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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+3.01 EUR
100+2.08 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.49 EUR
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6400ENH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
auf Bestellung 7092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.74 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.51 EUR
5000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.064 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 8102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
78+3 EUR
250+2.02 EUR
1000+1.76 EUR
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.064 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 8102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.77 EUR
78+3 EUR
250+2.02 EUR
1000+1.76 EUR
3000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NLToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 2812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
15+1.42 EUR
100+1.09 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 8.3mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.68 EUR
107+2.18 EUR
160+1.33 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 5200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
107+2.19 EUR
160+1.34 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R004PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
auf Bestellung 19357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.7 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R004PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 49A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.46 EUR
17+1.26 EUR
100+0.88 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
135+1.73 EUR
203+1.06 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 4800 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 1948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
135+1.73 EUR
203+1.06 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R008QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm
auf Bestellung 4385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.73 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
12+1.87 EUR
25+1.56 EUR
100+1.21 EUR
250+1.05 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.57 EUR
109+2.13 EUR
176+1.23 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59 A, 4700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 3935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.57 EUR
109+2.13 EUR
176+1.23 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.26 EUR
50+1.7 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R30ANL,L1QToshibaMOSFET N-CH 100V 66A/45A SOP-8 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R30ANL,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
auf Bestellung 13527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.92 EUR
100+1.27 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.9 EUR
5000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
145+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 5100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.84 EUR
97+2.42 EUR
145+1.48 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH6R30ANLL1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH707KK
Produktcode: 21611
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Eckverbindung der Tischplatten 1100x1100mm, Belastung 150kg
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1+365.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH707KK ESD
Produktcode: 21612
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Eckverbindung der Tischplatten 1100x1100mm, Belastung 150kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
1+498.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH712
Produktcode: 21222
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montagetisch mit Regalen, 700x1200mm, Tischplattenhöhe 650-900mm, Regalhöhe 1080-1550mm,Belastung 300kg,
Produkt ist nicht verfügbar
1+399.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH712 ESD
Produktcode: 21223
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montagetisch mit Regalen, 700x1200mm, Tischplattenhöhe 650-900mm, Regalhöhe 1080-1550mm, Belastung 300kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
1+535.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH712 L
Produktcode: 21548
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montage-Anbautisch längs mit Regalen 700x1200, Tischplattenhöhe 650-900mm, Belastung 150kg
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1+314.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH712L ESD
Produktcode: 21585
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montage-Anbautisch längs, mit Regalen 700x1200, Tischplattenhöhe 650-900mm, Belastung 150kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
1+466.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH715 ESD
Produktcode: 21225
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montagetisch mit Regalen, 700x1500mm, Tischplattenhöhe 650-900mm, Regalhöhe 1080-1550mm, Belastung 300kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
1+591.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH715 L
Produktcode: 21549
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montage-Anbautisch längs mit Regalen 700x1500, Tischplattenhöhe 650-900mm, Belastung 150kg
Produkt ist nicht verfügbar
1+329.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH715-3
Produktcode: 106391
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TrestonAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH715L ESD
Produktcode: 21586
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montage-Anbautisch längs, mit Regalen 700x1500, Tischplattenhöhe 650-900mm, Belastung 150kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
1+516.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH718
Produktcode: 21226
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montagetisch mit Regalen, 700x1800mm, Tischplattenhöhe 650-900mm, Regalhöhe 1080-1550mm, Belastung 300kg
Produkt ist nicht verfügbar
1+471.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH718 ESD
Produktcode: 21227
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montagetisch mit Regalen, 700x1800mm, Tischplattenhöhe 650-900mm, Regalhöhe 1080-1550mm, Belastung 300kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
1+708.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH718 L
Produktcode: 21550
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montage-Anbautisch längs mit Regalen 700x1800, Tischplattenhöhe 650-900mm, Belastung 150kg
Produkt ist nicht verfügbar
1+364.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH718L ESD
Produktcode: 21587
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montage-Anbautisch längs, mit Regalen 700x1800, Tischplattenhöhe 650-900mm, Belastung 150kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
1+606.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
13+1.62 EUR
50+1.2 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
auf Bestellung 2329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.48 EUR
100+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.5 EUR
156+1.11 EUR
200+0.92 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 3273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.2 EUR
123+1.89 EUR
175+1.23 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.88 EUR
250+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 3273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
123+1.89 EUR
175+1.23 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 79A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 4345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 1513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
auf Bestellung 13325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.68 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQToshibaMOSFETs N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W
auf Bestellung 7155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.49 EUR
9000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.39 EUR
256+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 5400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 5811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
146+1.59 EUR
223+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
225+0.77 EUR
250+0.74 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 5400 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 69W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 5811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
146+1.59 EUR
223+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R506NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
auf Bestellung 15529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.32 EUR
100+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
2500+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R506NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R506NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 9622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+0.43 EUR
410+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 3656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
134+1.61 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 6100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
auf Bestellung 3656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
91+2.57 EUR
134+1.61 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R008NH,L1QToshibaMOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
auf Bestellung 6754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.73 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R808QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R808QM,LQToshibaMOSFETs 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.37 EUR
100+0.94 EUR
250+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R808QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R808QMLQ(M1ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
auf Bestellung 29260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.37 EUR
10+2.75 EUR
100+1.95 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R80ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
auf Bestellung 8833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.92 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.48 EUR
5000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
88+2.64 EUR
250+2.07 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 8800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 61W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
250+2.07 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R80ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R903NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
auf Bestellung 1763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.36 EUR
100+0.92 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R903NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.25 EUR
286+0.6 EUR
313+0.54 EUR
314+0.52 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH8R903NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 24W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
128+1.81 EUR
193+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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TPH8R903NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: To Be Advised
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116+2.01 EUR
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TPH8R903NLLQ(SToshibaMOSFET
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TPH909KK
Produktcode: 21615
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Eckverbindung der Tischplatten 1300x1300mm, Belastung 150kg
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1+374.11 EUR
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TPH909KK ESD
Produktcode: 21616
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Eckverbindung der Tischplatten 1300x1300mm, Belastung 150kg, antistatisch
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1+544.14 EUR
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TPH915
Produktcode: 21228
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montagetisch mit Regalen, 900x1500mm, Tischplattenhöhe 650-900mm, Regalhöhe 1080-1550mm, Belastung 300kg
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1+464.2 EUR
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TPH915 ESD
Produktcode: 21229
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montagetisch mit Regalen, 900x1500mm, Tischplattenhöhe 650-900mm, Regalhöhe 1080-1550mm, Belastung 300kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
1+674.91 EUR
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TPH915L
Produktcode: 21588
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
Beschreibung: Montage-Anbautisch längs, mit Regalen 900x1500, Tischplattenhöhe 650-900mm, Belastung 150kg, antistatisch
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1+365.44 EUR
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