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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTBG1000N170M1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+6.31 EUR
25+6.22 EUR
100+4.55 EUR
800+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.02 EUR
10+5.57 EUR
100+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG1000N170M1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 4.3 A, 1.7 kV, 1.43 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.43ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG1000N170M1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3A; Idm: 14.6A; 25W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14.6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.8Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.01 EUR
10+9.95 EUR
100+9.29 EUR
500+8.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13.7A
Case: D2PAK-7
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.365Ω
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 68W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 33.8nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.29 EUR
16+14.95 EUR
22+10.17 EUR
50+9.85 EUR
100+9.51 EUR
250+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.95 EUR
10+12.3 EUR
50+9.89 EUR
100+9.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 765 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.41 EUR
10+6.95 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 342A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 112A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11110 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06ConsemiMOSFETs NFET D2PAK7 60V 1.0MO
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+6.85 EUR
100+5.4 EUR
500+5.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 342 A, 0.00089 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 342A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.23 EUR
100+18.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS002N06ConsemiMOSFET Power MOSFET, 60 V, 2.2 m?, 211 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 2.0 m?, 252 A, Single N-Channel, D2PAK7
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+18.52 EUR
10+16.28 EUR
25+15.58 EUR
100+13.59 EUR
250+13.22 EUR
500+12.61 EUR
800+10.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS002N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 45A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 225µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS002N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+11.01 EUR
100+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS002N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 2.2 M?, 211
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 45A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 225µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS002N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+11.01 EUR
100+10.31 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 203A; 340W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Drain current: 203A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 1351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.34 EUR
25+9.35 EUR
100+7.37 EUR
500+6.24 EUR
1000+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GonsemiDescription: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.79 EUR
10+10.02 EUR
50+7.97 EUR
100+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GonsemiMOSFETs 100V MVSOA IN D2PAK-7L PACKAGE
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.6 EUR
10+10.26 EUR
100+8.29 EUR
500+7.39 EUR
800+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GonsemiDescription: POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 50 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS004N10GONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 1351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.34 EUR
25+9.35 EUR
100+7.37 EUR
500+6.24 EUR
1000+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00123ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.02 EUR
26+9.21 EUR
100+6.58 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06ConsemiMOSFETs NFET D2PAK7 60V 1.5MO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS1D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 267 A, 1230 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.02 EUR
26+9.21 EUR
100+6.58 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS1D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS2D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 169 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS2D5N06ConsemiMOSFET NFET D2PAK7 60V 2.5MO
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.96 EUR
10+11.66 EUR
25+11.02 EUR
100+9.57 EUR
500+8.13 EUR
800+6.85 EUR
2400+6.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 24A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 122µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS3D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 127 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.4 EUR
52+4.55 EUR
100+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06ConsemiMOSFET NFET D2PAK7 60V 3.5MO
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.13 EUR
10+6.83 EUR
100+5.51 EUR
800+4.08 EUR
2400+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06ConsemiDescription: POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 24A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 122µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 30 V
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
10+8.06 EUR
100+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS3D5N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS3D5N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 127 A, 3100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 377 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 316W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.38 EUR
500+6.13 EUR
1000+6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.16 EUR
10+7.63 EUR
100+7.02 EUR
500+6.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.7 EUR
50+10.44 EUR
100+9.48 EUR
250+8.51 EUR
800+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 316W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.65 EUR
26+8.94 EUR
100+6.38 EUR
500+6.13 EUR
1000+6 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MC
Produktcode: 220733
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.45 EUR
29+6.02 EUR
100+5.8 EUR
250+5.62 EUR
500+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 185A; 316W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 316W
Polarisation: unipolar
Drain current: 185A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.45 EUR
29+5.8 EUR
100+5.49 EUR
250+5.18 EUR
500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
auf Bestellung 912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.39 EUR
10+9.73 EUR
50+7.75 EUR
100+7.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 68000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.51 EUR
