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Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU10N20CTU

Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 443 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

136+	1.16 EUR
150+	1.01 EUR
201+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 136

FQU10N20CTU

Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
70+	1.86 EUR
140+	1.35 EUR
560+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FQU10N20CTU

MOSFET N-CH/200V/10A/QFET

auf Bestellung 6120 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
27+	1.99 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.87 EUR
5040+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FQU10N20CTU

Description: ONSEMI - FQU10N20CTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQU10N20CTU

Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 442 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

165+	0.95 EUR
222+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 165

FQU10N20LTU

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

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FQU10N20LTU

Description: ONSEMI - FQU10N20LTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU10N20LTU

Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU10N20LTU

Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 25 V

auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

650+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 650

FQU10N20TU

Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 21774 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

606+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 606

FQU10N20TU_AM002

Description: MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQU11P06

FAIRCHIL

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU11P06

05+

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU11P06TU
Produktcode: 38375

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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FQU11P06TU

Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

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FQU11P06TU

ON-Semicoductor

P-MOSFET 9.4A 60V 38W 0.185Ω FQU11P06TU TFQU11p06tu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FQU11P06TU

Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 4290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

111+	1.42 EUR
124+	1.22 EUR
184+	0.79 EUR
186+	0.75 EUR
210+	0.72 EUR
350+	0.68 EUR
500+	0.62 EUR
700+	0.47 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 111

FQU11P06TU

Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU11P06TU

MOSFET 60V P-Channel QFET

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
30+	1.76 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FQU11P06TU

Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU11P06TU.

Description: ONSEMI - FQU11P06TU. - P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 1 Stücke:

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FQU12N20TU

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU12N20TU

ON Semiconductor / Fairchild

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU12N20TU

MOSFET 200V N-Channel QFET

auf Bestellung 1733 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQU12N20TU

Description: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

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FQU12N20TU

Description: MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

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FQU12N20TU

FQU12N20TU THT N channel transistors

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FQU13N06

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU13N06LTU

Description: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU13N06LTU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 44A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQU13N06LTU

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU13N06LTU

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

182+	0.86 EUR
208+	0.73 EUR
272+	0.53 EUR
500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 182

FQU13N06LTU

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FQU13N06LTU

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU13N06LTU

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

auf Bestellung 1779 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.55 EUR
23+	2.29 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FQU13N06LTU-WS

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU13N06LTU-WS

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 3320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

180+	0.87 EUR
210+	0.72 EUR
287+	0.51 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 180

FQU13N06LTU-WS

MOSFET 60V N-Channel QFET

auf Bestellung 52965 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	3.04 EUR
20+	2.73 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FQU13N06LTU-WS

auf Bestellung 32592 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.57 EUR
70+	2.05 EUR
140+	1.63 EUR
560+	1.38 EUR
1050+	1.12 EUR
2030+	1.06 EUR
5040+	1.01 EUR
10010+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FQU13N06LTU-WS

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU13N06TU

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

FQU13N06TU

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FQU13N06TU

Description: MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V

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FQU13N06TU

auf Bestellung 3929 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU13N10

FSC

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU13N10L

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU13N10LTU

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 4690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

352+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 352

FQU13N10LTU

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 16114 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

141+	1.11 EUR
160+	0.95 EUR
219+	0.66 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.45 EUR
2500+	0.36 EUR
5000+	0.33 EUR
10000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 141

FQU13N10LTU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 180mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	35.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

FQU13N10LTU

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU13N10LTU

Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU13N10LTU

MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

auf Bestellung 1323 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.18 EUR
29+	1.81 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FQU13N10LTU

Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU13N10TU

Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

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FQU17P06

MOSFET QF -60V 135MOHM IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQU17P06TU

Description: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

auf Bestellung 10010 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.68 EUR
12+	2.21 EUR
100+	1.72 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.19 EUR
2000+	1.12 EUR
5000+	1.06 EUR
10000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FQU17P06TU

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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10+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FQU17P06TU

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 4160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU17P06TU

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

72+	1 EUR
79+	0.92 EUR
87+	0.83 EUR
103+	0.7 EUR
109+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 72

FQU17P06TU
Produktcode: 126647

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 7,6 A
Rds(on),Om: 0,135 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/21
/: THT

auf Bestellung 3 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU17P06TU

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU17P06TU

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU17P06TU TFQU17p06tu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

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30+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 30

FQU17P06TU

ON Semiconductor / Fairchild

Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU17P06TU

MOSFET -60V Single

auf Bestellung 4710 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQU17P06TU

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	1 EUR
79+	0.92 EUR
87+	0.83 EUR
103+	0.7 EUR
109+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 72

FQU18N20V2

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU1N50BTU

auf Bestellung 9950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU1N50TU

Description: MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 550mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 2056 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2056+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2056

FQU1N60

2002 TO-126

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU1N60C

auf Bestellung 158000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU1N60C

MOSFET QFC 600V 11.5OHM IPAK

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FQU1N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 3646 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

