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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RS6332XMRunic TechnologyDescription: IC CMOS 2 CIRCUIT 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 58µA (x2 Channels)
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 55 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 3896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
21+1.02 EUR
25+0.95 EUR
100+0.76 EUR
250+0.71 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6334PXPRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 85µA (x4 Channels)
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 120 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6334PXPRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 85µA (x4 Channels)
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 120 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 3965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.49 EUR
25+1.39 EUR
100+1.13 EUR
250+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6334XPRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 58µA (x4 Channels)
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 55 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
13+1.62 EUR
25+1.51 EUR
100+1.24 EUR
250+1.14 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6334XPRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 58µA (x4 Channels)
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 55 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6334XQRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 58µA (x4 Channels)
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 55 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
13+1.69 EUR
25+1.58 EUR
100+1.3 EUR
250+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6334XQRunic TechnologyDescription: IC CMOS 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 58µA (x4 Channels)
Slew Rate: 0.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.1 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 600 µV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 55 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63HBussmann / EatonFuse Holder RED SPOT 63A FRONT CONNECTED BLACK
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+317.72 EUR
5+273.74 EUR
10+273.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63HEaton BussmannDescription: 63A FRONT CONNECTED BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63HEatonFuse Holder 63A 600VAC/690VDC
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+336.18 EUR
3+281.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63HFTGGE POWER CONTROLSDescription: GE POWER CONTROLS - RS63HFTG - Sicherungshalter, Frontanschluss, 660V, 63A, HRC, Schraubklemme, Red Spot, schwarz
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
rohsCompliant: NA
Anzahl der Sicherungen: 1Sicherung(en)
Sicherungsgröße: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
isCanonical: Y
Nennspannung V AC: 660V
Sicherungshalter: Halter für Feinsicherungen
Nennspannung, V DC: 460V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Sicherungsstrom: 63A
Produktpalette: REDSPOT
Halteranschlüsse: Schraubanschluss
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63HWHEaton BussmannDescription: 63A FRONT CONNECTED WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63LOCKBussmann / EatonFuse Holder Accessories RED SPOT-ACCESSORIES PADLOCKABLE INSERTS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63LOCKEaton BussmannDescription: ACCESSORIES PADLOCKABLE INSERTS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63PEaton BussmannDescription: 63A BACK STUD CONNECTED BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63PHEaton BussmannDescription: 63A FRONT/BACK STUD CONNECT-B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63PHWHEaton BussmannDescription: 63A FRONT/BACK STUD CONNECTED
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63PWHEaton BussmannDescription: 63A BACK STUD CONNECTED WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63REDBussmann / EatonFuse Holder Accessories ED SPOT-ACCESSORIES RED WARNING CARRIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63REDEaton BussmannDescription: ACCESSORIES RED WARNING CARRIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6402-1
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS64021N/A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6513S
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6714-001
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS683
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS690T
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6A13LittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-SETON/OFFRECYC LING
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.72 EUR
10+4.39 EUR
50+3.38 EUR
100+3.06 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 138W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 138W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.7 EUR
58+4.06 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V 270A HSOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+4.3 EUR
100+3.42 EUR
250+3.17 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E122BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 155A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.88 EUR
10+3.13 EUR
50+2.38 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.21 EUR
10000+1.09 EUR
15000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 40V 100A N CHAN
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+2.34 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
2500+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
93+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A
auf Bestellung 7127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+4.32 EUR
100+3.92 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.28 EUR
2500+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.82 EUR
10000+1.64 EUR
15000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
10+5.64 EUR
50+4.39 EUR
100+3.99 EUR
500+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
39+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.38 EUR
58+3.07 EUR
63+2.73 EUR
100+2.18 EUR
200+2.01 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
10+4.64 EUR
25+3.96 EUR
100+3.19 EUR
250+2.81 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 120A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.44 EUR
100+3.25 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
2500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 300A, HSOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+2.89 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.09 EUR
2500+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.2 EUR
54+4.34 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.76 EUR
50+2.88 EUR
100+2.59 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.47 EUR
50+3.45 EUR
100+3.13 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 300A, HSOP8, POWER MOSFE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.84 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
52+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+3.47 EUR
100+3.17 EUR
500+2.57 EUR
2500+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G122CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1190 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.18 EUR
63+3.71 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G122CHTB1Rohm SemiconductorRS6G122CHTB1
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.37 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
auf Bestellung 571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.76 EUR
50+2.88 EUR
100+2.59 EUR
500+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.14 EUR
100+2.02 EUR
250+1.89 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.33 EUR
10000+1.2 EUR
15000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 60V 90A
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.25 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.2 EUR
63+3.71 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
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RS6L090BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
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RS6L090BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
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RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
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RS6L120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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27+9.38 EUR
40+5.81 EUR
100+3.8 EUR
500+3.21 EUR
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RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
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22500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
auf Bestellung 855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.6 EUR
10+5.68 EUR
50+4.41 EUR
100+4.01 EUR
500+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
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35+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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RS6L120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2266 Stücke:
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100+3.8 EUR
500+3.21 EUR
1000+2.98 EUR
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RS6L120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 60V 120A
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100+3.94 EUR
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2500+3.19 EUR
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RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
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2500+1.81 EUR
5000+1.77 EUR
10000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
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28+6.45 EUR
57+3.12 EUR
63+2.76 EUR
100+2.2 EUR
200+2.03 EUR
500+2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 475 Stücke:
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37+5.97 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6L120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 60V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+3.97 EUR
100+3.2 EUR
250+2.83 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
2500+2.37 EUR
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RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
10+4.55 EUR
50+3.51 EUR
100+3.18 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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