Produkte > IKB

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

Produkt ist nicht verfügbar

IKB03N120H2

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB03N120H2

INF

TO-263

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB03N120H2ATMA1

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB03N120H2ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB06N60T

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB06N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.06 EUR
16+	3.38 EUR
100+	2.7 EUR
250+	2.49 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	1.93 EUR
2000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKB06N60T

infineon

07+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB06N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB06N60TATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB06N60TATMA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.06 EUR
16+	3.28 EUR
100+	2.7 EUR
250+	2.49 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	1.93 EUR
2000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

auf Bestellung 767 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.03 EUR
10+	3.35 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60T

Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60T

INF

TO-263

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB10N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.37 EUR
15+	3.64 EUR
100+	2.91 EUR
250+	2.68 EUR
500+	2.42 EUR
1000+	2.07 EUR
2000+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

33+	2.23 EUR
36+	2.02 EUR
44+	1.64 EUR
47+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IKB10N60TATMA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.45 EUR
15+	3.54 EUR
100+	2.91 EUR
250+	2.81 EUR
500+	2.44 EUR
1000+	2.07 EUR
2000+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 694 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB10N60TATMA1

auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	2.23 EUR
36+	2.02 EUR
44+	1.64 EUR
47+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 33

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB15N60T

Description: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60T

INF

TO-263

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB15N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A

auf Bestellung 1463 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.67 EUR
12+	4.55 EUR
100+	3.74 EUR
250+	3.46 EUR
500+	3.15 EUR
1000+	2.65 EUR
2000+	2.54 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	3.66 EUR
22+	3.29 EUR
28+	2.57 EUR
30+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKB15N60TATMA1

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.66 EUR
22+	3.29 EUR
28+	2.57 EUR
30+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

auf Bestellung 1852 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.62 EUR
10+	4.66 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKB15N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB15N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

auf Bestellung 916 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.05 EUR
10+	5.85 EUR
100+	4.66 EUR
500+	3.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKB15N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 241 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.07 EUR
10+	5.9 EUR
100+	4.68 EUR
250+	4.32 EUR
500+	3.95 EUR
1000+	3.35 EUR
2000+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB15N65EH5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3

IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT

auf Bestellung 1460 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.55 EUR
14+	3.95 EUR
100+	3.3 EUR
250+	3.22 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.6 EUR
2000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	2.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N60H3ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

140+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 140

IKB20N60H3ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

auf Bestellung 2282 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.67 EUR
10+	4.71 EUR
100+	3.75 EUR
500+	3.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKB20N60T

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB20N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

auf Bestellung 843 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.51 EUR
11+	4.76 EUR
100+	4.03 EUR
250+	3.98 EUR
500+	3.59 EUR
1000+	3.28 EUR
2000+	3.2 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKB20N60TA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKB20N60TAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

IKB20N60TAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TAATMA1

Description: IGBT 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TAATMA1372

Description: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.63 EUR
50+	3.02 EUR
53+	2.76 EUR
100+	2.58 EUR
500+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

auf Bestellung 8533 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.05 EUR
10+	5.84 EUR
100+	4.65 EUR
500+	3.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.45 EUR
100+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 64

IKB20N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1641 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	3.34 EUR
2000+	3.17 EUR
5000+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB20N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1929 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.2 EUR
74+	1.97 EUR
100+	1.87 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 72

IKB20N60TATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1929 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	2.2 EUR
74+	1.97 EUR
100+	1.87 EUR
250+	1.78 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 72

IKB20N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 920 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.15 EUR
10+	6.03 EUR
25+	5.69 EUR
100+	4.89 EUR
250+	4.63 EUR
500+	4.32 EUR
1000+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IKB20N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 957 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

16+	4.53 EUR
18+	4.09 EUR
23+	3.13 EUR
25+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.1 EUR
10+	5.97 EUR
100+	4.83 EUR
500+	4.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N65EH5ATMA1

auf Bestellung 957 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	4.53 EUR
18+	4.09 EUR
23+	3.13 EUR
25+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	4.69 EUR
2000+	4.41 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.07 EUR
10+	7.61 EUR
100+	6.16 EUR
500+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB30N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

7+	8.37 EUR
10+	7.1 EUR
25+	6.89 EUR
100+	5.82 EUR
250+	5.67 EUR
500+	5.2 EUR
1000+	4.58 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	4.69 EUR
2000+	4.41 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB30N65ES5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.15 EUR
10+	7.67 EUR
25+	7.44 EUR
100+	6.21 EUR
250+	6.03 EUR
500+	5.51 EUR
1000+	4.68 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IKB30N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 3848 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9.07 EUR
10+	7.61 EUR
100+	6.16 EUR
500+	5.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB30N65ES5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5

Infineon INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 1734 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.43 EUR
10+	8.74 EUR
100+	7.07 EUR
500+	6.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.77 EUR
22+	7.13 EUR
50+	6.49 EUR
100+	5.35 EUR
200+	4.83 EUR
500+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKB40N65EF5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65EF5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.87 EUR
27+	5.59 EUR
29+	5.09 EUR
100+	4.2 EUR
250+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	5.38 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB40N65EF5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 2195 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.5 EUR
10+	8.81 EUR
25+	8.74 EUR
100+	7.12 EUR
250+	6.03 EUR
500+	5.67 EUR
1000+	5.23 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKB40N65EF5ATMA1

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.87 EUR
27+	5.59 EUR
29+	5.09 EUR
100+	4.2 EUR
250+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKB40N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1067 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 1362 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.43 EUR
10+	8.74 EUR
100+	7.07 EUR
500+	6.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB40N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.5 EUR
10+	8.81 EUR
25+	8.53 EUR
100+	7.12 EUR
250+	6.92 EUR
500+	6.34 EUR
1000+	5.41 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	9.16 EUR
21+	7.47 EUR
50+	6.59 EUR
100+	6.3 EUR
200+	5.7 EUR
500+	4.83 EUR
1000+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKB40N65EH5ATMA1

auf Bestellung 1067 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65ES5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65ES5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A

auf Bestellung 623 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.69 EUR
21+	7.45 EUR
50+	6.57 EUR
100+	5.73 EUR
200+	5.46 EUR
500+	4.7 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

auf Bestellung 9192 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	10.43 EUR
10+	8.74 EUR
100+	7.07 EUR
500+	6.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB40N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65ES5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

auf Bestellung 7688 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

5+	10.5 EUR
10+	8.81 EUR
25+	8.53 EUR
100+	7.12 EUR
250+	6.92 EUR
500+	6.34 EUR
1000+	5.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65ES5ATMA1

auf Bestellung 623 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65ES5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.88 EUR
27+	5.6 EUR
28+	5.29 EUR
100+	4.09 EUR
250+	3.89 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1000+	5.38 EUR
2000+	5.07 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1775 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.88 EUR
27+	5.6 EUR
28+	5.29 EUR
100+	4.09 EUR
250+	3.89 EUR
500+	3.45 EUR
1000+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IKBBF

IKBBF RJ45 Cables

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

11+	6.96 EUR
13+	5.71 EUR
14+	5.39 EUR
25+	5.18 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IKBBG

IKBBG RJ45 Cables

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.78 EUR
12+	6.08 EUR
25+	5.85 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKBBH

IKBBH RJ45 Cables

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.88 EUR
13+	5.58 EUR
25+	5.36 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IKBBI