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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGAP3SXITRSTMicroelectronicsDescription: GALVANICALLY ISOLATED GATE DRIVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 10A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns
Pulse Width Distortion (Max): 10ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.81 EUR
10+5.93 EUR
25+5.45 EUR
100+4.93 EUR
250+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXITRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP3SXITR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: TBA
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: CMOS, TTL
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 75ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.59 EUR
25+9.6 EUR
26+8.25 EUR
50+7.76 EUR
100+7.26 EUR
250+6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXITRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.37 EUR
34+5.09 EUR
36+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXITRSTMicroelectronicsGalvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver IGBTs 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+5.9 EUR
25+5.45 EUR
100+4.93 EUR
250+4.82 EUR
1000+4.38 EUR
2000+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSSTMicroelectronicsDescription: MOTION CONTROL & AUTOMATION
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6A, 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 6A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns
Pulse Width Distortion (Max): 10ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSSTMicroelectronicsGalvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver SiC 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.25 EUR
34+4.99 EUR
37+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsGalvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated gate driver SiC 10A Source/Sink desat protect SOFTOFF
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+5.9 EUR
25+5.45 EUR
100+4.93 EUR
250+4.66 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.25 EUR
34+5.09 EUR
37+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDescription: GALVANICALLY ISOLATED 6/10 A SIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 10A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns
Pulse Width Distortion (Max): 10ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.81 EUR
10+5.93 EUR
25+5.45 EUR
100+4.93 EUR
250+4.69 EUR
500+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDescription: GALVANICALLY ISOLATED 6/10 A SIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 10A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns
Pulse Width Distortion (Max): 10ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP4STR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.47 EUR
19+12.32 EUR
25+10.79 EUR
50+10.23 EUR
100+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STRSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 3.4A
Technology: Optical Coupling
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL, VDE
Supplier Device Package: 36-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 45ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 30ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP4STR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.47 EUR
19+12.32 EUR
25+10.79 EUR
50+10.23 EUR
100+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STRSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 3.4A
Technology: Optical Coupling
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL, VDE
Supplier Device Package: 36-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 45ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 30ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.17 EUR
10+13.89 EUR
100+10.34 EUR
500+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.51 EUR
2000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.51 EUR
2000+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.78 EUR
100+1.92 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.27 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10N60LT4STM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZSTMicroelectronicsIGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
auf Bestellung 1138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.88 EUR
30+2.84 EUR
50+2.38 EUR
100+2.05 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMSTGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZ IGBT 440V 20A 125W D2PAK Транзистори
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STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsIGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+4.16 EUR
100+2.76 EUR
500+2.32 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D²PAK
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 410 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 10 A
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 43 St.
  • 43 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.97 EUR
10+4.49 EUR
100+4.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.53 EUR
10+6.33 EUR
100+4.51 EUR
500+4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4 (fehlender Widerstand GE)
Produktcode: 212617
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КитайTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D²PAK
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 10 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors 10 A - 410 V internally clamped IGBT
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STGB10NB40LZ
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB60S
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 29A TO-263
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 33 nC
Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMGBT 600V 20A 65W Surface Mount D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.49 EUR
31+2.82 EUR
35+2.46 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 10A 600V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+4.44 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.09 EUR
5000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST)
Produktcode: 155334
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60K
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KD
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.48 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N-channel MOSFET
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.13 EUR
5000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.52 EUR
49+1.77 EUR
57+1.5 EUR
62+1.38 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.34 EUR
130+1.27 EUR
133+1.21 EUR
135+1.14 EUR
250+1.08 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4
Produktcode: 155948
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.32 EUR
133+1.29 EUR
135+1.24 EUR
250+1.19 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KT4
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB12NB60KD
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB12NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB12NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60K
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KD
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.7 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB14NC60KDT4STMIGBT 25A600V D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.09 EUR
64+3.64 EUR
100+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
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