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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK26E-2P8Fuji Electric CorporationTK26E-2P8
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+86.37 EUR
5+75.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2700Sargent ToolsCrimpers LAN KIT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2720
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TK272GInterlightDescription: Replacement for Kenwood TK272G R
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
For Use With/Related Products: Kenwood TK272G
Packaging: Retail Package
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2770Sargent ToolsCrimpers MODULAR PLUG KIT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.25 EUR
50+5.95 EUR
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.45 EUR
10+8.79 EUR
100+6.47 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28A65W,S5X(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+11.65 EUR
100+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28A65W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28A65WS5X(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28C94AINTekmosTK28C94AIN^TEKMOS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28C94AIN TK7954LTekmosTK28C94AIN TK7954L
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28E65WToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28E65W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28E65W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.27 EUR
50+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28E65W,S1XToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28E65W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28E65W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.02 EUR
28+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28F010NI-12TekmosFlash Parallel 1M-bit 128K x 8 90ns 32-Pin PLCC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5750 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65WToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.85 EUR
30+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.094 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.02 EUR
28+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W5,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W5,S1FToshibaMOSFETs TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.15 EUR
10+10.16 EUR
120+8.57 EUR
510+7.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.03 EUR
30+7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65W5S1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28N65WS1F(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W,LQToshibaMOSFETs DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 4966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.83 EUR
10+9.33 EUR
100+6.79 EUR
500+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.67 EUR
23+10.4 EUR
100+7.07 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.099 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.07 EUR
500+5.68 EUR
1000+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W,LQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.41 EUR
10+9.76 EUR
100+7.13 EUR
500+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W5,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 27.6A 5-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W5,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.76 EUR
17+14.2 EUR
100+8.41 EUR
500+6.96 EUR
1000+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W5,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK28V65W5,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.76 EUR
17+14.2 EUR
100+8.41 EUR
500+6.96 EUR
1000+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65W5LQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK28V65WLQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A60Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.03 EUR
100+1.71 EUR
500+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A60Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A60Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A60Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
103+2.26 EUR
105+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A65Y,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
50+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A65Y,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A65Y,S4XToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.01 EUR
100+2.92 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290A65Y,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
10+2.62 EUR
100+2.08 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P60Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P60Y,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.38 EUR
39+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P60Y,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.95 EUR
89+1.94 EUR
100+1.76 EUR
200+1.46 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P60Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.38 EUR
39+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P65Y,RQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
auf Bestellung 3373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.5 EUR
100+3.17 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.56 EUR
2000+2.28 EUR
4000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.98 EUR
100+2.37 EUR
500+2 EUR
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P65Y,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+2 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK290P65Y,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK290P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.5 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
71+3.3 EUR
100+2.19 EUR
500+2 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2A65DToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.09 EUR
50+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+1.86 EUR
100+1.68 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.11 EUR
5000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2D-24TE ConnectivityTerminal Block Tools & Accessories
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2D-24TE ConnectivityConnector Accessories Snap Track Channel Polyvinyl Chloride Gray
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.34 EUR
25+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+1.7 EUR
100+1.51 EUR
500+1 EUR
1000+0.83 EUR
5000+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2K2A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.82 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.82ohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2K2A60FS4X(SToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P-3.5TraktronixDescription: 2PIN 3.5MM SCREW PLUGGABLE CONN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P60D
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P60DToshibaArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P60D(TE16L1,NQ)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 3.4 Ohm
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P60D(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P60D(TE16L1,NV)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.69 EUR
271+0.63 EUR
272+0.62 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P60D(TE16L1,NV)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P60D(TE16L1NV)ToshibaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P90E,RQToshibaMOSFETs TO252 900V 2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.45 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.01 EUR
4000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P90E,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
162+1.06 EUR
200+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P90E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
121+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P90E,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
82+2.86 EUR
121+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2P90E,RQSToshibaMOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2Q60D
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2Q60D(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: PW-MOLD2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2Q60D(Q)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2Q60D(Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.5 EUR
100+1.32 EUR
200+1.13 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2R4A08QMToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK2R4A08QM,S4XToshibaMOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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