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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
222+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20CTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
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FQU10N20CTUonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/200V/10A/QFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
150+1.13 EUR
201+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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FQU10N20LTUonsemiMOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20LTUonsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU10N20LTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 782 Stücke
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FQU10N20TUON SemiconductorFQU10N20TU
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20TUON SemiconductorFQU10N20TU
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 21774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
413+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
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FQU10N20TUON SemiconductorFQU10N20TU
auf Bestellung 5540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20TUON SemiconductorFQU10N20TU
auf Bestellung 10080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
10000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU10N20TU_AM002onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU11P06onsemi / FairchildMOSFETs QF -60V 185MOHM IPAK
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FQU11P06FAIRCHILD05+
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
124+1.36 EUR
184+0.88 EUR
186+0.83 EUR
210+0.8 EUR
350+0.75 EUR
500+0.69 EUR
700+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU11P06TU---FQU11P06TU Транзистор Р-канал 60В 9.4А, TO-251-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU11P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU11P06TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU11P06TUonsemi / FairchildMOSFETs 60V P-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
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FQU11P06TUON-SemiconductorP-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω FQU11P06TU TFQU11p06tu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FQU11P06TU
Produktcode: 38375
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU11P06TU.ONSEMIDescription: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU12N20TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU12N20TUON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU12N20TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06FAIRCHILD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 60V 115MOHM L IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.95 EUR
208+0.81 EUR
272+0.6 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06LTUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.84 EUR
100+1.44 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 663 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+1.78 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06LTU-WSonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
auf Bestellung 52965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+2.2 EUR
100+1.71 EUR
500+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06LTU-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 11387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
70+1.29 EUR
140+1.14 EUR
560+0.94 EUR
1050+0.87 EUR
2030+0.8 EUR
5040+0.73 EUR
10010+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06LTU-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+1.78 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06TU
auf Bestellung 3929 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N06TUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N10FSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N10LFAIRCHILD
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N10LTUonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.46 EUR
100+1.17 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N10LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
352+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N10LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 16114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.24 EUR
160+1.05 EUR
219+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.37 EUR
10000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU13N10TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU17P06onsemi / FairchildMOSFET QF -60V 135MOHM IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU17P06TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU17P06TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
154+1.51 EUR
200+1.07 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 20 Stücke:
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FQU17P06TUFairchildTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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FQU17P06TU
Produktcode: 126647
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ONTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 7,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/21
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.98 EUR
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FQU17P06TUON Semiconductor / FairchildMOSFET -60V Single
auf Bestellung 4710 Stücke:
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FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FQU17P06TUonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQU17P06TUON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 128469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
598+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
10000+0.87 EUR
100000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 598 Stücke
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FQU17P06TUFairchildTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FQU18N20V2
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQU1N50BTU
auf Bestellung 9950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQU1N50TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 1212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1137+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1137 Stücke
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FQU1N60FAIRCHILD2002 TO-126
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQU1N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 11.5OHM IPAK
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FQU1N60CFAIRCHILD
auf Bestellung 158000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQU1N60CTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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FQU1N60CTUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 6.2nC
Produkt ist nicht verfügbar
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FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1439+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1439 Stücke
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FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 16110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1439+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1439 Stücke
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FQU1N60CTUonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+1.24 EUR
100+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FQU1N60CTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.87 EUR
218+0.77 EUR
285+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.35 EUR
5040+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU1N60TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
607+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
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FQU1N60TU
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQU1N80TUONS/FAIMOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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FQU1N80TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU1N80TUonsemi / FairchildMOSFET 800V Single
auf Bestellung 5708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.9 EUR
100+1.49 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU1N80TUON SemiconductorPOWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU1N80TU
auf Bestellung 4758 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQU1P50TU
auf Bestellung 4865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FQU20N06LTUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 16889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.51 EUR
139+1.21 EUR
201+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU20N06LTUONS/FAIMOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU20N06LTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
142+1.63 EUR
186+1.15 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU20N06LTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU20N06LTUonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU20N06TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 20176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU20N06TUONS/FAIMOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU20N06TU
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N100TUonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
10+2.7 EUR
100+2.11 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N100TUFairchildN-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N100TUONSEMIDescription: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
87+2.69 EUR
111+1.94 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N100TUonsemi / FairchildMOSFET 1000V/1.6A/N-CH
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.81 EUR
100+2.2 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N100TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N40FAIRCHILDTO-251
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N40TU
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N50BTUON SemiconductorFQU2N50BTU
auf Bestellung 28152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
701+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQU2N50BTUON SemiconductorFQU2N50BTU
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
701+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 701 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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