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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
UF3C065040K4SQorvoSiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 3346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.76 EUR
25+20.64 EUR
100+17.81 EUR
250+15.93 EUR
600+15.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040K4SonsemiSiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 3300 Stücke:
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10+18.71 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO220-3
auf Bestellung 145 Stücke:
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1+27.65 EUR
10+17.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.56 EUR
25+23.44 EUR
100+20.66 EUR
250+17.97 EUR
500+15.28 EUR
1000+14.48 EUR
5000+14.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065040T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.14 EUR
50+16 EUR
100+14.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.83 EUR
10+11.6 EUR
100+9.59 EUR
500+8.38 EUR
800+7.71 EUR
2400+7.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.38 EUR
25+9.02 EUR
100+7.78 EUR
250+7.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3onsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.35 EUR
10+12 EUR
100+9.35 EUR
500+8.99 EUR
800+8.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-3L
auf Bestellung 1707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.22 EUR
10+12.18 EUR
100+10.16 EUR
800+8.06 EUR
2400+7.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3ONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B3QorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-3
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.69 EUR
25+10.16 EUR
100+8.76 EUR
250+8.08 EUR
800+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.82 EUR
25+12.02 EUR
100+10.38 EUR
250+9.54 EUR
500+9.52 EUR
800+9.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 15461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.53 EUR
10+12.9 EUR
100+11.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.73 EUR
10+13.75 EUR
100+11.05 EUR
500+10.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth
auf Bestellung 4355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.14 EUR
10+15.49 EUR
100+12.83 EUR
500+11.18 EUR
800+10.47 EUR
2400+10.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080B7SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 27A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.55 EUR
25+10.91 EUR
100+9.42 EUR
250+8.41 EUR
600+8.4 EUR
3000+8.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.11 EUR
10+10.23 EUR
120+9.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 12121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.29 EUR
30+7.42 EUR
120+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.97 EUR
25+11.26 EUR
100+9.73 EUR
250+8.69 EUR
600+8.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 12976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.44 EUR
30+9.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.57 EUR
10+11.25 EUR
120+9.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 80mΩ
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 190W
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of transistor: cascode
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.48 EUR
10+13.09 EUR
50+13.08 EUR
100+10.84 EUR
500+9.43 EUR
1000+8.85 EUR
2500+8.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 7088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.52 EUR
50+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SQorvoSiC MOSFETs 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.92 EUR
25+10.37 EUR
100+8.94 EUR
250+8.24 EUR
500+7.66 EUR
1000+7.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SUnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.6 EUR
10+11.4 EUR
50+11.39 EUR
100+9.43 EUR
500+8.2 EUR
1000+7.71 EUR
2500+7.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C065080T3SonsemiSiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.91 EUR
10+9.87 EUR
100+9.1 EUR
500+8.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.93 EUR
10+30.31 EUR
100+29.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.48 EUR
30+25.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 9443 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.2 EUR
30+26.65 EUR
120+25.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120040K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.67 EUR
10+29.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 713 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.11 EUR
10+20.72 EUR
100+18.25 EUR
500+17.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
auf Bestellung 3019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.7 EUR
10+19 EUR
100+17.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.08 EUR
10+23.06 EUR
100+19.48 EUR
500+17.39 EUR
800+17.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+14.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080B7SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.9 EUR
25+19.91 EUR
100+17.16 EUR
250+15.82 EUR
500+15.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 11404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.56 EUR
30+16.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.63 EUR
10+20.12 EUR
120+19.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.87 EUR
25+22.49 EUR
100+19.41 EUR
250+17.34 EUR
600+17.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.47 EUR
10+17.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.08 EUR
30+18.89 EUR
120+16.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120080K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.89 EUR
25+22.51 EUR
100+19.43 EUR
250+17.35 EUR
600+17.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.81 EUR
25+11.12 EUR
100+9.59 EUR
250+8.84 EUR
500+8.82 EUR
800+8.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SonsemiDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 136800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.59 EUR
10+12.9 EUR
100+10.23 EUR
500+9.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.02 EUR
10+14.48 EUR
100+11.99 EUR
500+10.89 EUR
800+9.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150B7SonsemiDescription: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
auf Bestellung 137995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.46 EUR
10+12.1 EUR
100+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.84 EUR
30+12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SonsemiSiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.61 EUR
10+12.8 EUR
120+11.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-4L, REDUCED Rth
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.75 EUR
10+17.85 EUR
120+14.77 EUR
510+12.85 EUR
1020+11.65 EUR
2520+11.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120150K4SQorvoSiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.14 EUR
25+13.15 EUR
100+11.35 EUR
250+10.45 EUR
600+10.16 EUR
3000+10.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SonsemiSiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.01 EUR
10+9.57 EUR
100+7.06 EUR
500+6.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SQORVODescription: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
auf Bestellung 4084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.09 EUR
10+8.94 EUR
100+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400B7SQorvoSiC MOSFETs UF3C120400B7S
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
25+7.66 EUR
100+6.62 EUR
250+6.09 EUR
500+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SUnited Silicon CarbideSwitching Fast SiC FETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SonsemiSiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.56 EUR
10+9.93 EUR
120+8.41 EUR
510+8.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.77 EUR
10+14.24 EUR
100+11.81 EUR
600+10.26 EUR
1200+8.64 EUR
3000+8.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SQORVODescription: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
auf Bestellung 11220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.7 EUR
30+9.31 EUR
120+7.91 EUR
510+7.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C120400K3SQorvoSiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.14 EUR
25+9.7 EUR
100+8.36 EUR
250+7.46 EUR
600+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.16 EUR
10+11.85 EUR
100+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SonsemiSiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16 EUR
10+11.11 EUR
100+9.24 EUR
500+8.91 EUR
800+8.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SUnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, ENHANCED Rth
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 39-43 Tag (e)
1+12.48 EUR
10+11.28 EUR
100+9.33 EUR
500+8.13 EUR
1000+7.62 EUR
2500+7.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SQORVODescription: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400B7SQorvoSiC MOSFETs UF3C170400B7S
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.56 EUR
25+10.05 EUR
100+8.66 EUR
250+7.99 EUR
500+7.76 EUR
2400+7.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SQORVODescription: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
auf Bestellung 5182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.2 EUR
10+15.54 EUR
100+12.87 EUR
250+11.21 EUR
600+9.75 EUR
1200+9.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SQorvoSiC MOSFETs 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.6 EUR
25+11.83 EUR
100+10.21 EUR
250+9.1 EUR
600+9.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
auf Bestellung 65109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.35 EUR
30+10.33 EUR
120+8.79 EUR
510+7.66 EUR
1020+7.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SUnited Silicon Carbide1700V 410Mw Sic FET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3SonsemiSiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
auf Bestellung 1091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
10+8.25 EUR
100+7.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C170400K3S---SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500Sunon FansDescription: FAN AXIAL 12X3MM VAPO 3VDC WIRE
Features: Auto Restart, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 3VDC
Size / Dimension: Square - 12mm L x 12mm H
Bearing Type: Vapo-Bearing™
RPM: 16500 RPM
Air Flow: 0.218 CFM (0.006m³/min)
Width: 3.00mm
Weight: 0.002 lb (0.91 g)
Operating Temperature: 14 ~ 158°F (-10 ~ 70°C)
Termination: 3 Wire Leads
Approval Agency: CE
Ingress Protection: IP55 - Dust Protected, Water Resistant
Fan Type: Tubeaxial
Noise: 28.3dB(A)
Static Pressure: 0.076 in H2O (18.9 Pa)
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500SUNONCategory: Miniature Fans
Description: Fan: DC; axial; 3VDC; 12x12x3mm; 0.36m3/h; 14dBA; Vapo; 1.07mmH2O
Enclosure material: thermoplastic
Kind of fan: axial
Kind of Bearing: Vapo
Leads: cables
Version: Might&Mini
Type of fan: DC
Impeller material: thermoplastic
Operating temperature: -10...70°C
Fan dimensions: 12x12x3mm
Current rating: 97mA
Power consumption: 0.3W
Fan efficiency: 0.36m3/h
Static pressure: 1.07mm H2O
Operating voltage: 2...3.5V DC
Supply voltage: 3V DC
Noise level: 14dBA
Rotational rate/speed: 16500 (±30%)rpm
Min. insulation resistance: 20MΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UF3C3-500SunonDC Fans DC Fan, 12x3mm, 3VDC, 5.95CFM, 0.3W, 28.3/20cm dBA, 16500RPM, 18.91inch H2O, Vapo Bearing, 3Wire/Tach, IP55, Mighty Mini Series
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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