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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
DI100N04D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 40V 100A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
10+1.99 EUR
100+1.35 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.66 EUR
10+2.08 EUR
100+1.25 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.16 EUR
2000+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+2.16 EUR
100+1.3 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.1 EUR
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: DI100N04PT-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PT-AQDiotec Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
auf Bestellung 4792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.92 EUR
10+2.52 EUR
100+1.72 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDiotec SemiconductorDI100N10PQ
auf Bestellung 4536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.07 EUR
100+1.47 EUR
250+1.26 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
auf Bestellung 3216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.59 EUR
10+2.34 EUR
100+1.61 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.05 EUR
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DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.61 EUR
10+4.42 EUR
100+2.66 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.32 EUR
5000+1.76 EUR
10000+1.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.05 EUR
10+2.76 EUR
100+1.98 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.52 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100SPANJIT09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100SPANJIT
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1010SPANJIT08+ TQFP68
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1010S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1010_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1010_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
56+0.32 EUR
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI101S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI101S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI101_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI102S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI102S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI102_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI104-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Produktcode: 81588
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BoplaGehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Verdichter
Reihe, Typ, Gruppe: Корпусні елемети
Farbe: rot
Abmessungen, LхBхH: 109x45mm
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.25 EUR
10+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI104S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI104S_R2_00001PanJitDI104S_R2_00001
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.17 EUR
878+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI104S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI104S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI104_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
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DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.53 EUR
100+0.97 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
5000+0.6 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
15+1.23 EUR
100+0.96 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.66 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106S R2 00001PanjitBridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
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DI106S_R2_00001PanJitDI106S_R2_00001
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+0.25 EUR
800+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 562
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DI106S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
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DI106_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
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DI108 _T0 _10001PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
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DI108S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
Produkt ist nicht verfügbar
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DI108S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
Produkt ist nicht verfügbar
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DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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DI108S_R2_00001PanJitDI108S_R2_00001
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.54 EUR
506+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 426
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DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
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DI108S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
auf Bestellung 2841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
1500+0.22 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DI108S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
Produkt ist nicht verfügbar
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DI108S_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.93 EUR
50+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
Produkt ist nicht verfügbar
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DI110N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.29 EUR
10+2.57 EUR
100+1.55 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.31 EUR
5000+0.84 EUR
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DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.31 EUR
100+0.91 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
10000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
12+1.54 EUR
100+1.03 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.66 EUR
10+3.03 EUR
100+2.09 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N06D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N06D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N06D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.31 EUR
10+3.4 EUR
100+2.04 EUR
800+1.34 EUR
2400+1.26 EUR
4800+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N06D2Diotec SemiconductorDescription: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.26 EUR
10+2.75 EUR
100+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N06D2-AQDiotec SemiconductorMOSFETs D2PAK, N, 60V, 110A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N06D2-AQDiotec SemiconductorDescription: DI110N06D2-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N15PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1250+10.61 EUR
2500+8.32 EUR
5000+5.67 EUR
10000+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI114N06PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI114N06PQDiotec SemiconductorDI114N06PQ
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.12 EUR
100+1.85 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI115N06PQDiotec SemiconductorDescription: DI115N06PQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI120N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: DI120N04PQ-AQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI120N04PQ-AQDiotec Semiconductor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI120N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI120SIC026D7DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 117A; Idm: 297A; 535W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 297A
Power dissipation: 535W
Case: TO263-7
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI13001Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI13001Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
46+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI145N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.4 EUR
10+2.87 EUR
100+1.99 EUR
500+1.64 EUR
5000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.4 EUR
10+2.85 EUR
100+1.97 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150S-R2-00001PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI150_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1510-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1510S
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1510S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1510S_R2_00001PanJitDI1510S_R2_00001
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
369+0.43 EUR
629+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 369
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1510S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1510S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1510_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1510_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI151S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI151S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI151_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI152S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI152S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI152_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI154SPANJIT09+ sop
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI154S-LPANJIT0829+
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI154S-LPANJIT08+ SOP
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI154S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.04 EUR
10+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
1500+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI154S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI154_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI15530-9HARRISDIP
auf Bestellung 106 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI156PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI156S-AU_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI156S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI156S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI156S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI156_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
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DI158S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
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DI158S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
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DI158S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI158S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI158_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
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DI170N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
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DI170N03PQDiotec Semiconductor
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DI1A5N60D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DI1A5N60D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET DPAK N 600V 1.5A 8OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
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