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NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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18+9.91 EUR
26+6.76 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.45 EUR
10+9.78 EUR
50+7.78 EUR
100+7.14 EUR
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NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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98+6.85 EUR
103+6.43 EUR
500+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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NTBGS6D5N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 605 Stücke:
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100+7.26 EUR
500+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTBGS6D5N15MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 121A; 238W; D2PAK-7
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Drain current: 121A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
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98+6.85 EUR
103+6.43 EUR
500+5.94 EUR
1000+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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NTBGS6D5N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 379µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4745 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.91 EUR
26+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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98+6.85 EUR
103+6.43 EUR
500+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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NTBGS6D5N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBGS6D5N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 121 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.15 EUR
23+10.14 EUR
100+7.26 EUR
500+6.62 EUR
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NTBGS6D5N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL
auf Bestellung 853 Stücke:
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1+14.22 EUR
10+7.66 EUR
100+7.02 EUR
500+6.66 EUR
800+6.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBGS6D5N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 15A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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98+6.85 EUR
103+6.43 EUR
500+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBKBAG156STARTECHDescription: STARTECH - NTBKBAG156 - Laptop-Rucksack für 15.6"-Laptop, abnehmbare Zubehörtasche, robuster IT-Technik-Rucksack
tariffCode: 42021110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 16.7"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Außentiefe - metrisch: 324mm
Außenhöhe - metrisch: 425mm
Außentiefe - imperial: 12.8"
Gehäusefarbe: Schwarz
SVHC: To Be Advised
Außenbreite - metrisch: 203mm
Koffermaterial: 1680d ballistisches Nylon
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Außenbreite - Zoll: 8"
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+511.95 EUR
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NTBKBAG173StarTechOther Tools Notebook bag for 17 3 notebooks w removable accessories po
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+359.05 EUR
5+359.02 EUR
10+318.54 EUR
25+308.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBKBAG173STARTECHDescription: STARTECH - NTBKBAG173 - Laptop-Rucksack für 17.3"-Laptop, abnehmbare Zubehörtasche, robuster IT-Technik-Rucksack
tariffCode: 42021291
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Außenhöhe - imperial: 17.7"
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Außentiefe - metrisch: 335.3mm
Außenhöhe - metrisch: 450mm
Außentiefe - imperial: 13.2"
Gehäusefarbe: Schwarz
SVHC: To Be Advised
Außenbreite - metrisch: 195.6mm
Koffermaterial: 1680d ballistisches Nylon
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Außenbreite - Zoll: 7.7"
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+528.49 EUR
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NTBL012N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 12 MOHM, 650V, M3S, TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL012N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 12 MOHM, 650V, M3S, TO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL012N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL016N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650V, M3S, TO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL016N065M3SonsemiDescription: ELITESIC, 16 MOHM, 650V, M3S, TO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL016N065M3SonsemiSiC MOSFETs EliteSiC, 16 mohm, 650V, M3S, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL023N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 77A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL023N065M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.6mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
auf Bestellung 1745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.01 EUR
10+20.48 EUR
100+15.68 EUR
500+15.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.61 EUR
10+17.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL023N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 16M, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.64 EUR
10+8 EUR
100+7.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1396 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.4 EUR
10+10.5 EUR
100+7.72 EUR
500+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.21 EUR
25+7.07 EUR
100+6.85 EUR
250+6.69 EUR
500+6.53 EUR
1000+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL032N065M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.21 EUR
25+6.81 EUR
100+6.49 EUR
250+6.18 EUR
500+5.87 EUR
1000+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL035N65GN1TXGonsemiGaN FETs 650V, 35MR LGAN TOLL
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 220-224 Tag (e)
1+27.31 EUR
10+16.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL035N65GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 650V, 27M, TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22.6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.97 EUR
10+17.42 EUR
100+14.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTBL045N065SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 18V, 73A, H-PSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TOLL 650V
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.92 EUR
10+12.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.66 EUR
18+9.81 EUR
25+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22.6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.66 EUR
18+9.59 EUR
25+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 51A; Idm: 182A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 174W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTBL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 73A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
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