Produkte > IKZ
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKZ50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 273 W | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ50N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 274 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 58ns Turn-off time: 326ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65NH5 | Infineon technologies | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IKZ50N65NH5XKSA | Infineon Technologies | Description: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 46 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 273 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65NH5XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ50N65NH5XKSA1 - IKZ50N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 46 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 273 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ50N65NH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 54A Power dissipation: 136W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 30ns Turn-off time: 275ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EH5 | Infineon technologies | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IKZ75N65EH5 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 90A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 166 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 90A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EL5 | Infineon technologies | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IKZ75N65EL5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 268W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 436nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 143ns Turn-off time: 325ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 100A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 59 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 436 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 536 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ75N65ES5 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY | auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 197W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 164nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 71ns Turn-off time: 427ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 80A Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZ75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65NH5 | Infineon technologies | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IKZ75N65NH5 | Infineon Technologies | Description: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 59 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 166 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 59 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 166 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65NH5XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ75N65NH5XKSA1 - IKZ75N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZ75N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 207 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 429 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA100N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 140A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off) Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 95 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 330 W | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA40N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA40N120CH7XKSA1 - IGBT, 95 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 95A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005578267 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/176ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 1.78mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 208 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package | auf Bestellung 251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package | auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 210 W | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA40N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA40N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 74A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038198 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 96 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off) Gate Charge: 372 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 398 W | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 103 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038204 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 274W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Hybrid Cool SiC IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off) Gate Charge: 550 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 109 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 549 W | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 338W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 56 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 152 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 338 W | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 2683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038216 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038220 | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IKZA75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N75EH7XKSA1 | Infineon Technologies | High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||
| IKZA75N75EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 84 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/183ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 341 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|