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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
FDT-08-PED-CI3MDescription: MOUNTING BRACKET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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FDT-25OMEGADescription: OMEGA - FDT-25 - KIT DIGIT. ULTRASCHALL-DURCHFLUSSMESSER
tariffCode: 90261021
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Durchflussmesser, Messwandler & Kabel, Kette/Klemme/Maßband/RS232-Kabel, Netzadapter/Ladegerät, Akustik-Gel
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT-40-PC-CABLEOMEGADescription: OMEGA - FDT-40-PC-CABLE - Messzubehör, USB-PC-Programmierkabel
Art des Zubehörs: USB-PC-Programmierkabel
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Durchflussmesser der Produktreihe FDT-40 von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDT-40-RTD1OMEGADescription: OMEGA - FDT-40-RTD1 - Messzubehör, RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Art des Zubehörs: RTD-Kit, Anklemmen, 130C, 1000 Ohm, 6.1m
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDT-40E-VDC-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-40E-VDC-HT - Anzeige, Energiedurchflussmesser, 10 bis 28V DC, -40°C bis 176°C, Produktreihe FDT-40E
Anschlussgröße: -
DC-Versorgungsspannung, min.: 10
Genauigkeit %: 1
Druck, max.: -
Durchflussrate: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 28
Durchflussrate, max.: -
Produktpalette: FDT-40E Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDT-45-ANSI-HTOMEGADescription: OMEGA - FDT-45-ANSI-HT - Messzubehör, Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, 1.5" ANSI-Rohr
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDT-47-100FTOMEGADescription: OMEGA - FDT-47-100FT - Messzubehör, Kabel, 30.48m, Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Art des Zubehörs: Durchflussmesser, Remote, Rohre mit 50.8mm bis 609.6mm
Zur Verwendung mit: Ultraschall-Energiedurchflussmesser der Produktreihe FDT-40E von OMEGA
Produktpalette: FDT-40 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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FDT-70A-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+80.37 EUR
FDT-70B-903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.7NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+80.37 EUR
FDT02106QFP-ESEPSON0317+
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT09SG2M-K1019FCT GroupFCT Dual Port 09 Receptacle / 09 Receptacle With Hood
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FDT1-052KTE CONNECTIVITYDescription: TE CONNECTIVITY - FDT1-052K - Piezoelektrischer Foliensensor, Vibration, Baureihe FDT, flexible Anschlussdrähte, 0.74nF
tariffCode: 90318080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Empfindlichkeit: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sensormontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: FDT Series
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
auf Bestellung 25502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.69 EUR
8000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT1600N10ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
114+ 0.63 EUR
129+ 0.56 EUR
146+ 0.49 EUR
155+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FDT1600N10ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
114+ 0.63 EUR
129+ 0.56 EUR
146+ 0.49 EUR
155+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 49
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.07 EUR
147+ 1.02 EUR
193+ 0.75 EUR
250+ 0.72 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 146
FDT1600N10ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
auf Bestellung 25502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT1600N10ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
auf Bestellung 10590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.82 EUR
17+ 1.58 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.78 EUR
2000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDT1600N10ALZonsemi / FairchildMOSFET 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
auf Bestellung 26174 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.84 EUR
33+ 1.59 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.79 EUR
2000+ 0.7 EUR
4000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 29
FDT1600N10ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.29 EUR
138+ 1.1 EUR
180+ 0.81 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.47 EUR
2500+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 121
FDT21624076BREckoDescription: 8" STANDARD DUCT, 25'L W/STRAP
Packaging: Box
Type: Standard Duct
Part Status: Active
Weight (Pounds): 16
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+696.75 EUR
FDT2363506NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/4" WIDTH
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
auf Bestellung 39473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.66 EUR
19+ 1.44 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.71 EUR
2000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDT3612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 3W; SOT223
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
8000+ 0.38 EUR
12000+ 0.35 EUR
28000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT3612onsemi / FairchildMOSFET 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 48273 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
32+1.67 EUR
36+ 1.45 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.72 EUR
2000+ 0.64 EUR
4000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.03 EUR
173+ 0.87 EUR
175+ 0.83 EUR
217+ 0.64 EUR
250+ 0.59 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.38 EUR
3000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 152
FDT3612onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.63 EUR
8000+ 0.6 EUR
12000+ 0.56 EUR
28000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT3612Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 3,7 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 632 @ 50; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 120 мОм @ 3,7 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.31 EUR
10+ 1.99 EUR
100+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT3612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+0.9 EUR
217+ 0.7 EUR
250+ 0.64 EUR
500+ 0.53 EUR
1000+ 0.41 EUR
3000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 175
FDT3612-SB82273onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3612-SB82273onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3612-SN00151onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3612-SN00151onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3612/3612FAIR
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT3612_NLFAIRCHIL09+ TO-220
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT3612_SN00151onsemionsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3622FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT3622FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT3N40onsemionsemi UF 400V 3.4OHM SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT3N40TFonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Chan UniFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFONSEMIDescription: ONSEMI - FDT3N40TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDT3N40TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434Ponsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1187 @ 10; Qg, нКл = 19 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 6 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+0.57 EUR
