Produkte > DI1

Diotec Semiconductor MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04D1

DI100N04D1-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04D1-AQ

DI100N04D1-AQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04D1-AQ

MOSFET, DPAK, 40V, 100A, N, 69W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04D1-AQ

Description: DIOTEC - DI100N04D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04D1-AQ

Description: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 2496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.64 EUR
10+	2.16 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04D1-AQ

MOSFET MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.10 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR
2000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101

auf Bestellung 4915 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.29 EUR
2500+	1.14 EUR
5000+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N04PQ-AQ

DI100N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N

auf Bestellung 3346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.36 EUR
10+	2.29 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.18 EUR
5000+	1.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD

auf Bestellung 4536 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	2.14 EUR
43+	1.67 EUR
66+	1.09 EUR
70+	1.03 EUR
500+	1.00 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 34

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ

auf Bestellung 4536 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

34+	2.14 EUR
43+	1.67 EUR
66+	1.09 EUR
70+	1.03 EUR
500+	1.00 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 34

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

auf Bestellung 4792 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.92 EUR
10+	2.52 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.26 EUR
2000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ

Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ-AQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101

auf Bestellung 4935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
10+	2.69 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.05 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.52 EUR
2000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ-AQ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100N10PQ-Q

DC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade 1)Suffix -Q: AEC-Q101 complian

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100S

09+

auf Bestellung 9018 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100S

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI100S_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI100S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010S

08+ TQFP68

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010S-R2-00001

Bridge Rectifiers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010ST/P

Диодный мост SDIP-4 U=1000V I=1A

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	0.53 EUR
10+	0.49 EUR
100+	0.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010S_R2_00001

DI1010S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010S_T0_00001

Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward voltage: 1.1V

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 158

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010S_T0_00001

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

158+	0.46 EUR
332+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 158

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1010_T0_00001

Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.70 EUR
56+	0.32 EUR
100+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI101S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI101S_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI101S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI102S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI102S_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI102S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI102_T0_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI102/TP//HF/0.05K/DIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10H/DI10-QI27/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI103A

IFM ELECTRONIC

DI103A Measurement Sensors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI104-T0-00001

Bridge Rectifiers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Produktcode: 81588

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Bopla

Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Verdichter
Reihe, Typ, Gruppe: Корпусні елемети
Farbe: rot
Abmessungen, LхBхH: 109x45mm

auf Bestellung 20 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.25 EUR
10+	0.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI104S-R2-00001

Bridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI104S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI104S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI104_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI105N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI105N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI105N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI105N04PQ-AQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 56W Automotive

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI105N04PQ-AQ

DI105N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI105N04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

auf Bestellung 4429 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.32 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI105N04PQ-AQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI106

PanJit

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	3.03 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI106S R2 00001

Bridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI106S-R2-00001

Bridge Rectifiers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI106S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI106S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI106_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.52 EUR
100+	0.36 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.20 EUR
2500+	0.18 EUR
5000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI106_T0_00001

DI106-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

auf Bestellung 685 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

162+	0.44 EUR
550+	0.13 EUR
582+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 162

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108 _T0 _10001

PanJit

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	0.39 EUR
18+	0.33 EUR
100+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108-T0-00001

Bridge Rectifiers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S-R2-00001

Bridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S-T0-00001

Bridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S_R2_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S_R2_00001

DI108S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

auf Bestellung 8997 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

129+	0.56 EUR
538+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 129

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP

auf Bestellung 3105 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.77 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.27 EUR
1500+	0.22 EUR
9000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S_R2_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

auf Bestellung 449 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.04 EUR
28+	0.64 EUR
100+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S_T0_00001

Description: BRIDGE RECT 1P 800V 1A 4-SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.04 EUR
50+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S_T0_00001

DI108S-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

auf Bestellung 327 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

152+	0.47 EUR
327+	0.21 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI108_T0_00001

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A 4-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 17

