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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF7492PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 3,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1820 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 79 мОм @ 2,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 79mOhms 39nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBF
Produktcode: 26534
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1820/39
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBFInfineonMOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 3.7A 79mOhm 39nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7492TRPBF(Transistor)
Produktcode: 49590
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493
Produktcode: 126425
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493PBF
Produktcode: 162716
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493PBFInfineon TechnologiesMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7493PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 9.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 15 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 80V 7,4A 2.5W 0,015Ω IRF7493 TIRF7493
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.82 EUR
217+0.8 EUR
220+0.76 EUR
250+0.74 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
112+2.08 EUR
250+1.5 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
auf Bestellung 6513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.24 EUR
100+1.5 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 80V 9.3A SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.89 EUR
201+0.86 EUR
203+0.83 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 116000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.75 EUR
8000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 9,3, Ciss, пФ @ Uds, В = 1510 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10, Rds = 15 мОм @ 5,6 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 20 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
112+2.08 EUR
250+1.5 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.83 EUR
214+0.79 EUR
217+0.75 EUR
220+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 116000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.74 EUR
8000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7493TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
auf Bestellung 6105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.96 EUR
100+0.95 EUR
1000+0.94 EUR
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 5,1 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1783 @ 25, Qg, нКл = 53 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494PBF
Produktcode: 79849
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494TRINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+16.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 719 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494TRHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494TRPBFIRF
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7494TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1783 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7495
Produktcode: 117001
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF7495IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
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IRF7495International RectifierTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.45 EUR
25+7.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530pF @ 25V, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = ±20V,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 21 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.14 EUR
94+1.78 EUR
120+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V N-CH HEXFET 22mOhms 34nC
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7495PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC Транзистори
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IRF7495PBF
Produktcode: 125064
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7495TRIR
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
auf Bestellung 13822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.39 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.14 EUR
4000+1.07 EUR
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IRF7495TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 7,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1530 @ 25, Qg, нКл = 51, Rds = 22 mOhm @ 4.4A, 10V, Ugs(th) = ±20V, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 212000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
100+2.05 EUR
250+1.92 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.73 EUR
2500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
250+1.63 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
auf Bestellung 6688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInternational Rectifier8-SOIC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.14 EUR
84+2.06 EUR
115+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.08 EUR
112+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.88 EUR
88+2.64 EUR
250+1.63 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7495TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 212000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7496IR09+
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501IR07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRInternational Rectifier/Infineon2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2,4 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15, Qg, нКл = 8 @ 4,5 В, Rds = 135 мОм @ 1,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: MICRO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 2918 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TR
Produktcode: 109125
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 8045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
173+1.34 EUR
250+0.98 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.24 EUR
8000+1.09 EUR
12000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 8045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
173+1.34 EUR
250+0.98 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
auf Bestellung 21116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.65 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 2.4A 8-Pin Micro T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+1.15 EUR
8000+1.05 EUR
12000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7503Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7503IR07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7503TRInternational RectifierTransistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7503TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro8™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.45 EUR
255+0.92 EUR
343+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
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IRF7503TRPBFInternational RectifierТранзистори
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IRF7503TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8
auf Bestellung 31029 Stücke:
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4+0.94 EUR
10+0.92 EUR
100+0.65 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF7504International RectifierТранзистори
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IRF7504IR07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7504Infineon / IRMOSFET
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IRF7504PBFInfineon / IRMOSFET MICRO-8
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