13+ 0.49 EUR
100+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDT434PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1187 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434P/434FAIRCHILD
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT434P_F081onsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434P_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V, 80MOHM P-CH MOSFET SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434P_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH -20V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT434P_Tonsemi / Fairchildonsemi
Produkt ist nicht verfügbar
FDT4395310NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 3/8" WIDTH
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.86 EUR
8000+ 0.82 EUR
12000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT439Nonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
auf Bestellung 39265 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDT439NON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT439N TFDT439N
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDT439NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT439N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.038 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT439NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
auf Bestellung 16014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.08 EUR
16+ 1.71 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.92 EUR
2000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDT439NONSEMIFDT439N SMD N channel transistors
auf Bestellung 1607 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
112+ 0.64 EUR
117+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 43
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT439NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.95 EUR
8000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 26373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT457NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT457NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDT457NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
auf Bestellung 15499 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.31 EUR
14+ 1.88 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.01 EUR
2000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDT457NONSEMIDescription: ONSEMI - FDT457N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -888
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 26373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT458Ponsemi / FairchildMOSFET 30V P-Ch PowerTrench
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 995-1009 Tag (e)
29+1.84 EUR
32+ 1.64 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.8 EUR
2000+ 0.72 EUR
4000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 29
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT458PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 3W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 210mΩ
Gate charge: 3.5nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 3964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+0.6 EUR
132+ 0.54 EUR
179+ 0.4 EUR
193+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 120
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT458PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; 3W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 210mΩ
Gate charge: 3.5nC
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 3964 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
132+ 0.54 EUR
179+ 0.4 EUR
193+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 120
FDT458PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT458PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
auf Bestellung 6098 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.82 EUR
17+ 1.59 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.78 EUR
2000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 15
FDT459FSC09+
auf Bestellung 138018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT459NFAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT459NFairchild SemiconductorDescription: 6.5A, 30V, 0.035OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V
auf Bestellung 9323 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
634+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 634
FDT459NON Semiconductor / FairchildMOSFET SOT-223 N-CH 30V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
FDT461NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 25 V
auf Bestellung 47000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
606+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 606
FDT461NFAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT461NFAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.12 EUR
11+ 2.55 EUR
100+ 1.99 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.37 EUR
2000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 9
FDT4N50NZUonsemiMOSFET UNIFET II, 3OHM, SOT223
auf Bestellung 7164 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.15 EUR
21+ 2.59 EUR
100+ 2 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.38 EUR
2000+ 1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 17
FDT4N50NZUONSEMIDescription: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 2.42 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.42ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT4N50NZUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2A Reel
Produkt ist nicht verfügbar
FDT4N50NZUonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT5060FAIRCHILDSOT-223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT5060FAIRCHILD07+ SOT-223
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT5312712NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1/2" WIDTH
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT55AN06LA0onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
FDT55AN06LA0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT55AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
Produkt ist nicht verfügbar
FDT6315812NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 5/8" WIDTH
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT7024L35PFI
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT71B74-S10Y
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT74FCT240ATSOFDT
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FDT8325415NFMTFechometal USADescription: 304 SSEAR-LOKT BUCKLE 1" WIDTH -
Packaging: Box
Color: Silver
Size / Dimension: 2.264" L x 1.476" W (57.50mm x 37.50mm)
Type: Buckle
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.42 EUR
51+ 2.97 EUR
52+ 2.81 EUR
100+ 2.18 EUR
250+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.42 EUR
51+ 2.97 EUR
52+ 2.81 EUR
100+ 2.18 EUR
250+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
FDT86102LZON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
auf Bestellung 3215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.1 EUR
10+ 4.22 EUR
100+ 3.36 EUR
500+ 2.84 EUR
1000+ 2.41 EUR
2000+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
FDT86102LZonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4029 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.1 EUR
13+ 4.24 EUR
100+ 3.35 EUR
