Produkte > NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. > Alle Produkte des Herstellers NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC. (676) > Seite 7 nach 12
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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MBR400100CT | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBR50040CT | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBR50040CTR | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBR50045CT | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBR50045CTR | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MBR60100 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MBR60100R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 100V 60A DO5 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MBR6060 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A DO5 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MBR6060R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 60V 60A DO5 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MBR80100 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MBR80100R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 100V 80A DO5Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MBRF200150 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MBRF200150R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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MBRF500100 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF500100R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50020 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 20V 250A TO244AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50030 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50030R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50035 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50035R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50045 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50045R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50060 | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF50060R | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF600200 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-244AB Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: TO-244AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF600200R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-244AB Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: TO-244AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRF60020R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOT 20V 300A TO244AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-244AB Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: TO-244AB Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBRH12040R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 120A D-67Packaging: Bulk Package / Case: D-67 HALF-PAK Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 120A Supplier Device Package: D-67 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT20060R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MBRT40045 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 200A 3TOWER |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSRTA20060AD | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MSRTA20060D | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 200APackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MUR2505 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE STANDARD 50V 25A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| MUR2505R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE STANDARD REV 50V 25A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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MUR2510 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE STANDARD 100V 25A DO4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MUR2X030A10 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 78 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MUR2X060A02 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X060A06 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MUR2X100A02 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MUR2X100A04 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227 |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUR2X120A10 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MURTA20060 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MURTA20060R | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6025C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6025C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF |
auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NV6026C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NV6026C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NV6027 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6027 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF |
auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NV6028 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN |
auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NV6028 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6029 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6029 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V |
auf Bestellung 2634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NV6044C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6044C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA |
auf Bestellung 2317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NV6048C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6048C | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6048C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6048C-RA | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NV6113 | Navitas Semiconductor, Inc. |
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: PWM Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Output Configuration: High Side or Low Side Rds On (Typ): 300mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V Current - Output (Max): 5A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Part Status: Active Current: 5 A Voltage: 650 V |
auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MBR400100CT |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 204.6 EUR |
| MBR50040CT |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR50040CTR |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER
Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 250A 2TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR50045CT |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR50045CTR |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR60100 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR60100R |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY REV 100V 60A DO5
Description: DIODE SCHOTTKY REV 100V 60A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR6060 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A DO5
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 60A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR6060R |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY REV 60V 60A DO5
Description: DIODE SCHOTTKY REV 60V 60A DO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR80100 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR80100R |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY REV 100V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTKY REV 100V 80A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 80A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF200150 |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF200150R |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 150V TO-244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF500100 |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF500100R |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 100V TO-244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50020 |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 20V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 20V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50030 |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50030R |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 30V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50035 |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50035R |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 35V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50045 |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50045R |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 45V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50060 |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF50060R |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 250A TO244AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF600200 |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF600200R |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Description: DIODE MOD SCHOTTKY 200V TO-244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRF60020R |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOT 20V 300A TO244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 20V 300A TO244AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-244AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: TO-244AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBRH12040R |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
Description: DIODE SCHOTTKY REV 40V 120A D-67
Packaging: Bulk
Package / Case: D-67 HALF-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 120A
Supplier Device Package: D-67
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 128.37 EUR |
| 36+ | 90.18 EUR |
| MBRT20060R |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 186.54 EUR |
| MBRT40045 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 200A 3TOWER
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 200A 3TOWER
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 230 EUR |
| 40+ | 181.15 EUR |
| MSRTA20060AD |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSRTA20060D |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GEN PURP 600V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2505 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 50V 25A DO4
Description: DIODE STANDARD 50V 25A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2505R |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD REV 50V 25A DO4
Description: DIODE STANDARD REV 50V 25A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2510 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE STANDARD 100V 25A DO4
Description: DIODE STANDARD 100V 25A DO4
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X030A10 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Description: DIODE MODULE GP 1000V 30A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X060A02 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 60A SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 97.58 EUR |
| MUR2X060A06 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Description: DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A02 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR2X100A04 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A SOT227
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 106.96 EUR |
| MUR2X120A10 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Description: DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA20060 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURTA20060R |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6025C |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6025C |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 170MOHM PQF
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.75 EUR |
| 10+ | 7.88 EUR |
| 50+ | 6.21 EUR |
| 100+ | 5.68 EUR |
| 500+ | 5.24 EUR |
| NV6026C |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.35 EUR |
| 10+ | 8.31 EUR |
| 50+ | 6.56 EUR |
| 100+ | 6 EUR |
| 500+ | 5.6 EUR |
| NV6026C |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 150MOHM PQF
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 4.58 EUR |
| NV6027 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NV6027 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM PQF
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.96 EUR |
| 10+ | 10.14 EUR |
| 50+ | 8.08 EUR |
| 100+ | 7.41 EUR |
| 500+ | 7.21 EUR |
| NV6028 |
![]() |
Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
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|---|---|
| 1+ | 22.04 EUR |
| 10+ | 15.26 EUR |
| 50+ | 12.36 EUR |
| 100+ | 12.02 EUR |
| NV6028 |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
Description: GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
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| NV6029 |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
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| NV6029 |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
Description: GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 6V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 24mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 400 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.58 EUR |
| 10+ | 19.37 EUR |
| 50+ | 16.21 EUR |
| NV6044C |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
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| NV6044C |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 260MOHM DPA
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.91 EUR |
| 10+ | 4.52 EUR |
| 50+ | 3.49 EUR |
| 100+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 2.58 EUR |
| NV6048C |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
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| NV6048C |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
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| NV6048C-RA |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
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Stück im Wert von UAH
| NV6048C-RA |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
Description: GANFET DISCRETE 650V 120MOHM DPA
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| NV6113 |
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Hersteller: Navitas Semiconductor, Inc.
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
Description: MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: PWM
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC)
Output Configuration: High Side or Low Side
Rds On (Typ): 300mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 24V
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Current: 5 A
Voltage: 650 V
auf Bestellung 979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.82 EUR |
| 10+ | 4.36 EUR |
| 25+ | 3.99 EUR |
| 100+ | 3.58 EUR |
| 250+ | 3.39 EUR |
| 500+ | 3.34 EUR |










