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IPP034N08N5XKSA1

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IPP034N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

auf Bestellung 443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.1 EUR
50+	3.59 EUR
100+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP034N08N5XKSA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 615 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.47 EUR
10+	4.13 EUR
100+	3.42 EUR
500+	3.09 EUR
1000+	2.43 EUR
2500+	2.37 EUR
5000+	2.23 EUR

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IPP034NE7N3 G
Produktcode: 182613

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 100 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6110/88
Montage: THT

auf Bestellung: 41 St.

41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	4.86 EUR
10+	4.43 EUR

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IPP034NE7N3 G

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP034NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 635 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.43 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.92 EUR
500+	3.22 EUR
1000+	3.17 EUR

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IPP034NE7N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP034NE7N3G

Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPP034NE7N3GHKSA1

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 15650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	3.31 EUR
500+	3.08 EUR
1000+	2.86 EUR
10000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 198 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2909 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	9.19 EUR
50+	4.65 EUR
100+	4.03 EUR
500+	3.15 EUR
1000+	2.83 EUR
2000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.91 EUR
19+	4.52 EUR
22+	3.89 EUR
25+	3.52 EUR
50+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2905 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	9.15 EUR
50+	4.72 EUR
100+	4.18 EUR
500+	3.31 EUR
1000+	3.06 EUR
2000+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Транзистори

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IPP034NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.75 EUR
50+	3.38 EUR
100+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.57 EUR
1000+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	3.57 EUR
1000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.04 EUR
49+	4.78 EUR
100+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 28500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	7.22 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP037N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 608 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.83 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	1.74 EUR
5000+	1.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPP037N06L3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPP037N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.8 EUR
60+	3.9 EUR
100+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

auf Bestellung 369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.86 EUR
50+	2.4 EUR
100+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.34 EUR
10000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3 G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 295 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3 G E8181

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 144 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3G

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GE8181XKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GHKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 962 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	8.68 EUR
61+	3.86 EUR
100+	3.06 EUR
500+	2.92 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3

auf Bestellung 2529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.53 EUR
10+	3.31 EUR
100+	3.01 EUR
500+	2.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	2.17 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	2.21 EUR
80+	2.12 EUR
100+	1.88 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

auf Bestellung 2237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.22 EUR
50+	3.65 EUR
100+	3.31 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.51 EUR
2000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP038N15NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 76A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V

auf Bestellung 508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.34 EUR
50+	6.46 EUR
100+	5.9 EUR
500+	4.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP038N15NM6AKSA1

MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

auf Bestellung 1169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.29 EUR
10+	6.81 EUR
100+	5.62 EUR
500+	4.76 EUR
1000+	4.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04L G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.81 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.37 EUR
5000+	1.31 EUR
10000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP039N04LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

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IPP039N04LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N04LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	4.26 EUR

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	1.67 EUR
125+	1.38 EUR

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N04LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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89+	1.96 EUR
104+	1.62 EUR
124+	1.31 EUR

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IPP039N04LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	3.97 EUR
85+	2.76 EUR
113+	1.9 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.46 EUR

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IPP039N04LGXKSA1
Produktcode: 202351

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IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	1.06 EUR

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IPP039N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP039N10N5AKSA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

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1+	8.98 EUR
10+	4.65 EUR
100+	4.24 EUR
500+	3.47 EUR
1000+	3.14 EUR

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IPP039N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.13 EUR
10+	6.05 EUR
50+	4.71 EUR
100+	4.28 EUR
500+	3.53 EUR

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IPP039N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	8 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 138000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	4.02 EUR

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IPP039N10N5AKSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 50 Stücke:

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21+	4.19 EUR
23+	3.76 EUR
50+	3.49 EUR

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IPP039N10N5XKSA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

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IPP039N10N5XKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

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IPP03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

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IPP03N03LAG

08+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

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IPP03N03LBG

infineon

08+

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP0400N

Description: IPP0400N
Packaging: Bulk

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

544+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 544 Stücke

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IPP0400NXKSA1

Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

544+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 544 Stücke

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IPP0400NXKSA1

IPP0400NXKSA1

auf Bestellung 99000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

464+	1.4 EUR
515+	1.25 EUR
1000+	1.13 EUR
10000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 464 Stücke

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IPP0400NXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

524+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 524 Stücke

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IPP040N06N
Produktcode: 202352

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPP040N06N

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	3.26 EUR
56+	3.09 EUR
100+	2.93 EUR
250+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

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IPP040N06N

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.04 EUR
2500+	0.94 EUR
5000+	0.9 EUR

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IPP040N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

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IPP040N06N3 G

auf Bestellung 147000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP040N06N3G

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP040N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP040N06N3GXK

auf Bestellung 424 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

auf Bestellung 529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.97 EUR
50+	1.93 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.64 EUR
143+	1.18 EUR
152+	1.06 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 106 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	2.62 EUR
53+	1.62 EUR
57+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1090 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

376+	1.74 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 376 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm

auf Bestellung 373 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	4.68 EUR
103+	2.25 EUR
128+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2112 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

142+	1.23 EUR
151+	1.14 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 142 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP040N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.31 EUR
2500+	1.27 EUR
5000+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.49 EUR
99+	1.74 EUR
111+	1.51 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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IPP040N06N3GXKSA1 Transistor
Produktcode: 202066

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IPP040N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

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