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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
UF3C065040T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+58.63 EUR
6+45.67 EUR
10+33.93 EUR
50+32.19 EUR
100+30.37 EUR
250+29.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.3 EUR
50+19.04 EUR
100+17.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.8 EUR
25+27.89 EUR
100+24.59 EUR
250+21.38 EUR
500+18.18 EUR
1000+17.23 EUR
5000+17.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3QorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.91 EUR
25+12.09 EUR
100+10.42 EUR
250+9.62 EUR
800+9.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.42 EUR
12+19.96 EUR
15+15.04 EUR
50+13.39 EUR
100+11.72 EUR
250+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.27 EUR
10+13.8 EUR
100+11.41 EUR
500+9.97 EUR
800+9.17 EUR
2400+9.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3onsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.65 EUR
10+14.28 EUR
100+11.13 EUR
500+10.94 EUR
800+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.92 EUR
10+14.49 EUR
100+12.09 EUR
800+9.59 EUR
2400+8.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.42 EUR
12+19.96 EUR
15+15.04 EUR
50+13.39 EUR
100+11.72 EUR
250+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.35 EUR
25+10.73 EUR
100+9.26 EUR
250+8.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
auf Bestellung 4355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.4 EUR
10+18.43 EUR
100+15.27 EUR
500+13.3 EUR
800+12.46 EUR
2400+12.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.37 EUR
14+17.64 EUR
16+13.39 EUR
50+12.45 EUR
100+11.51 EUR
250+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.45 EUR
25+14.3 EUR
100+12.35 EUR
250+11.35 EUR
500+11.33 EUR
800+11.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.48 EUR
10+16.36 EUR
100+13.15 EUR
500+12.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 27A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 15461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.05 EUR
10+15.35 EUR
100+13.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.93 EUR
25+12.98 EUR
100+11.21 EUR
250+10.01 EUR
600+10 EUR
3000+9.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 12121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.06 EUR
30+8.83 EUR
120+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.44 EUR
10+13.03 EUR
120+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.29 EUR
13+18.03 EUR
18+12.47 EUR
50+12.1 EUR
100+11.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 12976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.61 EUR
30+11.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.43 EUR
25+13.4 EUR
100+11.58 EUR
250+10.34 EUR
600+10.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.89 EUR
13+18.49 EUR
17+12.79 EUR
50+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.04 EUR
10+13.39 EUR
120+11.39 EUR
510+10.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
10+11.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.01 EUR
14+17.66 EUR
18+12.02 EUR
50+11.54 EUR
100+11.08 EUR
250+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.23 EUR
10+15.58 EUR
50+15.57 EUR
100+12.9 EUR
500+11.22 EUR
1000+10.53 EUR
2500+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.18 EUR
25+12.34 EUR
100+10.64 EUR
250+9.81 EUR
500+9.12 EUR
1000+8.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 7088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.52 EUR
50+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SUnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.99 EUR
10+13.57 EUR
50+13.55 EUR
100+11.22 EUR
500+9.76 EUR
1000+9.17 EUR
2500+9.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.22 EUR
30+30.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.93 EUR
10+36.57 EUR
100+34.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.71 EUR
6+43.33 EUR
10+35.15 EUR
50+34.44 EUR
100+33.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.16 EUR
10+34.37 EUR
120+31.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.4 EUR
10+44.04 EUR
50+40.65 EUR
100+37.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 9443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.03 EUR
30+31.71 EUR
120+30.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
auf Bestellung 3019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.77 EUR
10+22.61 EUR
100+21.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.25 EUR
25+23.69 EUR
100+20.42 EUR
250+18.83 EUR
500+18.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+17.41 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.64 EUR
10+24.66 EUR
100+21.72 EUR
500+21.38 EUR
800+20.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.85 EUR
10+27.44 EUR
100+23.18 EUR
500+20.69 EUR
800+20.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.64 EUR
10+23.94 EUR
120+20.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 11404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.42 EUR
30+20.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.19 EUR
8+29.65 EUR
10+22.87 EUR
50+21.05 EUR
100+19.97 EUR
250+18.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.79 EUR
25+26.76 EUR
100+23.1 EUR
250+20.63 EUR
600+20.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.81 EUR
25+26.79 EUR
100+23.12 EUR
250+20.65 EUR
600+20.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.8 EUR
30+22.48 EUR
120+20.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.46 EUR
6+38.89 EUR
10+27.69 EUR
50+27.31 EUR
100+26.94 EUR
