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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXGN320N60A3IXYSIGBTs 320 Amps 600V
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.72 EUR
10+75.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN320N60A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 170A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 735W
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN320N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN320N60A3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.1 EUR
10+76.45 EUR
100+68.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN320N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 320A 735W 4-Pin SOT-227B
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN320N60A3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGN320N60A3 - IGBT-Modul, Einfach, 320 A, 1.46 V, 735 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Dauerkollektorstrom: 320A
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+99.89 EUR
5+85.61 EUR
10+72.45 EUR
50+65.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN320N60A3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXGN320N60A3. - TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: 735W
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 320A
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 320A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+111.86 EUR
5+90.96 EUR
10+72.05 EUR
25+69.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N30A3IXYSDescription: IGBT MOD 300V 400A 735W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N30A3IXYSIGBT Transistors 400 Amps 300V 1.15 V Rds
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60A3IXYSIGBTs 400 Amps 600V
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+155.74 EUR
10+119.11 EUR
100+117.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 400A 830W 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60A3SOT-227B Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 190A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 190A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 830W
Pulsed collector current: 800A
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60A3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 400A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60B3IXYSIGBT Modules Mid-Frequency Range PT IGBTs
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+139.3 EUR
10+118.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60B3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Technology: GenX3™; PT
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1kW
Pulsed collector current: 1.5kA
Gate-emitter voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN400N60B3IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 430A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 430 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 31 nF @ 25 V
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+141.65 EUR
10+109.48 EUR
100+103.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN40N60CD1IXYSDescription: IGBT MODULE 600V SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N120C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 460W
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 240A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N120C3H1IXYSIGBT Modules High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N120C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 95A 460W SOT-227B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 460 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Part Status: Active
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N60BIXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 300W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N60BD2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 250W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN50N60BD3ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXGN50N60BD3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 250W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.1 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60IXYSDescription: IGBT MOD 600V 100A 250W SOT-227B
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4 nF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60IXYSIGBTs ULTRA LOW VCE 600V 100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60
Produktcode: 173038
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60ABB07+;
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2IXYS60A/600V/IGBT/1U
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 480W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 650 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.75 nF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 V Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2D1IXYSSOP8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2D1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 75A 480W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 480 W
Current - Collector Cutoff (Max): 650 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.75 nF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Cies) @ Vce: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2D1IXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2D1IGBT 600V 60A Vce(sat)<=2.5V 35ns miniBLOC=SOT-227B Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN60N60C2D1
Produktcode: 36189
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 160A 360000mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60A3IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 360W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 60A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 360 W
Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60A3IXYSIGBT Transistors 72 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 78A 360W 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 360 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.78 nF @ 25 V
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+66.69 EUR
10+49.34 EUR
100+41.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60C3H1IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.58 EUR
10+48.5 EUR
100+47.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Technology: GenX3™; PT
Collector current: 52A
Power dissipation: 360W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN72N60C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 78A 360W 4-Pin SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN80N60A2IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Power - Max: 625 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 80A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN80N60A2D1IXYSDescription: IGBT MOD 600V 160A 625W SOT227B
Current - Collector Cutoff (Max): 650 µA
Power - Max: 625 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 80A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGN82N120B3H1IXYSIGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
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IXGN82N120B3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.9 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 595 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXGN82N120B3H1Транзистори
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IXGN82N120B3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V
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IXGN82N120C3H1IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 130A; SOT227B; tube
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 130A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGN82N120C3H1
Produktcode: 179639
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXGN82N120C3H1LittelfuseTrans IGBT Module N-CH
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGN82N120C3H1IXYSIGBT Transistors 130Amps 1200V
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IXGN82N120C3H1IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 130A 595W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.9 nF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGP10N60AIXYSDescription: IGBT 600V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
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IXGP12N100IXYSIGBT Transistors 24Amps 1000V
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IXGP12N100IXYSDescription: IGBT 1000V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
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IXGP12N100AIXYSDescription: IGBT 1000V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
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IXGP12N100AIXYSIGBT Transistors 24Amps 1000V
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IXGP12N100AU1IXYSDescription: IGBT 1000V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Switching Energy: 4mJ (off)
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXGP12N100AU1IXYSIGBTs 24Amps 1000V
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IXGP12N120A2IXYSDescription: IGBT 1200V 24A 75W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/680ns
Switching Energy: 5.4mJ (off)
Test Condition: 960V, 12A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
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IXGP12N120A3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBTs
auf Bestellung 290 Stücke:
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1+10.7 EUR
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500+4.24 EUR
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IXGP12N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 22A 100W TO220
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Part Status: Active
Gate Charge: 20.4 nC
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.38 EUR
30+4.99 EUR
120+4.2 EUR
510+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXGP12N60BIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Switching Energy: 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
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IXGP12N60CIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP12N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
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IXGP15N100CIXYSIGBT Transistors 30 Amps 1000V 3.5 Rds
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP15N100CIXYSDescription: IGBT 1000V 30A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP15N120CIGBT 1200V 30A 200W TO220AB Транзистори
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IXGP15N120CIXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP16N60B2IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-220-3
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP16N60B2D1
Produktcode: 122366
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP16N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO220
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP16N60B2D1IXYSIGBTs 16 Amps 600V 2.3 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP16N60C2IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP16N60C2IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP16N60C2D1IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0 V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP16N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N100IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1000V 3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N100IXYSDescription: IGBT PT 1000V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/350ns
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1200V 2.5 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120IXYSDescription: IGBT 1200V 40A 150W TO220
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 63 nC
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.61 EUR
50+9.08 EUR
100+8.35 EUR
500+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGP20N120A3 - IGBT, 40 A, 2.5 V, 180 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.57 EUR
18+13.48 EUR
19+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGP20N120A3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.94 EUR
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IXGP20N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXGP20N120A3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 120A
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IXGP20N120A3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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1+16.34 EUR
10+8.95 EUR
100+8.19 EUR
500+7.83 EUR
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IXGP20N120BIXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 150ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 100A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGP20N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-220-3
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 72 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGP20N120B3IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 80A
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IXGP20N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 36A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/150ns
Switching Energy: 920µJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 16A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.29 EUR
50+8.89 EUR
100+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXGP20N120B3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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IXGP20N120B3Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 37 Stücke:
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12+15.41 EUR
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