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N03PQ

DI110N03PQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N03PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N

auf Bestellung 4830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.29 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.48 EUR
2500+	1.31 EUR
5000+	0.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N03PQ-AQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N03PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N03PQ-AQ

DI110N03PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 42W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ

DI110N04PQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ-AQ

DI110N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4787 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
14+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ-AQ

Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ-AQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.31 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
5000+	0.58 EUR
10000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ-AQ

N-Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N04PQ-AQ

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D1

MOSFET MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D1

Diotec Semiconductor AG

Description: MOSFET, DPAK, N, 65V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D1-AQ

N-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D2

MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 0.0032

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D2

Diotec Semiconductor AG

Description: MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 480A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D2

MOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.08 EUR
10+	2.80 EUR
100+	2.01 EUR
800+	1.50 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D2-AQ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N06D2-AQ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N15PQ

DI110N15PQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N15PQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N15PQ

MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 0, 56W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N15PQ

Description: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1250+	10.61 EUR
2500+	8.32 EUR
5000+	5.67 EUR
10000+	5.65 EUR

Mindestbestellmenge: 1250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N15PQ-AQ

DI110N15PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N15PQ-AQ

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N15PQ-AQ

Description: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI110N15PQ-Q

DI110N15PQ-Q-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI114N06PQ

DI114N06PQ

auf Bestellung 4994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.19 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI114N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 4994 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

37+	1.97 EUR
41+	1.77 EUR
53+	1.36 EUR
56+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI114N06PQ

auf Bestellung 4994 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	1.97 EUR
41+	1.77 EUR
53+	1.36 EUR
56+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI114N06PQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI115N06PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 480A; 78.9W; QFN5x6
Mounting: SMD
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 72.5A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI115N06PQ

Description: DI115N06PQ
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI115N06PQ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI13001

Description: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
46+	0.39 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 28

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI13001

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI13001

Description: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI13001

Trans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI13001

Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN

auf Bestellung 10488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.35 EUR
100+	0.22 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI13001

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI135N06PQ

DI135N06PQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI145N04PQ-AQ

Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N03PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N03PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N03PQ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N04PQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.45mΩ
Power dissipation: 125W
Gate charge: 61nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N04PQ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N04PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 5000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N04PQ

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N

auf Bestellung 4985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.57 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.43 EUR
5000+	1.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150N04PQ

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.66 EUR
10+	2.50 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.47 EUR
2000+	1.40 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150S-R2-00001

Array

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI150_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1510-T0-00001

Bridge Rectifiers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1510S

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1510S-R2-00001

Bridge Rectifiers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1510S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1510S_R2_00001

DI1510S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1510S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1510_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1510_T0_00001

Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V

auf Bestellung 151 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
50+	0.55 EUR
100+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI151S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI151S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI151_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI152S_R2_00001

Bridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI152S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI152_T0_00001

DI152-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI152_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI154S

09+ sop

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI154S-L

08+ SOP

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI154S-L

0829+

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI154S_R2_00001

Bridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier

auf Bestellung 970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.69 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.40 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR
1500+	0.23 EUR
9000+	0.20 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI154S_R2_00001

DI154S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI154S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI154_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI15530-9

HARRIS

DIP

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI156

PanJit

Діодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	2.02 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI156S-AU_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI156S-R2-00001

Bridge Rectifiers RECT

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI156S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI156S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI156_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI158S-R2-00001

Bridge Rectifiers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI158S-T0-00001

Bridge Rectifiers

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI158S_R2_00001

DI158S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI158S_R2_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI158S_T0_00001

Bridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI158_T0_00001

Bridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI170N03PQ

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1A0N60D1-AQ

DI1A0N60D1-AQ-DIO SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1A5N60D1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

129+	0.56 EUR
200+	0.36 EUR
279+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 129

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1A5N60D1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	0.56 EUR
200+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 129

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DI1A5N60D1