250+26.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.21 EUR
10+30.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.19 EUR
11+21.4 EUR
14+16.17 EUR
50+15.85 EUR
100+15.53 EUR
250+15.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SonsemiDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.84 EUR
10+16.54 EUR
50+13.41 EUR
100+12.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.12 EUR
10+15.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SonsemiDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+10.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.53 EUR
10+15.23 EUR
120+13.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.5 EUR
10+21.24 EUR
120+17.58 EUR
510+15.29 EUR
1020+13.86 EUR
2520+13.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.02 EUR
15+16.41 EUR
19+11.41 EUR
50+10.84 EUR
100+10.26 EUR
250+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.61 EUR
30+14.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.02 EUR
25+15.65 EUR
100+13.51 EUR
250+12.44 EUR
600+12.09 EUR
3000+12.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.67 EUR
10+11.39 EUR
100+8.4 EUR
500+7.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SQORVODescription: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.07 EUR
24+9.84 EUR
25+8.65 EUR
50+8.25 EUR
100+7.12 EUR
250+6.72 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SQorvoSiC MOSFETs UF3C120400B7S
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.5 EUR
25+9.12 EUR
100+7.88 EUR
250+7.25 EUR
500+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
auf Bestellung 4084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.58 EUR
10+10.64 EUR
100+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.65 EUR
10+11.82 EUR
120+10.01 EUR
510+9.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
auf Bestellung 11220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.68 EUR
30+11.08 EUR
120+9.41 EUR
510+8.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.77 EUR
10+16.95 EUR
100+14.05 EUR
600+12.21 EUR
1200+10.28 EUR
3000+9.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.97 EUR
19+12.41 EUR
20+10.95 EUR
50+10.44 EUR
100+9 EUR
250+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.26 EUR
25+11.54 EUR
100+9.95 EUR
250+8.88 EUR
600+8.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SonsemiSiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.04 EUR
10+13.22 EUR
100+11 EUR
500+10.6 EUR
800+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SUnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 39-43 Tag (e)
1+14.85 EUR
10+13.42 EUR
100+11.1 EUR
500+9.67 EUR
1000+9.07 EUR
2500+8.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SQORVODescription: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.49 EUR
19+11.35 EUR
50+10.82 EUR
100+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.42 EUR
10+14.1 EUR
100+10.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SQorvoSiC MOSFETs UF3C170400B7S
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.76 EUR
25+11.96 EUR
100+10.31 EUR
250+9.51 EUR
500+9.23 EUR
2400+9.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SQORVODescription: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.06 EUR
16+15.15 EUR
17+13.36 EUR
50+12.72 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 5182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.47 EUR
10+18.49 EUR
100+15.32 EUR
250+13.34 EUR
600+11.6 EUR
1200+11.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
auf Bestellung 66567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.35 EUR
30+13.3 EUR
60+12.22 EUR
120+11.32 EUR
510+9.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SQorvoSiC MOSFETs 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.18 EUR
25+14.08 EUR
100+12.15 EUR
250+10.83 EUR
600+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3S---SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SonsemiSiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.73 EUR
10+12.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Kind of fan: axial
Supply voltage: 3V DC
Current rating: 97mA
Static pressure: 1.07mm H2O
Fan efficiency: 0.36m3/h
Operating temperature: -10...70°C
Version: Might&Mini
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Enclosure material: thermoplastic
Kind of Bearing: Vapo
Leads: cables
Fan dimensions: 12x12x3mm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Power consumption: 0.3W
Impeller material: thermoplastic
Type of fan: DC
Noise level: 14dBA
Operating voltage: 2...3.5V DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500 TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP55
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.1 EUR
10+31.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500-TCSunon FansDescription: Thermal Products
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Power (Watts): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500BSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP58 - Dust Protected, Waterproof
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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UF3C3-500BSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
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UF3C3-500B TCSunonDC Fans Axial Fan, 12x12x3mm, 3VDC, 18.91"H2O, Vapo, 4x Wire, Tach/PWM, IP58
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UF3C3-500TCSunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 300 mW
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