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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.46 EUR
30+20.28 EUR
60+18.83 EUR
120+18.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+23.29 EUR
100+22.02 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.23 EUR
11+20.11 EUR
50+18.1 EUR
100+17.73 EUR
250+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFonsemiMOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.57 EUR
10+21.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+23.29 EUR
100+22.02 EUR
500+20.63 EUR
1000+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 76500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+12.67 EUR
100+11.98 EUR
500+11.23 EUR
1000+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5H
Produktcode: 205327
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.02 EUR
15+16.24 EUR
17+12.83 EUR
50+12.4 EUR
100+11.97 EUR
250+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 57 A, 41 mohm, TO-247
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.74 EUR
10+13.57 EUR
30+12.59 EUR
120+11.13 EUR
270+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 28350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+12.67 EUR
100+11.98 EUR
500+11.23 EUR
1000+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HonsemiDescription: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.73 EUR
30+12.45 EUR
60+11.46 EUR
120+10.63 EUR
510+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.15 EUR
17+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 200A
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.73 EUR
10+18.72 EUR
50+15.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.77 EUR
13+13.44 EUR
30+12.8 EUR
60+12.19 EUR
120+11.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 291W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.83 EUR
10+24.5 EUR
11+19.66 EUR
50+16.36 EUR
100+15.55 EUR
250+14.27 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.93 EUR
30+13.59 EUR
60+13.16 EUR
120+12.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.13 EUR
10+15.05 EUR
120+14.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 33A; Idm: 143A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 33A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 143A
Gate charge: 74nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.49 EUR
14+17.08 EUR
15+14.83 EUR
50+13.9 EUR
100+12.96 EUR
250+12.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 40800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.78 EUR
10+11.57 EUR
120+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.91 EUR
30+13.11 EUR
60+12.07 EUR
120+11.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+12.96 EUR
100+12.26 EUR
500+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
auf Bestellung 3405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.74 EUR
30+15.6 EUR
60+14.4 EUR
120+13.39 EUR
510+12.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+15.98 EUR
100+15.11 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 87nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 221W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.67 EUR
11+21.35 EUR
14+15.7 EUR
50+15.26 EUR
100+14.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL061N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4156 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.17 EUR
10+13.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
auf Bestellung 3150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.06 EUR
30+14.57 EUR
60+13.44 EUR
120+12.48 EUR
510+12.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.01 EUR
30+13.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.99 EUR
15+14.61 EUR
50+14.22 EUR
100+13.82 EUR
250+13.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.98 EUR
10+14.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 266W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.17 EUR
14+17.1 EUR
18+12.55 EUR
50+11.41 EUR
100+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 20250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+11.2 EUR
100+10.59 EUR
500+9.91 EUR
1000+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.58 EUR
10+10.75 EUR
120+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.54 EUR
30+11.63 EUR
60+10.67 EUR
120+9.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.07 EUR
19+9.2 EUR
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.3 EUR
30+10.13 EUR
120+8.54 EUR
510+7.39 EUR
1020+7.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL070N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.53 EUR
30+9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.26 EUR
10+9.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.48 EUR
18+9.54 EUR
30+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1Aptina ImagingSilicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 120A
On-state resistance: 68mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.9 EUR
10+10.53 EUR
120+9.72 EUR
510+9.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1Aptina ImagingSilicon Carbide (SiC) MOSFET
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.29 EUR
30+11.42 EUR
120+9.69 EUR
510+8.43 EUR
1020+8.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+15.57 EUR
100+14.72 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1ON SemiconductorMOSFET SIC MOS 80MW 1200V
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+15.57 EUR
100+14.72 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 78742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.78 EUR
30+13.27 EUR
120+12.95 EUR
510+12.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 178W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.74 EUR
11+22.16 EUR
14+15.42 EUR
50+14.18 EUR
100+13.9 EUR
250+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL082N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL082N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.49 EUR
13+18.93 EUR
16+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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NTHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
auf Bestellung 3926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.05 EUR
10+14.63 EUR
50+11.88 EUR
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NTHL082N65S3F
Produktcode: 209479
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Transistoren > MOSFET N-CH
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NTHL082N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
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1+21.34 EUR
10+13.83 EUR
120+12 EUR
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NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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61+10.76 EUR
100+10.07 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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NTHL082N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.74 EUR
30+11.14 EUR
60+10.23 EUR
120+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTHL082N65S3HF
Produktcode: 182440
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NTHL082N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-247
auf Bestellung 1263 Stücke:
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1+18.43 EUR
10+10.14 EUR
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NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL082N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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NTHL082N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL082N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.72 EUR
12+19.59 EUR
15+14.97 EUR
50+14.14 EUR
100+13.3 EUR
250+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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NTHL095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.65 EUR
16+15.17 EUR
20+11.19 EUR
50+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
auf Bestellung 47914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.54 EUR
30+9.09 EUR
120+7.68 EUR
510+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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