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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDescription: GALVANICALLY ISOLATED 6/10 A SIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 10A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns
Pulse Width Distortion (Max): 10ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V
auf Bestellung 1112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.81 EUR
10+5.93 EUR
25+5.45 EUR
100+4.93 EUR
250+4.69 EUR
500+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDriver 10A 1-OUT Half Brdg 16-Pin SO W
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.32 EUR
34+5.05 EUR
37+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP3SXSTRSTMicroelectronicsDescription: GALVANICALLY ISOLATED 6/10 A SIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 10A, 10A
Voltage - Isolation: 5700Vrms
Supplier Device Package: 16-SO
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 18ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 95ns, 95ns
Pulse Width Distortion (Max): 10ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 3.1V ~ 5.5V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STRSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 3.4A
Technology: Optical Coupling
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL, VDE
Supplier Device Package: 36-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 45ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 30ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP4STR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.47 EUR
19+12.32 EUR
25+10.79 EUR
50+10.23 EUR
100+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STRSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 3.4A
Technology: Optical Coupling
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL, VDE
Supplier Device Package: 36-SO
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 45ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 30ns
Grade: Automotive
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0.3V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.17 EUR
10+13.89 EUR
100+10.34 EUR
500+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGAP4STRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGAP4STR - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, SiC-MOSFET, 36 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.47 EUR
19+12.32 EUR
25+10.79 EUR
50+10.23 EUR
100+9.66 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.56 EUR
2000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 4135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.55 EUR
2000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.5ns/103ns
Switching Energy: 83µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.42 EUR
2000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.33 EUR
10+2.78 EUR
100+1.92 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.27 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 115000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10M65DF2 - IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
59+3.95 EUR
100+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 115 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 28 nC
Test Condition: 400V, 10A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/91ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10N60LT4STM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZSTMicroelectronicsIGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZSTMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 440V
Pulsed collector current: 40A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.52 EUR
26+3.33 EUR
32+2.69 EUR
36+2.4 EUR
50+2.02 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMSTGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZ IGBT 440V 20A 125W D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsIGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+4.16 EUR
100+2.76 EUR
500+2.32 EUR
1000+1.65 EUR
2000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
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STTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D²PAK
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 410 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 10 A
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 51 St.
  • 51 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4.97 EUR
10+4.49 EUR
100+4.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB10NB37LZT4 - IGBT, 20 A, 1.3 V, 125 W, 410 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 410V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
auf Bestellung 674 Stücke:
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3+9.53 EUR
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STGB10NB37LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NB37LZT4 (fehlender Widerstand GE)
Produktcode: 212617
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КитайTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D²PAK
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 10 A
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STGB10NB40LZSTMicroelectronicsIGBT Transistors 10 A - 410 V internally clamped IGBT
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STGB10NB40LZ
auf Bestellung 4099 Stücke:
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STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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STGB10NB40LZT4
auf Bestellung 102 Stücke:
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STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 380V 20A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch Clamped 20 Amp
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 440V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 1.3µs/8µs
Switching Energy: 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Test Condition: 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
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STGB10NB60S
auf Bestellung 4099 Stücke:
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STGB10NB60ST4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 29A TO-263
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 29 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 33 nC
Test Condition: 480V, 10A, 1kOhm, 15V
Switching Energy: 600µJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/1.2µs
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STGB10NC60HDT4STMGBT 600V 20A 65W Surface Mount D2PAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.49 EUR
31+2.82 EUR
35+2.46 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 10A 600V
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+4.44 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.12 EUR
2000+2.09 EUR
5000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60HDT4 (D2PAK, ST)
Produktcode: 155334
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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STGB10NC60K
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KD
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.36 EUR
130+1.29 EUR
133+1.23 EUR
135+1.15 EUR
250+1.09 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N-channel MOSFET
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.13 EUR
5000+1.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.52 EUR
49+1.77 EUR
57+1.5 EUR
62+1.38 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4
Produktcode: 155948
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.33 EUR
133+1.3 EUR
135+1.25 EUR
250+1.2 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KT4
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB10NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB12NB60KD
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB12NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB12NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 30A 125W D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60K
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KD
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDSTMicroelectronicsIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH" IGBT
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.7 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMIGBT 25A600V D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB14NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 22.5ns/116ns
Switching Energy: 82µJ (on), 155µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 34.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 80 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
10+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 103 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24.5ns/118ns
Switching Energy: 136µJ (on), 207µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 115 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB15H60DF - IGBT, 30 A, 1.6 V, 115 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 600V H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
78+3 EUR
100+2.74 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
auf Bestellung 506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+3.5 EUR
100+2.62 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.57 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 136W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
auf Bestellung 1367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 136W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB15M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.13 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZ
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGB18N40LZ-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A TO-262
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 29 nC
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Input Type: Logic
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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