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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP10NK80Z
Produktcode: 139478
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.75 EUR
10+6.39 EUR
100+5.19 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMN-Ch 800V 9A 160W TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
62+2.69 EUR
100+2.43 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.13 EUR
2000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.4 EUR
43+5.5 EUR
100+4.24 EUR
500+4.12 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.76 EUR
20+4.34 EUR
28+3.15 EUR
29+2.96 EUR
50+2.82 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 160, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72 @ 10 В, Rds = 900 мОм @ 4,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTN-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.87 EUR
62+2.75 EUR
100+2.53 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.32 EUR
2000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZSTP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.13 EUR
10+7.4 EUR
50+5.81 EUR
100+5.3 EUR
500+4.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.46 EUR
17+5.14 EUR
18+4.74 EUR
21+4.22 EUR
25+3.83 EUR
50+3.56 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.12 EUR
2000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 9 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2180 @ 25, Qg, нКл = 72, Rds = 900 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.11 EUR
2000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFP
Produktcode: 139604
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.64 EUR
10+6.37 EUR
100+5.11 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMTO220-ISO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
auf Bestellung 1182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.92 EUR
42+5.59 EUR
100+4.71 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM50NSTMicroelectronics
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
auf Bestellung 3574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.28 EUR
10+3.71 EUR
100+3.37 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.75 EUR
5000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
auf Bestellung 1986 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.2 EUR
10+4.72 EUR
50+3.65 EUR
100+3.31 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.18 EUR
2000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 19nC
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.31 EUR
32+2.69 EUR
35+2.43 EUR
50+2.3 EUR
100+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60N
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.18 EUR
2000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60ND
Produktcode: 132010
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+2.43 EUR
100+2.2 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.67 EUR
5000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
10+3.18 EUR
50+2.42 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NM65NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NS04Z
auf Bestellung 1233 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10P6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.17 EUR
2000+1.11 EUR
2500+1.06 EUR
3000+1.01 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10P6F6STMicroelectronicsMOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10P6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.17 EUR
2000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
3000+1.06 EUR
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10P6F6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
105+2.21 EUR
133+1.62 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10P6F6STTrans MOSFET P-CH 60V 10A STP10P6F6 TSTP10P6F6
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1100STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 125mm; 65mm; 130mm; black
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Height: 65mm
Width: 125mm
Length: 0.13m
Version: ESD
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Colour: black
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1100BGA-100SUNO1
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1101STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 98mm; 70mm; 160mm; black
Height: 70mm
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Colour: black
Version: ESD
Length: 160mm
Width: 98mm
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.65 EUR
14+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1102STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 130mm; 89mm; 197mm; black
Version: ESD
Height: 89mm
Width: 130mm
Length: 197mm
Material: electrically conductive material
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Type of container: cuvette
Colour: black
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1103STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: cuvette; ESD; 159mm; 120mm; 233mm; black
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Height: 120mm
Width: 159mm
Length: 233mm
Version: ESD
Material: electrically conductive material
Type of container: cuvette
Conform to the norm: ANSI ESD S20:20-2007
Colour: black
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.85 EUR
10+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
auf Bestellung 1816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+3.14 EUR
100+2.62 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.14 EUR
2000+2.12 EUR
5000+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.75 EUR
38+6.2 EUR
100+3.96 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.02 EUR
100+1.96 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
10+4.16 EUR
50+3.2 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.19 EUR
31+2.77 EUR
50+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7
Produktcode: 189126
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N55F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N55F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N55F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N7F6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N7F6STMicroelectronicsMOSFETs LGS LV MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N7F6
Produktcode: 149414
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N7F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 68V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N7F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6
Produktcode: 122622
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.59 EUR
88+1.93 EUR
103+1.61 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.14 EUR
100+1.83 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.59 EUR
88+1.88 EUR
103+1.55 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3435 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.83 EUR
2000+1.8 EUR
5000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP110N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.94 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.37 EUR
10000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1120STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: box; ESD; 45mm; black; Ø: 120mm; round
Type of container: box
Material: electrically conductive material
Colour: black
Height: 45mm
Diameter: 120mm
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in warehouses; in workshops
Version: ESD
Shape: round
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP1125STATICTECCategory: ESD Boxes, Lockers
Description: Container: box; ESD; 123mm; 50mm; 202mm; black
Type of container: box
Material: electrically conductive material
Colour: black
Height: 50mm
Width: 123mm
Length: 202mm
Application of cases: for storage and transport of parts and components; for storage of small electronic and mechanical components; in production plants; in service shops; in shops; in transport; in warehouses; in workshops
Version: ESD
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.85 EUR
10+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP112M3.3V
auf Bestellung 1941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP118145EssentraConduit Fittings & Accessories Tapered Plug:Silicone Blue
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP118145AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP118145BEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N52K3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 16.5nC
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.12 EUR
100+1.86 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.98 EUR
47+1.82 EUR
59+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.15 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.42 EUR
5000+1.32 EUR
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STP11N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.82 EUR
50+2.14 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STP11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STP11N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 5.6A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 17nC
Produkt ist nicht verfügbar
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