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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DI100N04D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 73A; Idm: 450A; 69W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 73A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 5mΩ
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.11 EUR
81+1.06 EUR
100+0.98 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.68 EUR
57+4.08 EUR
100+2.14 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.55 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04D1-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 4000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.14 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+2.59 EUR
100+1.56 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.32 EUR
5000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 400A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PT-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70.7A; Idm: 400A; 46.1W; QFN3X3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70.7A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 46.1W
Case: QFN3X3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PT-AQDiotec SemiconductorMOSFETs PowerQFN 3x3, N, 40V, 100A, 2m?, 175C, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N04PT-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8-POWERVDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDiotec SemiconductorDI100N10PQ
auf Bestellung 4536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.52 EUR
100+1.83 EUR
250+1.59 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: QFN5x6
On-state resistance: 6.6mΩ
auf Bestellung 4164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.09 EUR
42+2.06 EUR
100+1.43 EUR
250+1.26 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
103+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
auf Bestellung 4069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
10+3.15 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
auf Bestellung 2508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.36 EUR
5000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDIOTECDescription: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
71+3.27 EUR
103+2.08 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.15 EUR
10+3.99 EUR
100+2.76 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A 8-POWERTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+4.71 EUR
100+2.83 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.73 EUR
2500+2.39 EUR
5000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100SPANJIT09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI100_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI101PANJIT1.0A, 100V, DIP-4 Діодні мости малопотужні
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1010SPANJIT08+ TQFP68
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1010S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
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DI1010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI1010S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: glass passivated
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DI1010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI1010S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.51 EUR
241+0.36 EUR
300+0.29 EUR
336+0.25 EUR
397+0.21 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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DI1010_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI1010_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
56+0.38 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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DI101N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 240A; 130W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9mΩ
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 130W
Pulsed drain current: 240A
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DI101S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
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DI101S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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DI101S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI101_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
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DI102S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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DI102S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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DI102S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI102_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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DI104PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 400, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+125, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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DI104-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
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DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Produktcode: 81588
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BoplaGehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Dichtung 109x45mm
Art, Typ, Gruppe: Gehäuseelemente
Farbe: Rot
Länge, mm: 109x45 mm
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.3 EUR
10+0.23 EUR
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DI104S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE
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DI104S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI104S_R2_00001PanJitDI104S_R2_00001
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
834+0.21 EUR
878+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 834 Stücke
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DI104S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
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DI104S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
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DI104_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
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DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
15+1.46 EUR
100+1.14 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.64 EUR
100+1.14 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
88+2.64 EUR
147+1.46 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI105N04PQ-AQDIOTECDescription: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
147+1.46 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DI106PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 600, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
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DI106S (DF06S)PANJITДиодный мост (V=600В, I=1.0А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +125C), корпус SMD Діодні мости малопотужні
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DI106S R2 00001PanjitBridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106S_R2_00001PanJitDI106S_R2_00001
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
562+0.31 EUR
800+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; 30A; SDIP 4L; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
160+0.54 EUR
388+0.21 EUR
500+0.19 EUR
1500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: glass passivated
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI106_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108 _T0 _10001PanJitДіодний міст вивідний, Uзвор, В = 800, Ir = 5 мкА, If, A = 1, Uf, В = 1,1, Тексп, °С = -55...+150, Тип мосту = однофазний,... Діоди Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 1500 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
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DI108S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SDIP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.69 EUR
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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DI108S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: glass passivated
auf Bestellung 7663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.51 EUR
271+0.31 EUR
439+0.19 EUR
589+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SDIP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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DI108S_R2_00001PanJitDiode Rectifier Bridge Single 800V 1A 4-Pin SPDIP SMD T/R
auf Bestellung 7863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
546+0.32 EUR
729+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 546 Stücke
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DI108S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI108S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.48 EUR
256+0.33 EUR
308+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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DI108S_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-SDIP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Packaging: Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
50+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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DI108_T0_00001Panjit International Inc.Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Supplier Device Package: 4-DIP
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
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DI108_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
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DI108_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; 30A; DIP; THT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 30A
Case: DIP
Electrical mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
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DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
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DI110N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
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DI110N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 35W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
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DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 110A 8-POWERTDFN
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DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
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DI110N03PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 35W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
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DI110N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
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DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
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