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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMJS1D5N04CLTWG NTMJS1D5N04CLTWG ONSEMI 2850025.pdf Description: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
100+2.25 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWG NJVMJK45H11TWG ONSEMI mjk45h11-d.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWG NJVMJK45H11TWG ONSEMI mjk45h11-d.pdf Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40300CTWG NSS40300CTWG ONSEMI nss40300ct-d.pdf Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40300CTWG NSS40300CTWG ONSEMI nss40300ct-d.pdf Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C300CTWG NSS1C300CTWG ONSEMI Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
117+1.99 EUR
176+1.23 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRD1035CTLT4G MBRD1035CTLT4G ONSEMI 2354261.pdf Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
168+1.39 EUR
190+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRD1035CTLT4G MBRD1035CTLT4G ONSEMI 2354261.pdf Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
168+1.39 EUR
190+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRD660CTT4G MBRD660CTT4G ONSEMI mbrd620ct-d.pdf Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
179+1.3 EUR
206+1.05 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV214RSQT2G NCV214RSQT2G ONSEMI 2711393.pdf Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.77 EUR
125+1.86 EUR
186+1.15 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV214RSQT2G NCV214RSQT2G ONSEMI 2711393.pdf Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
125+1.86 EUR
186+1.15 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ270 MMBFJ270 ONSEMI ONSM-S-A0003590106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBFJ270 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -15 mA, 2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -15mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2V
auf Bestellung 58874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
249+0.93 EUR
387+0.56 EUR
508+0.42 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ4688T1G MMSZ4688T1G ONSEMI mmsz4678t1-d.pdf Description: ONSEMI - MMSZ4688T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
776+0.32 EUR
1257+0.19 EUR
1969+0.11 EUR
2646+0.081 EUR
10500+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 776 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZMMSZ5230BT1G SZMMSZ5230BT1G ONSEMI 2878990.pdf Description: ONSEMI - SZMMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.52 EUR
794+0.3 EUR
1452+0.14 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ4V7T1G MMSZ4V7T1G ONSEMI ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP163ASN330T1G NCP163ASN330T1G ONSEMI 2711390.pdf Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 61154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.89 EUR
399+0.58 EUR
503+0.43 EUR
562+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74AC14MTCX 74AC14MTCX ONSEMI 2298472.pdf Description: ONSEMI - 74AC14MTCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
210+1.11 EUR
309+0.69 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4148 FDLL4148 ONSEMI ONSM-S-A0013660486-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8772+0.029 EUR
10527+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 8772 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5937BT3G 1SMA5937BT3G ONSEMI 2140502.pdf Description: ONSEMI - 1SMA5937BT3G - Zener-Diode, Universal, 33 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
375+0.62 EUR
625+0.35 EUR
1038+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74VHC86DR2G MC74VHC86DR2G ONSEMI 1878599.pdf Description: ONSEMI - MC74VHC86DR2G - XOR-Gatter, 74VHC86, 2 Eingänge, 2V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74VHC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74VHC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.86 EUR
376+0.62 EUR
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1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74AC86DR2G MC74AC86DR2G ONSEMI MC74AC86-D.PDF Description: ONSEMI - MC74AC86DR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 74AC86
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SC431AVSNT1G SC431AVSNT1G ONSEMI 2236974.pdf Description: ONSEMI - SC431AVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - programmierbar, 2.5V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.525V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.475V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SC431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, programmierbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
360+0.64 EUR
415+0.51 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CM1213A-04SO CM1213A-04SO ONSEMI 2236812.pdf Description: ONSEMI - CM1213A-04SO - ESD-Schutzbaustein, 4 Kanäle, 9.9 V, SC-74, 6 Pin(s), 3.3 V, CM1213
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CM1213
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.86 EUR
216+1.08 EUR
334+0.64 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
H11D1SR2M H11D1SR2M ONSEMI MOC8204M-D.pdf Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
140+1.67 EUR
153+1.4 EUR
169+1.27 EUR
188+1.14 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
H11D1SR2M H11D1SR2M ONSEMI MOC8204M-D.pdf Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
140+1.67 EUR
153+1.4 EUR
169+1.27 EUR
188+1.14 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTG NXH020P120MNF1PTG ONSEMI 3708148.pdf Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+293.13 EUR
5+252.3 EUR
10+214.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTG NXH010P120MNF1PTG ONSEMI NXH010P120MNF1-D.PDF Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+328.92 EUR
5+285.25 EUR
10+244.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PTG NXH040P120MNF1PTG ONSEMI ONSM-S-A0014762558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+254.08 EUR
5+216.69 EUR
10+182.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHG ONSEMI 4073654.pdf Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+356.9 EUR
5+320.91 EUR
10+286.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNG NXH004P120M3F2PTNG ONSEMI nxh004p120m3f2ptng-d.pdf Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+564.25 EUR
5+513.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHG ONSEMI 4073655.pdf Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+159.44 EUR
5+144.68 EUR
10+130.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNG NXH003P120M3F2PTNG ONSEMI 4018418.pdf Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+535.24 EUR
5+487.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PNG NXH004P120M3F2PNG ONSEMI nxh004p120m3f2png-d.pdf Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+653.29 EUR
5+594.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHG NXH006P120M3F2PTHG ONSEMI 4332486.pdf Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+356.95 EUR
5+320.94 EUR
10+286.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHG ONSEMI 4332487.pdf Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+392.64 EUR
5+353.04 EUR
10+315.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHG ONSEMI 4332488.pdf Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+354.11 EUR
5+307.97 EUR
10+265.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
333+0.75 EUR
459+0.51 EUR
794+0.27 EUR
1072+0.2 EUR
1292+0.17 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC856ALT1G SBC856ALT1G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.51 EUR
794+0.27 EUR
1072+0.2 EUR
1292+0.17 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MM3Z5V6C MM3Z5V6C ONSEMI ONSM-S-A0013776797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
auf Bestellung 6585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.56 EUR
981+0.24 EUR
1268+0.17 EUR
1606+0.13 EUR
1839+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI 706319.pdf Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7WBD3306USG 7WBD3306USG ONSEMI 2255405.pdf Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+1.15 EUR
303+0.77 EUR
388+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7WBD3306USG 7WBD3306USG ONSEMI 2255405.pdf Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+1.15 EUR
