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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSZ0945NDXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5InfineonBSZ096N10LS5ATMA1 MV POWER MOS, TSDSON-8 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 9174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
2000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
130+1.65 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 20996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+2.09 EUR
100+1.5 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0082 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
96+2.44 EUR
130+1.65 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.06 EUR
63+2.74 EUR
100+2.18 EUR
200+2 EUR
1000+1.75 EUR
2000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LS GInfineon
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 157235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.26 EUR
15+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 9700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 10196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
204+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.24 EUR
165+1.02 EUR
166+0.98 EUR
225+0.69 EUR
250+0.65 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1
Produktcode: 170565
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS5 power MOSFET 100 V in a PQFN 3x3
auf Bestellung 11110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.27 EUR
5000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5Infineon technologies
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40, Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9.7 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 69 @ 25°C, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TSDSON-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
auf Bestellung 8718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.09 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 8816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 40A TSDSON-8
auf Bestellung 2627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.39 EUR
2500+1.32 EUR
5000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 9700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 8816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
90+2.59 EUR
250+1.74 EUR
1000+1.3 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.32 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.57 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 4962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
100+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0994NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ099N06LS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
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BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ099N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 151414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
144+1.62 EUR
192+1.12 EUR
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BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
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BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 27774 Stücke:
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2+1.92 EUR
10+1.24 EUR
100+0.98 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
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BSZ099N06LS5ATMA1
Produktcode: 165964
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BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ099N06LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0099 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 151414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
144+1.62 EUR
192+1.12 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.69 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
auf Bestellung 1893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSZ099N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 12740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
137+1.26 EUR
144+1.17 EUR
200+1.08 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.73 EUR
5000+0.62 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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BSZ099N06LS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 46A TSDSON Транзистори
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Bsz100HBEFuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSZ100N03LSINFINEONQFN
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSZ100N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 2783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSZ100N03LS GInfineonQFN
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSZ100N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSZ100N03MS GInfineonQFN
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSZ100N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.64 EUR
100+1.02 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSZ100N03MSGInfineon technologies
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 39A
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.57 EUR
319+0.52 EUR
322+0.5 EUR
353+0.44 EUR
356+0.42 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
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BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.29 EUR
100+0.82 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+2.68 EUR
152+1.52 EUR
223+0.96 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9100 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
auf Bestellung 4438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
152+1.52 EUR
223+0.96 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
322+0.54 EUR
353+0.49 EUR
356+0.48 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3 GInfineonMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 11 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА, Р, Вт = 2,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 20 A, Ptot2, Вт = 50,... Транзистори Корпус:
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 2503 Stücke:
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BSZ100N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
100+1.81 EUR
250+1.7 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.45 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 1837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.96 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.01 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 154843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.5 EUR
112+2.08 EUR
169+1.27 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1InfineonN-Channel 60V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 3357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSInfineon technologies
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
137+1.7 EUR
190+1.13 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 10045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.26 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.9 EUR
5000+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.01 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
137+1.7 EUR
190+1.13 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 27671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.8 EUR
200+1.24 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
5000+0.74 EUR
10000+0.68 EUR
20000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1InfineonBSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NS MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ105N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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