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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RS63HWHEaton BussmannDescription: 63A FRONT CONNECTED WHITE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63LOCKBussmann / EatonFuse Holder Accessories RED SPOT-ACCESSORIES PADLOCKABLE INSERTS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63LOCKEaton BussmannDescription: ACCESSORIES PADLOCKABLE INSERTS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63PEaton BussmannDescription: 63A BACK STUD CONNECTED BLACK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63PHEaton BussmannDescription: 63A FRONT/BACK STUD CONNECT-B
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63PHWHEaton BussmannDescription: 63A FRONT/BACK STUD CONNECTED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63PWHEaton BussmannDescription: 63A BACK STUD CONNECTED WHITE
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63REDBussmann / EatonFuse Holder Accessories ED SPOT-ACCESSORIES RED WARNING CARRIER
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS63REDEaton BussmannDescription: ACCESSORIES RED WARNING CARRIER
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6402-1
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS64021N/A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6513S
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6714-001
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS683
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS690T
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6A13LittelfuseTime Delay & Timing Relays DIGI-SETON/OFFRECYC LING
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 138W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.7 EUR
58+4.06 EUR
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V 270A HSOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 2453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.18 EUR
10+4.3 EUR
100+3.42 EUR
250+3.17 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6E120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 138W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 270A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.51 EUR
10+4.25 EUR
100+2.96 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6E122BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 155A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.03 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.19 EUR
10000+1.07 EUR
15000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G100BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
93+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G100BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 40V 100A N CHAN
auf Bestellung 4847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+3.2 EUR
100+2.28 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.57 EUR
5000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
auf Bestellung 2081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.21 EUR
10+5.41 EUR
100+3.82 EUR
500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.78 EUR
10000+1.61 EUR
15000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 210A
auf Bestellung 7131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.77 EUR
10+4.86 EUR
100+3.67 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.17 EUR
2500+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 1340 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1340µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
39+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.24 EUR
58+3 EUR
63+2.67 EUR
100+2.13 EUR
200+1.96 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.25 EUR
10+4.64 EUR
25+3.96 EUR
100+3.19 EUR
250+2.81 EUR
500+2.58 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 210A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 40V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+3.96 EUR
100+3.19 EUR
250+2.83 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.39 EUR
2500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 300A, HSOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.82 EUR
10+3.8 EUR
100+2.62 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
2500+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.2 EUR
54+4.34 EUR
100+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 40V 300A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.5 EUR
100+3.17 EUR
500+2.57 EUR
2500+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G120CHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 910 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 910µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.02 EUR
46+5.13 EUR
100+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G120CHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 300A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G122CGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6G122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1190 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1190µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.18 EUR
63+3.71 EUR
100+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6G122CHTB1Rohm SemiconductorRS6G122CHTB1
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.31 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.09 EUR
100+1.98 EUR
250+1.86 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.31 EUR
10000+1.18 EUR
15000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.62 EUR
10+3.63 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 60V 90A
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+3.25 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.92 EUR
2500+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L090BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0036 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
67+3.5 EUR
100+2.31 EUR
500+2.11 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L090BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.38 EUR
40+5.81 EUR
100+3.8 EUR
500+3.21 EUR
1000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.9 EUR
100+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.57 EUR
15000+1.42 EUR
22500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1ROHMDescription: ROHM - RS6L120BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2700 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.21 EUR
1000+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3520 pF @ 30 V
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.33 EUR
10+5.5 EUR
100+3.88 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.77 EUR
5000+1.73 EUR
10000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N-CH 60V 120A
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.43 EUR
10+5.34 EUR
100+3.94 EUR
500+3.39 EUR
2500+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.72 EUR
10+4.4 EUR
100+3.07 EUR
500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.31 EUR
57+3.05 EUR
63+2.7 EUR
100+2.15 EUR
200+1.99 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6L120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSOP8 N CHAN 60V
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1+6.97 EUR
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250+2.83 EUR
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RS6L120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 150A 8-Pin HSOP EP
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RS6L120CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 190A, HSOP8, Power MOSFET
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RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R
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35+5.46 EUR
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RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
auf Bestellung 2504 Stücke:
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3+7 EUR
10+4.57 EUR
100+3.2 EUR
500+2.62 EUR
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RS6N120BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8 EUR
44+5.3 EUR
100+3.4 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
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2500+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 60A, 6V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6N120BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
auf Bestellung 7361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.22 EUR
10+4.71 EUR
100+3.31 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.51 EUR
2500+2.45 EUR
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RS6N120BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 135A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RS6N120BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6N120BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
500+3 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RS6P060BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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RS6P060BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HS0P8 100V 60A N CHAN
auf Bestellung 4015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.78 EUR
10+3.75 EUR
100+2.59 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.92 EUR
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RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V
auf Bestellung 2142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
10+3.7 EUR
100+2.56 EUR
500+2.07 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6P060BHTB1ROHMDescription: ROHM - RS6P060BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0082 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS6P060BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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