsemiMOSFETs PT8 N-CH DUAL 30V
auf Bestellung 2870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
3000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
6000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD2D4N03P8onsemiMOSFETs PT8 N-CH DUAL 30V
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.07 EUR
3000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD2D4N03P8onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 17A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 23W (Tc), 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 25A (Ta), 84A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 3825pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 2.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 55nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.5 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD4901NFonsemionsemi NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 32  [ Nächste Seite >> ]