455+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 455

FQU1N60CTU

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

auf Bestellung 2463 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.87 EUR
34+	1.53 EUR
100+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 28

FQU1N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N60CTU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 600mA; Idm: 4A; 28W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 28W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N60CTU

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 5040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU1N60CTU

Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N60TU

auf Bestellung 3628 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU1N60TU

Description: MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

auf Bestellung 607 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

607+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 607

FQU1N80TU

Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N80TU

Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V

auf Bestellung 4772 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.44 EUR
14+	1.99 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR
2000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FQU1N80TU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N80TU

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N80TU

Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU1N80TU

POWER MOSFET

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FQU1N80TU

MOSFET 800V Single

auf Bestellung 5708 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
22+	2.37 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FQU1N80TU

auf Bestellung 4758 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU1P50TU

auf Bestellung 4865 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU20N06LTU

Trans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU20N06LTU

Trans MOSFET N-CH 60V 17.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 16889 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.35 EUR
139+	1.09 EUR
201+	0.72 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 116

FQU20N06LTU

MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

Produkt ist nicht verfügbar

FQU20N06LTU

Description: ONSEMI - FQU20N06LTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17.2 A, 0.046 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 17.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 38
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 2148 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU20N06LTU

Description: MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V

auf Bestellung 636 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
70+	1.78 EUR
140+	1.29 EUR
560+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FQU20N06TU

Description: MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V

auf Bestellung 20736 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

683+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 683

FQU20N06TU

auf Bestellung 3670 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N100TU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N100TU

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N100TU

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N100TU

Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N100TU

MOSFET 1000V/1.6A/N-CH

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.9 EUR
15+	3.48 EUR
100+	2.73 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 14

FQU2N100TU

N-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 30

FQU2N100TU

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

auf Bestellung 1608 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.77 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FQU2N100TU

Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 5040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU2N40

TO-251

auf Bestellung 1147 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N40TU

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N50BTU

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

auf Bestellung 45243 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

740+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 740

FQU2N50BTU

Description: ONSEMI - FQU2N50BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 50283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU2N50BTU-WS

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N50BTU-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N50BTU-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N50BTU-WS

MOSFET Power MOSFET

auf Bestellung 4732 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQU2N50BTU_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK

auf Bestellung 4969 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N60

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N60

2002 TO-251

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N60B

auf Bestellung 70560 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N60C

auf Bestellung 158000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N60CTLTU

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 30

FQU2N60CTU

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

auf Bestellung 13010 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.83 EUR
21+	2.56 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 19

FQU2N60CTU

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N60TU

Description: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N60TU

Description: ONSEMI - FQU2N60TU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 10164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU2N60TU

Description: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 10164 Stücke:

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417+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 417

FQU2N80

MOSFET

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FQU2N80TU

Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

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FQU2N80TU

Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

auf Bestellung 3037 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

468+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 468

FQU2N80TU

MOSFET 800V N-Channel QFET

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FQU2N80TU_NL

MOSFET

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FQU2N90

2002 TO-251

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FQU2N90TU

FSC

auf Bestellung 15120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N90TU

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

auf Bestellung 320404 Stücke:

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579+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 579

FQU2N90TU

auf Bestellung 15120 Stücke:

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FQU2N90TU-AM002

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU2N90TU-AM002

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6.8A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
On-state resistance: 7.2Ω

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N90TU-AM002

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU2N90TU-AM002

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU2N90TU-AM002

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FQU2N90TU-AM002

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

auf Bestellung 977 Stücke:

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473+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 473

FQU2N90TU-AM002

MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel

auf Bestellung 4558 Stücke:

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14+	3.72 EUR
16+	3.35 EUR
100+	2.63 EUR
500+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 14

FQU2N90TU-WS

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FQU2N90TU-WS

MOSFET 900V 1.7A 7.2Ohm N-Channel

auf Bestellung 3943 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.33 EUR
18+	3.02 EUR
100+	2.34 EUR
500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FQU2N90TU-WS

auf Bestellung 8187 Stücke:

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8+	3.54 EUR
10+	2.88 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.55 EUR
2000+	1.46 EUR
5000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FQU2N90TU-WS

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU2N90TU-WS

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FQU2N90TU-WS

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FQU2N90TU_AM002

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

auf Bestellung 1044 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU2N90TU_WS

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU2N90TU_WS

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK

auf Bestellung 5040 Stücke:

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FQU2P40TU

auf Bestellung 4820 Stücke:

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FQU30N06LTU

Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

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FQU30N06LTU

Description: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V

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FQU30N06TU

auf Bestellung 5020 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU3N40

TO-251

auf Bestellung 1546 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU3N40TU

auf Bestellung 4597 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU3N40TU

Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V

auf Bestellung 2887 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

523+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 523

FQU3N50C
Produktcode: 128758

Verschiedene Bauteile > Other components 3

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FQU3N50CTU

MOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series

auf Bestellung 15110 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQU3N50CTU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 10A; 35W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 35W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FQU3N50CTU

