Produkte > IDH
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IDH-DB/DC12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DB SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH-DD/DS-12 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER DD/DS SERIES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH-SSR-20 | JST Sales America Inc. | Description: HEAD ADAPTER SSR SERIES | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH02G120C5 | Infineon technologies | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V | auf Bestellung 1037 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH02G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH02G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH02G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ!™, Einfach, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11.8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH02G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 2A Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon | IDH02G65C5XKSA2 IDH02G65C SCHOTTKY 650V 2A TO220-2 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A | auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH02G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 2A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH02SG120 | Infineon technologies | auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH02SG120 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH02SG120XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03G65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 1561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Not For New Designs Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 100pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH03G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 3 A, 5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 5 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon | IDH03G65C5XKSA2 IDH03G65C SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 5th Generation thinQ SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH03SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | auf Bestellung 68889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH03SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH04E120 | INF | TO-220 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04G65C5 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V | auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH04G65C6 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C6 | Infineon Technologies | Infineon SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 2114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH04G65C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C6XKSA1 Produktcode: 177207
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Lieblingsprodukt
| Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH04G65C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V | auf Bestellung 6077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH04S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04S60C Produktcode: 57914
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH04S60C | Infineon | SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | auf Bestellung 18279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A PGTO2201 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 4A Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH04SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH04SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE | auf Bestellung 817 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V | auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 650V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH05S120 | Infineon | SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05S120AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05S120AKSA1 - IDH05S120 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4592 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05S120AKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 600V 5A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05S60CAKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH05SG60CXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH05SG60CXKSA1 - IDH05SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 12303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202 Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C | auf Bestellung 12303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH05SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A PGTO2202 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO220-2-1 Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Last Time Buy Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 5A Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IDH05SG60CXKSA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH05SG60CXKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDH05SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 5 A, 6 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 6 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Produktpalette: thinQ Gen III SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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