250+ 3.12 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.42 EUR
2500+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 11
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 46mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86102LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 46mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86102LZ.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86102LZ. - FET 100V 28.0 MOHM SOT223 / REEL 08AK6006
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+1.35 EUR
8000+ 1.29 EUR
12000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT86106LZonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 20469 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.28 EUR
20+ 2.68 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.44 EUR
2000+ 1.36 EUR
4000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 16
FDT86106LZ
Produktcode: 133317		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86106LZFairchildTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 189mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86106LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 14121 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.28 EUR
10+ 2.67 EUR
100+ 2.08 EUR
500+ 1.76 EUR
1000+ 1.43 EUR
2000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDT86106LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86106LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 189mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.5 EUR
117+ 1.29 EUR
120+ 1.22 EUR
149+ 0.94 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 105
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86113LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.91 EUR
8000+ 0.87 EUR
12000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86113LZonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9086 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.23 EUR
29+ 1.82 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 0.98 EUR
2000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24
FDT86113LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.34 EUR
120+ 1.26 EUR
149+ 0.97 EUR
250+ 0.9 EUR
500+ 0.71 EUR
1000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 117
FDT86113LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
auf Bestellung 28357 Stücke:
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12+2.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
FDT86113LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
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FDT86244ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.106 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86244onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDT86244onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86244ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
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FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
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FDT86246FairchildTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86246 TFDT86246
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FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86246onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6919 Stücke:
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FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4000+0.89 EUR
8000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.23 EUR
146+ 1.03 EUR
148+ 0.99 EUR
179+ 0.78 EUR
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500+ 0.61 EUR
1000+ 0.44 EUR
3000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 128
FDT86246Lonsemi / FairchildMOSFET 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 45506 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.06 EUR
31+ 1.69 EUR
100+ 1.34 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.92 EUR
2000+ 0.88 EUR
4000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86246LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
auf Bestellung 16486 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.77 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
FDT86246LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.07 EUR
148+ 1.02 EUR
179+ 0.81 EUR
250+ 0.78 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.46 EUR
3000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 146
FDT86246LONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86246L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.25 EUR
10+ 2.65 EUR
100+ 2.06 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86256onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench
auf Bestellung 7789 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
19+2.76 EUR
22+ 2.44 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.72 EUR
1000+ 1.43 EUR
2000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 19
FDT86256ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86256ONSEMIDescription: ONSEMI - FDT86256 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.695 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.695ohm
auf Bestellung 2169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDT86256onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 845mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
FDT86256
Produktcode: 188041		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDTC-08M-E-00N-00N-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
Produkt ist nicht verfügbar
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDTC-08M-E-00N-01C-A-08-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
Produkt ist nicht verfügbar
FDTC-08M-E-00N-01C-A-DS3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
FDTC-08M-E-00N-02C-A-05-EPNN-A3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
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FDTC-08M-E-00N-02C-A-09-EPNN-C3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 15.20" (386.1mm)
Part Status: Active
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FDTC-08M-F-01U-01C-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
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FDTC-08ME-N-02M-00N-B-08-DANN3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURE FDTC
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FDTC-08S-B-00N-01A-A-04-EPAA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
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FDTC-08S-E-00N-1A-A-04-EPNA3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
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FDTC-08S-E-00N-1A-A-06-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
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FDTC-08S-E-00N-1A-A-08-EPNA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Obsolete
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FDTC-08S-E-00N-1A-A-DS3MDescription: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES
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FDTC-08S-G-00N-01A-B-02-DANA3MDescription: WIRE SPLICE ENCLOSURE SYS
Packaging: Bulk
Features: Dome Latching System
Type: Enclosure System, Installed Sealing Gasket
Length - Overall: 21.20" (538.5mm)
Part Status: Active
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FDTC-10S-COUPLINGTRAY-6SCAPC3MDescription: WIRE SPLICE COUPLING TRAY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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