Produkte > NTH

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTHL027N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
auf Bestellung 1394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.66 EUR
30+26.55 EUR
60+25.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HFonsemiMOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.76 EUR
10+26.93 EUR
120+25.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.47 EUR
10+14.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.42 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
30+14.84 EUR
60+13.67 EUR
120+12.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+11.48 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.62 EUR
10+13.3 EUR
120+8.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.17 EUR
10+11.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 51 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.9 EUR
17+14.24 EUR
18+11.95 EUR
50+11.35 EUR
100+10.77 EUR
250+10.47 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFonsemiMOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24 EUR
10+14.58 EUR
120+13.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL033N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
30+14.96 EUR
60+13.82 EUR
120+12.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.44 EUR
10+15.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SOn SemiconductorN-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.86 EUR
14+12.77 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
auf Bestellung 23675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.6 EUR
30+12.88 EUR
60+11.84 EUR
120+10.96 EUR
510+9.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SONN
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
auf Bestellung 9530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.94 EUR
30+27.19 EUR
120+23.75 EUR
510+23.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.09 EUR
10+29.45 EUR
30+20.8 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.9 EUR
10+26.01 EUR
120+23.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.01 EUR
7+34.49 EUR
10+27.63 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.53 EUR
10+20.69 EUR
120+19.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.18 EUR
30+20.72 EUR
60+19.23 EUR
120+18.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+23.29 EUR
100+22.02 EUR
500+20.63 EUR
1000+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.12 EUR
10+23.62 EUR
50+19.56 EUR
450+18.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.23 EUR
11+20.11 EUR
50+18.1 EUR
100+17.73 EUR
250+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+23.29 EUR
100+22.02 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL040N65S3HFonsemiMOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.57 EUR
10+21.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.15 EUR
17+10.25 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.02 EUR
15+16.24 EUR
17+12.83 EUR
50+12.4 EUR
100+11.97 EUR
250+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 76500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+12.67 EUR
100+11.98 EUR
500+11.23 EUR
1000+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 57 A, 41 mohm, TO-247
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.74 EUR
10+13.57 EUR
30+12.59 EUR
120+11.13 EUR
270+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.15 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5H
Produktcode: 205327
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 28350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+12.67 EUR
100+11.98 EUR
500+11.23 EUR
1000+10.38 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL041N60S5HonsemiDescription: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.69 EUR
30+12.4 EUR
60+11.41 EUR
120+10.58 EUR
510+10.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.93 EUR
30+13.59 EUR
60+13.16 EUR
120+12.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.17 EUR
10+15.24 EUR
120+12.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.23 EUR
10+16.96 EUR
450+12.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.03 EUR
9+26.8 EUR
11+21.16 EUR
50+20.19 EUR
100+19.23 EUR
250+18.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+16.77 EUR
13+13.44 EUR
30+12.8 EUR
60+12.19 EUR
120+11.69 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.32 EUR
30+18.73 EUR
120+16.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 650V 50MOHM
auf Bestellung 1907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.27 EUR
10+17.95 EUR
120+16.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.49 EUR
14+17.08 EUR
15+14.83 EUR
50+13.9 EUR
100+12.96 EUR
250+12.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+12.96 EUR
100+12.26 EUR
500+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.78 EUR
10+12.38 EUR
120+10.7 EUR
510+10.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.43 EUR
30+13.42 EUR
120+11.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 33A; Idm: 143A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 33A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 88W
Gate charge: 74nC
Technology: SiC
On-state resistance: 49mΩ
Pulsed drain current: 143A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 40800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
auf Bestellung 4365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.29 EUR
30+15.93 EUR
60+14.71 EUR
120+13.67 EUR
510+12.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 87nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+15.98 EUR
100+15.11 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 221W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.67 EUR
11+21.35 EUR
14+15.7 EUR
50+15.26 EUR
100+14.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM 900V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20 EUR
10+15.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL061N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4156 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FONN
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.95 EUR
30+14.49 EUR
120+12.42 EUR
510+11.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.38 EUR
10+19.33 EUR
120+16.1 EUR
510+14.35 EUR
1020+13.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.01 EUR
30+13.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.74 EUR
10+15.04 EUR
120+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.99 EUR
15+14.61 EUR
50+14.22 EUR
100+13.82 EUR
250+13.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL065N65S3HFON Semiconductor
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.57 EUR
19+12.78 EUR
20+11.09 EUR
50+10.88 EUR
100+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HON Semiconductor
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.71 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22  [ Nächste Seite >> ]