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IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

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IKB03N120H2

INF

TO-263

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IKB03N120H2ATMA1

Description: IGBT 1200V 9.6A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

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IKB06N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A

auf Bestellung 1070 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.76 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.56 EUR
2000+	1.48 EUR
5000+	1.4 EUR

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IKB06N60T

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

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IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.9 EUR
80+	2.9 EUR
116+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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IKB06N60TATMA1

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.76 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.56 EUR
2000+	1.48 EUR
5000+	1.4 EUR

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IKB06N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

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IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 42 nC
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Switching Energy: 200µJ
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.69 EUR
10+	3.02 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.9 EUR
116+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.07 EUR
86+	2 EUR
122+	1.38 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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IKB10N60T

INF

TO-263

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IKB10N60T

Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IKB10N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.74 EUR
2000+	1.68 EUR
5000+	1.64 EUR

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IKB10N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.57 EUR
200+	2.06 EUR
500+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IKB10N60TATMA1

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.55 EUR
73+	2.36 EUR
100+	2.02 EUR
200+	1.88 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

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IKB10N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 656 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.7 EUR
70+	3.34 EUR
84+	2.57 EUR
200+	2.06 EUR
500+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB10N60TATMA1

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.37 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	3.24 EUR
86+	2 EUR
117+	1.44 EUR
500+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 54 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.24 EUR
10+	3.38 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB10N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 62nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns

auf Bestellung 506 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	3.05 EUR
45+	1.93 EUR
50+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.76 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	1.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60T

INF

TO-263

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60T

Description: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.78 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.09 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns

auf Bestellung 762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	3.01 EUR
31+	2.77 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N65EH5

IGBTs INDUSTRY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

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IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	6.95 EUR
57+	4.13 EUR
100+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

209+	3.13 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 209 Stücke

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IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

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IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.84 EUR

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IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.08 EUR

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IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

auf Bestellung 603 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.51 EUR
10+	4.25 EUR
100+	2.95 EUR
500+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.07 EUR

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IKB15N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

auf Bestellung 1236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.22 EUR
10+	4.06 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.2 EUR
2000+	2.07 EUR

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IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

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IKB20N60H3

IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT

auf Bestellung 287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.71 EUR
100+	5.51 EUR
500+	4.27 EUR

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IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

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IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.94 EUR
100+	1.89 EUR
200+	1.84 EUR
500+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 89 Stücke

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IKB20N60H3ATMA1

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори

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IKB20N60H3ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V

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IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

auf Bestellung 616 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	10.09 EUR
10+	6.71 EUR
100+	4.8 EUR
500+	4.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IKB20N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

auf Bestellung 1435 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11 EUR
10+	7.2 EUR
100+	5.32 EUR
500+	4.71 EUR
1000+	4.19 EUR

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IKB20N60T

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IKB20N60TA

IGBTs IGBT PRODUCTS

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IKB20N60TAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TAATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TAATMA1372

Description: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Part Status: Active
Packaging: Bulk

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IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

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IKB20N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

auf Bestellung 4283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.52 EUR
10+	7.01 EUR
100+	5.02 EUR
500+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

122+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 122 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 777 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

255+	2.57 EUR
500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 255 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.89 EUR
2000+	3.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1059 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.69 EUR
109+	1.49 EUR
110+	1.42 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

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IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1059 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.69 EUR
109+	1.55 EUR
110+	1.5 EUR
250+	1.46 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	6.25 EUR
62+	3.78 EUR
100+	2.4 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IKB20N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.45 EUR
500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IKB20N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

Produkt ist nicht verfügbar

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IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

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IKB20N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C

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IKB20N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 48nC

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IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

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IKB30N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

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IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

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IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

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IKB30N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

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IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

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IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

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50+	3.47 EUR
51+	3.36 EUR
100+	3.03 EUR
250+	2.95 EUR
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IKB30N65ES5ATMA1

IGBTs INDUSTRY

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10+	5.32 EUR
100+	4.16 EUR
500+	3.47 EUR
1000+	3.22 EUR
2000+	3.01 EUR

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IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

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1000+	2.84 EUR

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IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 1269 Stücke:

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3+	8 EUR
10+	5.27 EUR
100+	3.72 EUR
500+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IKB40N65EF5

Infineon INDUSTRY 14

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IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IKB40N65EF5ATMA1