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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GS--R400VEUPECMODULE
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-010-120-1-P-E01-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 100V, 120A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-010-120-1-TGaN SystemsRF MOSFET Transistors 100V, 120A, E-Mode GaN, Top-side Cooled
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-010-120-1-T-E01GaN SystemsMOSFET 100V, 120A, E-Mode GaN, Top-side Cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-0150400Smiths Interconnect / IDISmiths Connectors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-050Global SpecialtiesABS Plastic 50 Tie Point Breadboard
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-060Global SpecialtiesDescription: BREADBRD DISTI STRIP 4X0.69" 2PC
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-060Global SpecialtiesPCBs & Breadboards 4X.375 60 Tie Points 12 Term Clips
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 4A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
auf Bestellung 2677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.26 EUR
10+5.65 EUR
25+5.34 EUR
100+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-1-L-MR
Produktcode: 195374
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 4A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.24 EUR
10+5.24 EUR
25+4.94 EUR
100+4.24 EUR
250+4 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-6-L-MRGaN Systems IncGS-065-004-6-L-MR
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 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.8 EUR
100+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+3.26 EUR
500+3.02 EUR
750+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+4.06 EUR
100+3.09 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.23 EUR
2500+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-6-L-TRInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-004-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-004-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 8A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.47 EUR
10+6.75 EUR
25+6.37 EUR
100+5.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.69 EUR
10+8.43 EUR
100+5.62 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.58 EUR
2500+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.74mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+5.03 EUR
500+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-6-L-MRGaN Systems IncGS-065-008-6-L-MR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+5.18 EUR
100+3.37 EUR
500+3.36 EUR
5000+3.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.6 EUR
10+7.43 EUR
100+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-6-L-TRInfineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-008-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-008-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-1-LGaN SystemsMOSFET 650V, 11A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
auf Bestellung 4789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.35 EUR
10+12.92 EUR
25+12.21 EUR
100+10.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-1-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
auf Bestellung 62000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-1-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.72 EUR
10+6.47 EUR
100+4.44 EUR
500+4.13 EUR
1000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-1-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.42 EUR
10+9.08 EUR
100+6.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-1-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-1-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.97 EUR
10+7.2 EUR
100+5.02 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.19 EUR
3000+3.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-1-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-1-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.6 EUR
10+7.78 EUR
100+5.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+7.54 EUR
100+5.46 EUR
500+4.94 EUR
1000+4.4 EUR
2500+4.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 3081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+7.54 EUR
100+5.55 EUR
500+4.94 EUR
1000+4.36 EUR
3000+4.08 EUR
6000+3.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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GS-065-011-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 165 Stücke:
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1+9.97 EUR
10+7.14 EUR
100+4.8 EUR
500+3.97 EUR
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GS-065-011-6-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.45 EUR
10+6.85 EUR
100+5.09 EUR
500+4.32 EUR
1000+4.08 EUR
3000+3.69 EUR
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GS-065-011-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
10+8 EUR
100+6.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GS-065-011-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Produkt ist nicht verfügbar
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GS-065-011-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-011-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-011-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.66 EUR
10+8.04 EUR
100+6.51 EUR
500+5.78 EUR
1000+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-L-TRGaN SystemsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.25 EUR
10+8.19 EUR
100+6.62 EUR
500+5.89 EUR
1000+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-MR
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.24 EUR
10+10.12 EUR
100+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-014-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-014-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.91 EUR
10+12.97 EUR
100+9.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+10.52 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.78 EUR
10+11.08 EUR
100+7.72 EUR
500+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-2-L-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-2-L-MRGaN Systems IncGS-065-018-2-L-MR
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+8.43 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.98 EUR
10+11.6 EUR
100+9.57 EUR
500+8.54 EUR
1000+8.52 EUR
3000+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.36 EUR
10+12.44 EUR
100+9.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-MR
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+9.31 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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GS-065-018-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.59 EUR
10+9.59 EUR
100+8 EUR
500+7.12 EUR
1000+6.34 EUR
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GS-065-018-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-018-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-018-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesDescription: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+10.51 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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GS-065-030-2-L-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+19.22 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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GS-065-030-2-L-MRInfineon TechnologiesDescription: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.72 EUR
10+16.04 EUR
100+14.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-2-L-TRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 850V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+8.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-2-L-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-2-L-TR---GS-065-030-2-L-TR MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode Транзистори
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GS-065-030-2-L-TRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.65 EUR
10+18.11 EUR
100+17.05 EUR
500+16.48 EUR
1000+15.77 EUR
3000+9.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LL-MRInfineon TechnologiesGS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.79 EUR
16+11.42 EUR
100+9.79 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LL-MRGaN SystemsMOSFETs
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 164-168 Tag (e)
1+24.69 EUR
10+21.77 EUR
25+21.17 EUR
50+20 EUR
100+19.98 EUR
250+16.97 EUR
1000+15.62 EUR
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GS-065-030-6-LL-MRGaN Systems IncGS-065-030-6-LL-MR
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 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LL-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.62 EUR
10+12.02 EUR
100+8.52 EUR
500+8.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LL-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LL-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LL-TRGaN SystemsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LR-MRInfineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.9 EUR
10+14.36 EUR
100+9.95 EUR
500+9.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.99 EUR
10+18.21 EUR
100+14.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LR-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LR-TRGaN SystemsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS-065-030-6-LR-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS-065-030-6-LR-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
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