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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.17 EUR
30+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
25+5.72 EUR
100+5.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
110+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 274
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/294ns
Switching Energy: 770µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.54 EUR
10+8.03 EUR
25+7.57 EUR
100+6.49 EUR
240+5.86 EUR
480+4.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5Infineon technologies
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5XKSAInfineon TechnologiesDescription: IKZ50N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ50N65NH5XKSA1 - IKZ50N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/252ns
Switching Energy: 350µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EH5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EH5Infineon technologies
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.97 EUR
10+10.33 EUR
240+7.81 EUR
480+6.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5Infineon technologies
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 268W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 436nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+11.70 EUR
25+11.02 EUR
100+10.49 EUR
240+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 536
Anzahl der Pins: 4
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 268W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 436nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/405ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.23 EUR
10+9.52 EUR
25+8.57 EUR
100+7.59 EUR
240+7.15 EUR
480+6.79 EUR
1200+6.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.83 EUR
13+11.39 EUR
50+8.51 EUR
100+8.17 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZ75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.42V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65NH5Infineon technologies
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65NH5Infineon TechnologiesDescription: IKZ75N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/412ns
Switching Energy: 880µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65NH5XKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IKZ75N65NH5XKSA1 - IKZ75N65 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65NH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 429 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 429W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.96 EUR
10+13.94 EUR
25+9.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 1.24mJ (on), 1.22mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 207 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 429 W
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
30+9.01 EUR
120+8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.97 EUR
10+12.88 EUR
25+8.20 EUR
100+7.20 EUR
480+6.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.15 EUR
30+7.67 EUR
120+6.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N120CH7XKSA1 - IGBT, 95 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 95A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesSP005578267
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.30 EUR
10+12.25 EUR
25+8.47 EUR
100+7.62 EUR
240+7.59 EUR
480+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+8.73 EUR
25+6.39 EUR
100+5.42 EUR
240+5.10 EUR
480+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 49.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/134ns
Switching Energy: 370µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 210 W
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.70 EUR
30+6.11 EUR
120+5.10 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 210 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038198
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/165ns
Switching Energy: 140µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 398W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 96 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/333ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.42mJ (off)
Gate Charge: 372 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.28 EUR
30+9.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.63 EUR
10+13.82 EUR
25+8.89 EUR
100+8.52 EUR
240+8.50 EUR
480+7.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 250 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/142ns
Switching Energy: 440µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 103 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.74 EUR
30+6.76 EUR
120+5.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.05 EUR
10+9.61 EUR
25+7.11 EUR
100+6.05 EUR
240+5.70 EUR
480+5.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038204
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650 V, 80 A, 305W, To-247, 1.65 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 200µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.39 EUR
30+7.80 EUR
120+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.72 EUR
10+9.13 EUR
25+8.22 EUR
100+7.27 EUR
240+6.85 EUR
480+6.51 EUR
1200+6.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 274W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 274W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip Hybrid CoolSiC TM IGBT 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.82 EUR
10+14.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/140ns
Switching Energy: 230µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.68 EUR
30+11.83 EUR
120+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.12 EUR
10+14.08 EUR
25+10.52 EUR
100+9.73 EUR
240+9.66 EUR
2640+8.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesHybrid Cool SiC IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 109A 549W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 109A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/359ns
Switching Energy: 2.01mJ (on), 1.76mJ (off)
Gate Charge: 550 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 109 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.52 EUR
30+11.70 EUR
120+9.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.91 EUR
10+15.80 EUR
25+10.67 EUR
100+9.75 EUR
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IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 56 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/199ns
Switching Energy: 750µJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 338 W
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.71 EUR
30+8.63 EUR
120+7.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.31 EUR
10+11.69 EUR
25+8.64 EUR
100+7.44 EUR
240+7.15 EUR
480+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 338 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.58 EUR
30+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.50 EUR
21+7.04 EUR
25+6.30 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+12.04 EUR
25+8.94 EUR
100+8.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+9.52 EUR
100+8.80 EUR
500+8.12 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038216
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+9.52 EUR
100+8.80 EUR
500+8.12 EUR
1000+7.38 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038220
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.74 EUR
30+13.85 EUR
120+11.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.47 EUR
10+19.78 EUR
25+13.13 EUR
50+13.11 EUR
100+12.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZA75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKZA75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 S5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH