Produkte > IKB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKB03N120H2 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IKB03N120H2 | INF | TO-263 | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60T | INFINEON | 09+ | auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB06N60T | infineon | 07+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A | auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60T | INF | TO-263 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A | auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB10N60T | INFINEON | Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A | auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Collector current: 18A | auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 62nC Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Collector current: 18A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 659 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N60T | Infineon Technologies | Description: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 26 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N60T | INF | TO-263 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A | auf Bestellung 1898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Collector current: 23A Turn-on time: 28ns Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 600V Turn-off time: 238ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Collector current: 23A Turn-on time: 28ns Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 600V Turn-off time: 238ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | auf Bestellung 1665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Turn-off time: 172ns Turn-on time: 33ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Turn-off time: 172ns Turn-on time: 33ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB15N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60H3 | Infineon Technologies | IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT | auf Bestellung 1699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 170W euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 40A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 36ns Turn-off time: 205ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 36ns Turn-off time: 205ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60T | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A | auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60T | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IKB20N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TAATMA1372 | Infineon Technologies | Description: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Collector current: 28A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Collector current: 28A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | auf Bestellung 4298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Gate charge: 48nC Turn-off time: 183ns Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 919 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W | auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Gate charge: 48nC Turn-off time: 183ns Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65EH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 2246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 52ns Gate charge: 70nC Turn-off time: 184ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A Power dissipation: 94W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | auf Bestellung 899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 52ns Gate charge: 70nC Turn-off time: 184ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A Power dissipation: 94W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65ES5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 29ns Gate charge: 70nC Turn-off time: 154ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39.5A Power dissipation: 94W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB30N65ES5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 29ns Gate charge: 70nC Turn-off time: 154ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39.5A Power dissipation: 94W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB30N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB30N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EF5 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 83 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 56ns Turn-off time: 212ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 83 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 1096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 56ns Turn-off time: 212ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 74A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 34ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 34ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 74A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 79 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W | auf Bestellung 8576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 79 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | auf Bestellung 2459 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKBBF | VENTION | Category: RJ45 Cables Description: Patch cord; RJ45 plug,both sides; S/FTP; Cat 8; stranded; OFC; 1m Type of connection cable: patch cord Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug Kind of wire: S/FTP Ethernet category: Cat 8 Kind of core: OFC Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold Cable length: 1m Wire insulation material: PVC Insulation colour: black Number of cores: 8 Trade name: vention_202510_lp Cable external diameter: 6.4mm Cable structure: 4x2x28AWG Contact plating: gold-plated Core structure: stranded | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKBBF | VENTION | Category: RJ45 Cables Description: Patch cord; RJ45 plug,both sides; S/FTP; Cat 8; stranded; OFC; 1m Type of connection cable: patch cord Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug Kind of wire: S/FTP Ethernet category: Cat 8 Kind of core: OFC Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold Cable length: 1m Wire insulation material: PVC Insulation colour: black Number of cores: 8 Trade name: vention_202510_lp Cable external diameter: 6.4mm Cable structure: 4x2x28AWG Contact plating: gold-plated Core structure: stranded Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKBBG | VENTION | Category: RJ45 Cables Description: Patch cord; RJ45 plug,both sides; S/FTP; Cat 8; stranded; OFC Type of connection cable: patch cord Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug Kind of wire: S/FTP Ethernet category: Cat 8 Kind of core: OFC Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold Cable length: 1.5m Wire insulation material: PVC Insulation colour: black Number of cores: 8 Trade name: vention_202510_lp Cable external diameter: 6.4mm Cable structure: 4x2x28AWG Contact plating: gold-plated Core structure: stranded | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKBBG | VENTION | Category: RJ45 Cables Description: Patch cord; RJ45 plug,both sides; S/FTP; Cat 8; stranded; OFC Type of connection cable: patch cord Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug Kind of wire: S/FTP Ethernet category: Cat 8 Kind of core: OFC Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold Cable length: 1.5m Wire insulation material: PVC Insulation colour: black Number of cores: 8 Trade name: vention_202510_lp Cable external diameter: 6.4mm Cable structure: 4x2x28AWG Contact plating: gold-plated Core structure: stranded Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKBBH | VENTION | Category: RJ45 Cables Description: Patch cord; RJ45 plug,both sides; S/FTP; Cat 8; stranded; OFC; 2m Type of connection cable: patch cord Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug Kind of wire: S/FTP Ethernet category: Cat 8 Kind of core: OFC Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold Cable length: 2m Wire insulation material: PVC Insulation colour: black Number of cores: 8 Trade name: vention_202510_lp Cable external diameter: 6.4mm Cable structure: 4x2x28AWG Contact plating: gold-plated Core structure: stranded | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKBBH | VENTION | Category: RJ45 Cables Description: Patch cord; RJ45 plug,both sides; S/FTP; Cat 8; stranded; OFC; 2m Type of connection cable: patch cord Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug Kind of wire: S/FTP Ethernet category: Cat 8 Kind of core: OFC Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold Cable length: 2m Wire insulation material: PVC Insulation colour: black Number of cores: 8 Trade name: vention_202510_lp Cable external diameter: 6.4mm Cable structure: 4x2x28AWG Contact plating: gold-plated Core structure: stranded Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKBBI | VENTION | Category: RJ45 Cables Description: Patch cord; RJ45 plug,both sides; S/FTP; Cat 8; stranded; OFC; 3m Type of connection cable: patch cord Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug Kind of wire: S/FTP Ethernet category: Cat 8 Kind of core: OFC Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold Cable length: 3m Wire insulation material: PVC Insulation colour: black Number of cores: 8 Trade name: vention_202510_lp Cable external diameter: 6.4mm Cable structure: 4x2x28AWG Contact plating: gold-plated Core structure: stranded | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| IKBBI | VENTION | Category: RJ45 Cables Description: Patch cord; RJ45 plug,both sides; S/FTP; Cat 8; stranded; OFC; 3m Type of connection cable: patch cord Cable/adapter structure: both sides; RJ45 plug Kind of wire: S/FTP Ethernet category: Cat 8 Kind of core: OFC Shield structure: Al foil; braid made of aluminium wires; shielded twofold Cable length: 3m Wire insulation material: PVC Insulation colour: black Number of cores: 8 Trade name: vention_202510_lp Cable external diameter: 6.4mm Cable structure: 4x2x28AWG Contact plating: gold-plated Core structure: stranded Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|