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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTBG045N065SC1ONN
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.41 EUR
12+15.22 EUR
100+12.7 EUR
800+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+12.64 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.13 EUR
10+17.34 EUR
100+14.64 EUR
500+13.97 EUR
800+12.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.41 EUR
12+14.89 EUR
100+12.23 EUR
800+10.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.69 EUR
13+19.15 EUR
50+16.33 EUR
100+14.95 EUR
250+14.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 121W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 62A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Reel
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+15.77 EUR
100+14.77 EUR
500+13.68 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+31.11 EUR
10+27.55 EUR
25+24.16 EUR
50+22.87 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.1 EUR
10+15.35 EUR
100+12.15 EUR
500+11.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
61+2.82 EUR
62+2.71 EUR
100+2.61 EUR
250+2.52 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.51 EUR
10+15.62 EUR
100+12.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
61+2.75 EUR
62+2.61 EUR
100+2.46 EUR
250+2.33 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.58 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 176A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 3.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1onsemiDescription: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27 EUR
10+18.91 EUR
100+15.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG060N090SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 15V, 44A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.92 EUR
12+20.47 EUR
25+18.44 EUR
50+17.99 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 5.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 948 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS 60MOHM 900V
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.9 EUR
10+18.2 EUR
100+16.59 EUR
500+14.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1onsemiDescription: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+12.79 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG060N090SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.63 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+6.46 EUR
1600+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 252W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.57 EUR
50+19.34 EUR
100+17.86 EUR
250+16.66 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.63 EUR
22+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.24 EUR
10+10.64 EUR
100+9.38 EUR
500+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 93A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
auf Bestellung 3135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.93 EUR
10+10.84 EUR
100+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG070N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG070N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 252W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.71 EUR
9+28.21 EUR
10+21.57 EUR
50+19.34 EUR
100+17.86 EUR
250+16.66 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
auf Bestellung 462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.53 EUR
10+17.86 EUR
100+14.66 EUR
500+13.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 110A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 121mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.89 EUR
12+20.44 EUR
14+15.53 EUR
50+14.14 EUR
100+12.74 EUR
250+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+15.22 EUR
100+14.26 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 30A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ONN
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+15.22 EUR
100+14.26 EUR
500+13.21 EUR
1000+12.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
auf Bestellung 12663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.01 EUR
10+18.2 EUR
100+14.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.89 EUR
12+20.44 EUR
14+15.53 EUR
50+14.14 EUR
100+12.74 EUR
250+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.33 EUR
54+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.02 EUR
10+5.57 EUR
100+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+6.31 EUR
25+6.22 EUR
100+4.55 EUR
800+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 14.6A; 25W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 1.8Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 14.6A
Power dissipation: 25W
Drain-source voltage: 1.7kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1ON Semiconductor
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.83 EUR
10+12.21 EUR
100+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.84 EUR
19+12.53 EUR
21+10.41 EUR
50+9.58 EUR
100+8.81 EUR
250+8.63 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.7 EUR
19+12.36 EUR
21+10.23 EUR
50+9.42 EUR
100+8.51 EUR
250+8.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06ConsemiMOSFETs Power MOSFET, 60 V, 1.1 mohm, 342 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.0 m?, 363 A, Single N-Channel, D2PAK7
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.04 EUR
10+19.75 EUR
25+19.73 EUR
100+18.96 EUR
250+18.93 EUR
500+17.85 EUR
800+16.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.38 EUR
10+18.54 EUR
100+15.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.23 EUR
100+18.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS002N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 45A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 225µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS002N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 45A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 225µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS002N06ConsemiMOSFET Power MOSFET, 60 V, 2.2 m?, 211 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 2.0 m?, 252 A, Single N-Channel, D2PAK7
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+18.52 EUR
10+16.28 EUR
25+15.58 EUR
100+13.59 EUR
250+13.22 EUR
500+12.61 EUR
800+10.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
22+10.82 EUR
100+8.09 EUR
500+6.59 EUR
1000+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GonsemiDescription: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GonsemiMOSFETs 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
auf Bestellung 579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.01 EUR
10+9.48 EUR
100+6.91 EUR
500+6.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
22+10.82 EUR
100+8.09 EUR
500+6.59 EUR
1000+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GonsemiDescription: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.4 EUR
10+8.37 EUR
100+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06ConsemiMOSFETs Power MOSFET, 60 V, 1.62 mohm, 267 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.5 m?, 294 A, Single N-Channel, D2PAK7
auf Bestellung 1953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+8.92 EUR
100+7.2 EUR
500+6.41 EUR
800+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.02 EUR
26+9.21 EUR
100+6.58 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.02 EUR
26+9.21 EUR
100+6.58 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.05 EUR
65+3.62 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.15 EUR
10+8.2 EUR
100+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 175µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 35A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06ConsemiMOSFET NFET D2PAK7 60V 2.5MO
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.96 EUR
10+11.66 EUR
25+11.02 EUR
100+9.57 EUR
500+8.13 EUR
800+6.85 EUR
2400+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06ConsemiMOSFET NFET D2PAK7 60V 3.5MO
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+6.83 EUR
100+5.51 EUR
800+4.08 EUR
2400+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS3D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 127 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 24A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 122µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 30 V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+8.06 EUR
100+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS3D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 127 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.4 EUR
52+4.55 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 24A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 122µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MC
Produktcode: 220733
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.24 EUR
500+6.77 EUR
1000+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 185A; 316W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 185A
Power dissipation: 316W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
auf Bestellung 46945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.78 EUR
10+9.14 EUR
25+7.94 EUR
100+6.57 EUR
250+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCON Semiconductor
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6 EUR
30+5.6 EUR
100+5.39 EUR
250+5.22 EUR
500+5.06 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
auf Bestellung 1297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.88 EUR
10+6.72 EUR
100+6.07 EUR
500+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.74 EUR
26+9.03 EUR
100+7.24 EUR
500+6.77 EUR
1000+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6 EUR
30+5.4 EUR
100+5.11 EUR
250+4.82 EUR
500+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
auf Bestellung 46400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.64 EUR
1600+7.28 EUR
2400+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MCON Semiconductor
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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