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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTH02N450HVLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH02N450HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.72 EUR
30+35.55 EUR
120+33.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH02N450HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH02N450HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH02N450HV. - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.2A, TO-247HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 625ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.91 EUR
10+43.83 EUR
25+39.71 EUR
100+35.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH04N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV .4A N-CH POLAR
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.58 EUR
10+37.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH04N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH102N15TIXYSMOSFETs TO247 150V 102A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH102N20TIXYSMOSFETs 102 Amps 200V 22 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH102N25TIXYSMOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2IXYSMOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.04 EUR
10+29.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+30.45 EUR
10+28.54 EUR
25+18.93 EUR
100+17.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 200nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+31.13 EUR
10+29.63 EUR
25+19.99 EUR
100+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.49 EUR
30+23.49 EUR
120+22.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.35 EUR
10+33.74 EUR
50+31.17 EUR
100+28.57 EUR
250+26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50PTO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+17.06 EUR
25+14.18 EUR
30+13.68 EUR
120+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.17 EUR
10+10.45 EUR
120+9.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.98 EUR
30+10.19 EUR
120+8.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.94 EUR
25+16.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.4 EUR
12+14.7 EUR
25+14.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.44 EUR
8+30.19 EUR
10+24.48 EUR
50+21.12 EUR
100+19.68 EUR
250+18.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60IXYSMOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.69 EUR
10+14.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.4 EUR
25+19.17 EUR
50+18 EUR
100+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.6 EUR
10+22.31 EUR
25+20.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60IXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.72 EUR
30+15.59 EUR
120+13.38 EUR
510+12.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH10P60.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10P60. - DISC MOSFET P CHANNEL-STD TO-247AD TUBE 03AH1454
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.94 EUR
11+19.6 EUR
25+17.2 EUR
100+16.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N10L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 230ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.88 EUR
30+22.57 EUR
120+20.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N10L2IXYSMOSFETs L2 Linear Power MOSFET
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.46 EUR
10+33.13 EUR
120+28.94 EUR
510+28.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N10L2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH110N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+41.65 EUR
10+36.31 EUR
25+34.16 EUR
100+32.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.44 EUR
25+11.73 EUR
50+11.04 EUR
100+10.42 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25TIXYSMOSFETs 110 Amps 250V
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.49 EUR
10+13.97 EUR
120+12.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 157nC
Reverse recovery time: 170ns
On-state resistance: 26mΩ
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 694W
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.98 EUR
11+16.06 EUR
25+14.63 EUR
100+13.39 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.24 EUR
30+15.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH110N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.98 EUR
11+16.42 EUR
25+15.2 EUR
100+14.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50IXYSMOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.63 EUR
10+20.19 EUR
120+17.34 EUR
510+15.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+12.85 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Gate charge: 145nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -500V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Reverse recovery time: 0.5µs
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.43 EUR
7+13.49 EUR
10+12.1 EUR
30+11.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50TO-247AD Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50Ixys CorporationTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.65 EUR
10+19.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.03 EUR
30+15.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+12.84 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120N20X4IXYSDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.55 EUR
30+10.46 EUR
120+10.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120N20X4IXYSMOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.61 EUR
10+14.22 EUR
120+12.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+17.6 EUR
14+12.94 EUR
30+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.84 EUR
30+11.76 EUR
120+9.98 EUR
510+8.68 EUR
1020+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.83 EUR
10+11.54 EUR
120+10.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+17.01 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
Technology: TrenchP™
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.42 EUR
11+8.5 EUR
30+7.72 EUR
60+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH120P065T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH120P065T. - MOSFET, P-CH, 65V, 120A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.81 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100IXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100LIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.34 EUR
10+34.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.82 EUR
30+28.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100QIXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N120
Produktcode: 62244
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N120Транзистори
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+39.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N120IXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.300 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N140Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150IXYSMOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 610-614 Tag (e)
1+30.83 EUR
10+28.08 EUR
30+27.5 EUR
120+22.91 EUR
270+22.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.82 EUR
30+16.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150MOSFET 1500В 12А TO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.82 EUR
30+17.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 270ns
Gate charge: 17.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
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IXTH12N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
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IXTH12N70X2IXYSMOSFETs TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
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IXTH12N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IXTH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IXTH12N90IXYSMOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTH130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
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IXTH130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTH130N15TIXYSMOSFETs 130 Amps 150V 12 Rds
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