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FQU3N50CTU

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

auf Bestellung 1320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

720+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 720

FQU3N50CTU

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU3N50CTU

Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU3N60CTU

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQU3N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU3N60TU

Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

auf Bestellung 20684 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

544+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 544

FQU3N60TU

auf Bestellung 4313 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU3P20TU

Description: MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK

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FQU3P50TU

Description: MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK

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FQU4N20LTU

MOSFET

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FQU4N20TU

Description: MOSFET N-CH 200V 3A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQU4N25TU

Description: MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

auf Bestellung 3247 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

606+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 606

FQU4N50TU

auf Bestellung 4735 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU4N50TU

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V

auf Bestellung 33984 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

398+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 398

FQU4N50TU-WS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.64A
Pulsed drain current: 10.4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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FQU4N50TU-WS

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FQU4N50TU-WS

Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU4N50TU-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK

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FQU4N50TU-WS

MOSFET N-CH/500V 2.6A/2.7OHM

auf Bestellung 3458 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.5 EUR
24+	2.22 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FQU4N50TU-WS

Description: ONSEMI - FQU4N50TU-WS - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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FQU4N50TU-WS

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK

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FQU4N50TU_WS

Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU4P25TU

Description: MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

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FQU4P40

TO-251

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU5N20LTU

MOSFET

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FQU5N40TU

Description: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 4991 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU5N40TU

auf Bestellung 2030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU5N40TU

MOSFET 400V N-Channel QFET

auf Bestellung 4404 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.3 EUR
18+	2.99 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.91 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FQU5N40TU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.15A; Idm: 13.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.15A
Pulsed drain current: 13.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N40TU

Description: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

auf Bestellung 2385 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.3 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.91 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FQU5N40TU

Trans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N40TU

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N50CTU

Description: MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N50CTU

Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N50CTU-WS

MOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET

auf Bestellung 4885 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.51 EUR
17+	3.17 EUR
100+	2.46 EUR
500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FQU5N50CTU-WS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; Idm: 16A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N50CTU-WS

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N50CTU-WS

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N50CTU-WS

N-Channel QFET® MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N50TU

Description: MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

FQU5N60CTU

Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

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FQU5N60CTU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.8A; Idm: 11.2A; 49W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 49W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FQU5N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU5N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU5N60CTU

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

auf Bestellung 4040 Stücke:

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695+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 695

FQU5N60CTU

MOSFET N-CH/600V/5A/QFET

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250+	1.86 EUR

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FQU5N60CTU

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FQU5N60CTU

Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU5P20TU

Description: MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

auf Bestellung 12474 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.29 EUR
13+	2.05 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.04 EUR
2000+	0.97 EUR
5000+	0.92 EUR
10000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FQU5P20TU

FQU5P20TU THT P channel transistors

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FQU5P20TU

MOSFET 200V P-Channel QFET

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21+	2.5 EUR
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500+	1.44 EUR

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FQU5P20TU

auf Bestellung 20690 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU5P20TU

Description: ONSEMI - FQU5P20TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.7 A, 1.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

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FQU6N25TU

Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK

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FQU6N25TU

auf Bestellung 5000 Stücke:

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FQU6N40CTU

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK

auf Bestellung 14242 Stücke:

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FQU6N40CTU-NBEA001

auf Bestellung 2100 Stücke:

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FQU6N40CTU_NBEA001

Description: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK

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FQU6N40TU

auf Bestellung 14820 Stücke:

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FQU6N50CTU

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

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FQU6P25TU

Description: MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK

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FQU7N10LTU

Description: MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V

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FQU7N20LTU

MOSFET

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FQU7N20TU

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V

auf Bestellung 17183 Stücke:

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503+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 503

FQU7P06TU

Description: P-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 38115 Stücke:

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FQU7P06TU

Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK

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FQU7P06TU-NB82048

auf Bestellung 2100 Stücke:

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FQU7P06TU_NB82048

Description: MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK

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FQU7P20

TO-251

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU7P20TU

Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK

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FQU7P20TU_AM002

Description: MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK

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FQU8N25
Produktcode: 60926

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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FQU8N25TU

Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V

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FQU8N25TU

Description: MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V

auf Bestellung 5629 Stücke:

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430+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 430

FQU8P10

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FQU8P10TU

Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

auf Bestellung 9173 Stücke:

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13+	2.06 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.05 EUR
2000+	0.98 EUR
5000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FQU8P10TU

Description: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 1289 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FQU8P10TU

MOSFET -100V Single

auf Bestellung 7243 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQU9N25TU

ON Semiconductor / Fairchild

Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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FQU9N25TU

MOSFET 250V N-Channel QFET

auf Bestellung 3843 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FQU9N25TU

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 29.6A
Power dissipation: 55W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 420mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FQU9N25TU

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FQU9N25TU