Produkte > 2SA
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| 2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 671 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 10W Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR573DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 61 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR573DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR574D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 2A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR574D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 2A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR574D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -80V -2A, Power Transistor | auf Bestellung 2157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR574D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 10W Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -2A 10W Pwr trnstr Low VCE | auf Bestellung 1946 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR574D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 10W Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 2A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 2A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR574D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR574D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574DGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | auf Bestellung 2180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR574DGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR579D3FRATLQ | ROHM | Description: ROHM - 2SAR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR579D3FRATLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR579D3FRATLQ | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive. | auf Bestellung 2253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR579D3FRATLQ | ROHM | Description: ROHM - 2SAR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 67MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR579D3FRATLQ | Rohm Semiconductor | Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 67MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR579D3FRATLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR579D3FRATLQ | Rohm Semiconductor | Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 67MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR579D3TLQ | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. | auf Bestellung 1527 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 67MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR579D3TLQ | ROHM | Description: ROHM - 2SAR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 67MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 67MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 2103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 31 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR582D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR582D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -10V -30A, Power Transistor for Automotive | auf Bestellung 2404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR582D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 10W Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2489 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR582D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP DPAK 30V | auf Bestellung 3137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 10A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 230MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2021 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR582D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 10A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 230MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W | auf Bestellung 3478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR583D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR583D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A PWR TRANS | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3TL1 | Rohm | TRANS PNP 50V 7A TO252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252 Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 230MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) | auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR583D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor | auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 230MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR583D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS BJT PNP TO-252 | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR586D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR586D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR586D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR586D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 5A TO-252 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3TL1 | ROHM | Description: ROHM - 2SAR586D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR586D3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 5A TO-252 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR586D3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 5A Power dissipation: 10W Case: DPAK; TO252 Current gain: 120...390 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586JFRGTLL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586JFRGTLL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-263AB, -80V -5A, Power Transistor | auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR586JFRGTLL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 5A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR586JFRGTLL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 40W Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586JFRGTLL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 5A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR586JGTLL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586JGTLL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 5A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 2259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR586JGTLL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR586JGTLL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 5A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR586JGTLL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB PNP | auf Bestellung 1499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR587D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 10W Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 3A TO-252 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR587D3FRATL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive | auf Bestellung 4583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR587D3FRATL | ROHM | Description: ROHM - 2SAR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 120V 3A TO-252 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2SAR587D3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR587D3TL1 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor | auf Bestellung 2763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SAR587D3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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