Produkte > CY1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| CY14B104N-BA25XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-BA25XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-BA25XIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-BA45XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | auf Bestellung 296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-BA45XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-BA45XCT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-BA45XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tube Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104N-BA45XIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS20XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS20XCT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 20NS 44TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XCT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XC | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XCT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 44TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 44TSOP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 598 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 598 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 20 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA25I | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA25I | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA25I | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA25IT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 299 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA25XI | INFINEON | Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Mbit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA25XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA25XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA45XE | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 48-Pin FBGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 598 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XE | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 598 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XE | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 598 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XET | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 48-Pin FBGA T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA45XET | Cypress Semiconductor | NVRAM Non Volatile SRAMs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XET | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XET | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 48-Pin FBGA T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM | auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 598 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA45XI | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES | Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-BA45XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256K x 16 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, FBGA-48 Bauform - Speicherbaustein: FBGA MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Speicherorganisation: 256K x 16 Bit Speichergröße: 4 Anzahl der Pins: 48 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Zugriffszeit für Schreiben: 45 Zugriffszeit für Lesen: 45 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-BA45XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS20XI | Cypress Semiconductor | Статична енергонезалежна пам'ять NVSRAM, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 256К х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 135 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 270 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 20 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25X1 | Rochester Electronics, LLC | Description: NON-VOLATILE SRAM, 256KX16, 25NS | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XE | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 270 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XE | Infineon Technologies | NVRAM Non Volatile SRAMs | auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS25XE | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 270 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XET | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XET | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XET | Cypress Semiconductor | NVRAM Non Volatile SRAMs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 675 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES | Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Speicherorganisation: 256K x 16 Bit Speichergröße: 4 Anzahl der Pins: 44 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Zugriffszeit für Schreiben: 25 Zugriffszeit für Lesen: 25 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS25XI | Cypress Semiconductor | NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP Мікросхеми пам'яті | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS25XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XE | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.63V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 135 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XE | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.63V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS45XE | Infineon Technologies | NVRAM Non Volatile SRAMs | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS45XE | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 135 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XET | Infineon Technologies | NVRAM Non Volatile SRAMs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XET | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XET | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.63V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 675 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM | auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| CY14B104NA-ZS45XIKA | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Bulk Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CY14B104NA-ZSP25XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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