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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
STYEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE TRON BOX COVER UNIT
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STYBussmann / EatonControl Switches STY
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STY100NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 50 V
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STY100NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 98A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY100NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600V 0.025 Ohm 98A MDmesh II FET
auf Bestellung 557 Stücke:
Lieferzeit 945-959 Tag (e)
1+68.98 EUR
10+ 63.62 EUR
25+ 62.69 EUR
100+ 53.51 EUR
STY100NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 98A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY100NS20FDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
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STY105NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STY105NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V
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STY105NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY105NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY105NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY105NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 126-140 Tag (e)
1+59.93 EUR
25+ 49.66 EUR
100+ 46.54 EUR
250+ 41.29 EUR
STY112N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STY112N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+87.65 EUR
10+ 85.85 EUR
25+ 70.23 EUR
50+ 69.84 EUR
100+ 66.25 EUR
250+ 66.2 EUR
600+ 66.14 EUR
STY112N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
STY112N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STY112N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY112N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STY112N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY112N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870 pF @ 100 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+87.05 EUR
30+ 72.94 EUR
120+ 68.08 EUR
STY112N65M5 (Transistor)
Produktcode: 52936		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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STY130NF20DSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
STY130NF20DSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY130NF20DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 130A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
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STY139N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 78A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STY139N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 78A
Power dissipation: 625W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STY139N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 100 V
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STY139N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY139N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY139N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+85.23 EUR
25+ 70.64 EUR
100+ 66.22 EUR
600+ 59.67 EUR
1200+ 58.99 EUR
STY139N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STY139N65M5
Produktcode: 60140		Transistoren > MOSFET N-CH
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STY140NS10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 140 A
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STY140NS10module
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY140NS10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+35.65 EUR
STY140NS10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY145N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY145N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY145N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 87A; 625W; MAX247
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 87A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: MAX247
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STY145N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STY145N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY145N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 87A; 625W; MAX247
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ V
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 87A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: MAX247
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
STY145N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+107.41 EUR
25+ 95.71 EUR
100+ 84.03 EUR
250+ 84.01 EUR
1200+ 82.34 EUR
3000+ 82.24 EUR
STY145N65M5-ESSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY15NA100
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY16NA90
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY16V
auf Bestellung 49500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY16VD
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY16VTA
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY25NA60STTO-247
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY26600
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY30N50E
auf Bestellung 35150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY30N50EonsemiDescription: NFET T0264 SPCL 500V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 5550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
58+12.51 EUR
Mindestbestellmenge: 58
STY30NA50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 500V 30A 3-Pin(3+Tab) Max247
Produkt ist nicht verfügbar
STY30NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STY30NK90Z
auf Bestellung 4099 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY30NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 26A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY34NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 34A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
STY34NB50
Produktcode: 160783		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STY34NB50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STY34NB50F
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STY34NB50FSTMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
STY50N105DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY50N105DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: MAX247
Produkt ist nicht verfügbar
STY50N105DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+28.06 EUR
10+ 25.78 EUR
25+ 24.07 EUR
100+ 21.41 EUR
250+ 20.46 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STY50N105DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STY50N105DK5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 650-664 Tag (e)
1+66.74 EUR
25+ 55.33 EUR
100+ 51.87 EUR
250+ 45.42 EUR
600+ 44.51 EUR
STY50N105DK5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY50N105DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
STY50N105DK5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W
Drain-source voltage: 1.05kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SuperMESH5™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 625W
Mounting: THT
Case: MAX247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STY60NA20
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STY60NA30
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STY60NK30ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3
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Lieferzeit 569-583 Tag (e)
2+30.78 EUR
10+ 28.29 EUR
25+ 27.64 EUR
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600+ 21.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STY60NK30ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
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STY60NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY60NK30ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STY60NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 60 A, 0.033 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STY60NK30ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 450W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STY60NK30ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY60NK30ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 450W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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STY60NK30Z
Produktcode: 11235		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
STY60NM50STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STY60NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560W
Bauform - Transistor: MAX-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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10+ 25.13 EUR
25+ 23.58 EUR
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STY60NM50
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STY60NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 13 Stücke:
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4+21.74 EUR
5+ 15.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+27.28 EUR
10+ 25.13 EUR
25+ 23.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
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STY60NM50STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp
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1+56.21 EUR
10+ 55.46 EUR
25+ 46.72 EUR
50+ 46.02 EUR
100+ 42.59 EUR
300+ 37.99 EUR
STY60NM50STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.74 EUR
5+ 15.57 EUR
30+ 15.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY60NM50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+56.55 EUR
30+ 46.87 EUR
120+ 43.95 EUR
510+ 37.5 EUR
STY60NM50STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STY60NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.8A; Idm: 60A; 460W; MAX247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 37.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: MAX247
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
STY60NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY60NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+20.5 EUR
10+ 18.91 EUR
25+ 17.75 EUR
100+ 15.76 EUR
250+ 14.78 EUR
500+ 13.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STY60NM60STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 60 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
STY60NM60STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.8A; Idm: 60A; 460W; MAX247
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 37.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: MAX247
On-state resistance: 55mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
STY60NM60STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+53.56 EUR
30+ 44.41 EUR
120+ 41.63 EUR
510+ 35.53 EUR
STY60NM60STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY80NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 447W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
STY80NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 74A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY80NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 74A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
STY80NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 74A Power II Mdmesh
Produkt ist nicht verfügbar
STYLUS 720InterlightDescription: Replacement for Olympus Stylus 7
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
STYLUS 720SWInterlightDescription: Replacement for Olympus Stylus 7
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
STYLUS 730InterlightDescription: Replacement for Olympus Stylus 7
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
STYLUS-1Banner Engineering CorporationDescription: STYLUS FOR IVU TOUCH SCREEN (1 O
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Ivu Touch Screen
Accessory Type: Stylus
Produkt ist nicht verfügbar
STYLUS-1Banner EngineeringBanner Engineering Stylus for iVu touch screen (1 only)
Produkt ist nicht verfügbar
STYLUS-10Banner EngineeringTest Accessories - Other Stylus for iVu touch screen (pack of 10)
Produkt ist nicht verfügbar
STYLUS-CAPBrady CorporationDescription: STYLUS FOR CAPACITIVE DISPLAYS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Capacitive Touchscreens
Accessory Type: Stylus
Part Status: Active
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+41.44 EUR
10+ 37.68 EUR
STYN1640
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STYN616SIRECTIFIERIt=16A; Vdrm=600V; Igt=25mA; Replacement for: TYN616RG; STYN616 SIRECTIFIER TY016tyn616 SIR
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25