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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMP2008UFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 41W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.96 EUR
329+0.7 EUR
415+0.51 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V P-CH MOSFET
auf Bestellung 13903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.74 EUR
100+0.55 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6909 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 8000 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008UFG-7DiodesMOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2008USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @12A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 38A (Tc)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
140+1.67 EUR
220+0.98 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 10Vgss -80A Idm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 42 A, 0.0095 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
140+1.67 EUR
220+0.98 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 8135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+0.96 EUR
100+0.67 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.46 EUR
228+1.02 EUR
332+0.64 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13DiodesMOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+2 EUR
209+1.11 EUR
298+0.71 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 10 V
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
21+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
200+1.17 EUR
308+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7DiodesMOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
200+1.17 EUR
308+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2010UFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 1458 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2012SN
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 103596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
35+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 700mA
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2012SN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178.5 pF @ 10 V
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
75000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2016UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2016UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2016UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2016UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.31 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2016UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
auf Bestellung 11974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
25+0.86 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2018LFK-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2523-6 T&R 10K
auf Bestellung 5730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2018LFK-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4748 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2523-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2018LFK-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
auf Bestellung 102626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.31 EUR
30000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 1077000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
auf Bestellung 1968000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
30000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
262+0.89 EUR
404+0.54 EUR
527+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
262+0.89 EUR
404+0.54 EUR
527+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.89 EUR
234+0.73 EUR
340+0.48 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1970808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
24+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.39 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.77 EUR
196+1.19 EUR
273+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; Idm: -60A; 0.47W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 0.47W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2021UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.02W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.77 EUR
196+1.19 EUR
273+0.79 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.58 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 3902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.5 EUR
10+1.3 EUR
100+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 18A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
auf Bestellung 12480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
16+1.32 EUR
100+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.7 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2021UTSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
148+1.58 EUR
236+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+0.58 EUR
348+0.5 EUR
351+0.49 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
25+1.25 EUR
50+1.09 EUR
100+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 2301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.34 EUR
76+1.13 EUR
86+1 EUR
124+0.69 EUR
145+0.58 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2444 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.37 EUR
148+1.58 EUR
236+0.9 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.63 EUR
298+0.57 EUR
300+0.55 EUR
348+0.45 EUR
351+0.43 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A
auf Bestellung 10108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.07 EUR
125+1.87 EUR
186+1.15 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.55 EUR
100+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.7 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2022LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2022LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 9.3 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 770mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
125+1.87 EUR
186+1.15 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2023UFDFDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2023UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.44 EUR
30000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2023UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 230000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2023UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1837 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
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DMP2023UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 7.6A 6-Pin UDFN EP T/R
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DMP2023UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2023UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.6 A, 0.027 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 730mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
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