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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTHG1M35A472J04TH
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHGAV11A2001L0Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHGAV11A2001L0
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NTHL012N065M3Sonsemi SIC MOS TO247-3L 12MOHM 650V M3S
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NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.16 EUR
10+29.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 115A; Idm: 484A; 321W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 484A
Power dissipation: 321W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 283nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
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NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.42 EUR
30+35.9 EUR
60+33.59 EUR
120+32.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+40.14 EUR
100+37.59 EUR
500+34.82 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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NTHL015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+46.65 EUR
10+41.71 EUR
50+30.48 EUR
100+30.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+31.01 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+44.16 EUR
10+28.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+28.56 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.5 EUR
10+38.22 EUR
100+36.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+40.14 EUR
100+37.59 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL016N065M3Sonsemi SIC MOS TO247-3L 16MOHM 650V M3S
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL016N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 16MOHM 650V M3S
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.29 EUR
10+19.15 EUR
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NTHL017N60S5HonsemiMOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.12 EUR
10+20.75 EUR
100+19.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL017N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL017N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 75A; Idm: 431A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 431A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A,10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 400 V
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.86 EUR
10+22.66 EUR
50+18.74 EUR
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NTHL019N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 19MOHM
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.39 EUR
10+26.43 EUR
100+22.85 EUR
450+21.63 EUR
900+20.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N60S5FAptina ImagingPower MOSFET, N-Channel
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+32.57 EUR
25+31.46 EUR
100+29.52 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+48.1 EUR
10+36.89 EUR
50+36.15 EUR
100+35.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 650V TO247
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.08 EUR
10+36.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 73A
Power dissipation: 625W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 328A
Gate charge: 282nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL019N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.84 EUR
30+31.62 EUR
60+31.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+42.51 EUR
25+41.07 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.64 EUR
30+37.35 EUR
60+34.95 EUR
120+33.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 503W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+64 EUR
5+56.45 EUR
10+38.02 EUR
50+36.63 EUR
100+35.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.62 EUR
10+39.13 EUR
100+36.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.79 EUR
30+46.85 EUR
60+44.02 EUR
120+43.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+80.62 EUR
5+74.11 EUR
10+67.71 EUR
50+67.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+38.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1On SemiconductorTO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+41.72 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1onsemiSiC MOSFETs 20MW 1200V
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.62 EUR
10+49.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+57.83 EUR
10+41.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL022N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
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NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL022N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
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NTHL022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL022N120M3S.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL022N120M3S. - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 68A, TO-247
tariffCode: 0
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
Verlustleistung: 352W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
directShipCharge: 25
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6+44.93 EUR
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25+27.44 EUR
60+27.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NTHL023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.62V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3LD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.1 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1782 pF @ 400 V
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NTHL023N065M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
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NTHL023N065M3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 49A; Idm: 218A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 218A
Power dissipation: 131W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...22V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 69nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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NTHL023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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NTHL025N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 323A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 323A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
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NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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NTHL025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
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NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
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24+28.21 EUR
25+27.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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NTHL025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 150 Stücke:
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7+33.44 EUR
10+27.14 EUR
50+27.12 EUR
100+26.58 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
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8+23.36 EUR
10+19.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+28.21 EUR
25+27.26 EUR
100+25.57 EUR
500+23.94 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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NTHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.21 EUR
10+28.85 EUR
50+24 EUR
450+21.4 EUR
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NTHL025N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.46 EUR
270+19.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NTHL027N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.79 EUR
30+25.99 EUR
60+24.81 EUR
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NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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NTHL027N65S3HFonsemiMOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.98 EUR
10+28.49 EUR
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NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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NTHL027N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
30+14.84 EUR
60+13.67 EUR
120+12.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.44 EUR
10+13.45 EUR
120+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.62 EUR
10+13.3 EUR
120+8.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.9 EUR
17+14.24 EUR
18+11.95 EUR
50+11.35 EUR
100+10.77 EUR
250+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.17 EUR
10+11.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
30+14.96 EUR
60+13.82 EUR
120+12.89 EUR
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NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFonsemiMOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24 EUR
10+14.58 EUR
120+13.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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NTHL040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.24 EUR
10+11.65 EUR
120+10.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.86 EUR
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NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
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NTHL040N120M3SOn SemiconductorN-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-3 Транзистори
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NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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50+30.18 EUR
100+29.5 EUR
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NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NTHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
auf Bestellung 354 Stücke:
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NTHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
auf Bestellung 337 Stücke:
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30+20.28 EUR
60+18.83 EUR
120+18.55 EUR
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NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
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