303+0.77 EUR
388+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW32LT1G BCW32LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013215051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1G SMMBTA06LT1G ONSEMI mmbta05lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.58 EUR
834+0.27 EUR
1511+0.14 EUR
1580+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM224DR2G LM224DR2G ONSEMI 2236828.pdf Description: ONSEMI - LM224DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.79 EUR
459+0.51 EUR
599+0.36 EUR
690+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848BLT1G BC848BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1548+0.15 EUR
2110+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3534+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MICROFJ-SMA-40035-GEVB MICROFJ-SMA-40035-GEVB ONSEMI MICROFJ-SMA-40035-GEVB_Web.pdf Description: ONSEMI - MICROFJ-SMA-40035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-40035, 3 SMA-Steckverbinder, Vorspannung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MICROFJ-40035-TSV
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-40035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+856.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC550CTA BC550CTA ONSEMI BC550-D.PDF Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
430+0.58 EUR
715+0.32 EUR
1008+0.21 EUR
1286+0.17 EUR
1471+0.14 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSD4448 MMSD4448 ONSEMI ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSD4448 MMSD4448 ONSEMI ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP5501DT33RKG NCP5501DT33RKG ONSEMI 1748771.pdf Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
129+1.81 EUR
196+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BTT1G BC857BTT1G ONSEMI 2354480.pdf Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4017+0.062 EUR
9000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 4017 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1G ONSEMI 3817110.pdf Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 39714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1600+0.14 EUR
2093+0.1 EUR
2711+0.079 EUR
3650+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SNUP2114UCMR6T1G SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI 2907086.pdf Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 171960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
231+1.01 EUR
358+0.6 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SNUP2114UCMR6T1G SNUP2114UCMR6T1G ONSEMI 2907086.pdf Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 171960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
231+1.01 EUR
358+0.6 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC14490DWR2G MC14490DWR2G ONSEMI MC14490-D.PDF Description: ONSEMI - MC14490DWR2G - Kontakt-Entpreller, sechsfach, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Kontakt-Entpreller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.39 EUR
145+1.61 EUR
163+1.32 EUR
182+1.18 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FNB33060T FNB33060T ONSEMI fnb33060t-d.pdf Description: ONSEMI - FNB33060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+48.94 EUR
10+38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV317BD2TR4G NCV317BD2TR4G ONSEMI 2160677.pdf Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
205+1.13 EUR
273+0.79 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD8008MUTAG ESD8008MUTAG ONSEMI ESD8008-D.PDF Description: ONSEMI - ESD8008MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, UDFN, 14 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: UDFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZMM5Z15VT1G SZMM5Z15VT1G ONSEMI 2236793.pdf Description: ONSEMI - SZMM5Z15VT1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+1.19 EUR
290+0.8 EUR
463+0.46 EUR
614+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D5N04CLTWG 2850025.pdf
NTMJS1D5N04CLTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.93 EUR
66+3.55 EUR
100+2.25 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWG mjk45h11-d.pdf
NJVMJK45H11TWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
68+3.72 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NJVMJK45H11TWG mjk45h11-d.pdf
NJVMJK45H11TWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.72 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40300CTWG nss40300ct-d.pdf
NSS40300CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.55 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS40300CTWG nss40300ct-d.pdf
NSS40300CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 175hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.55 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSS1C300CTWG
NSS1C300CTWG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS1C300CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.4 EUR
117+1.99 EUR
176+1.23 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRD1035CTLT4G 2354261.pdf
MBRD1035CTLT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
132+1.9 EUR
168+1.39 EUR
190+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRD1035CTLT4G 2354261.pdf
MBRD1035CTLT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD1035CTLT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 560mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
132+1.9 EUR
168+1.39 EUR
190+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRD660CTT4G mbrd620ct-d.pdf
MBRD660CTT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD660CTT4G - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRD6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.99 EUR
179+1.3 EUR
206+1.05 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV214RSQT2G 2711393.pdf
NCV214RSQT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.77 EUR
125+1.86 EUR
186+1.15 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV214RSQT2G 2711393.pdf
NCV214RSQT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV214RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 60 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 100V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 60kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.77 EUR
125+1.86 EUR
186+1.15 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ270 ONSM-S-A0003590106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBFJ270
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ270 - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -15 mA, 2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -15mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2V
auf Bestellung 58874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
155+1.62 EUR
249+0.93 EUR
387+0.56 EUR
508+0.42 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ4688T1G mmsz4678t1-d.pdf
MMSZ4688T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4688T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
776+0.32 EUR
1257+0.19 EUR
1969+0.11 EUR
2646+0.081 EUR
10500+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 776 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZMMSZ5230BT1G 2878990.pdf
SZMMSZ5230BT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMSZ5230BT1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMMSZ52xxxT1G Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.52 EUR
794+0.3 EUR
1452+0.14 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSZ4V7T1G ONSMS11028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ4V7T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP163ASN330T1G 2711390.pdf
NCP163ASN330T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP163ASN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 2.2V bis 5.5V, 105mV Dropout, 3.3V/250mAout, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 250mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.2V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 250mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 250mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 105mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 105mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 61154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
282+0.89 EUR
399+0.58 EUR
503+0.43 EUR
562+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74AC14MTCX 2298472.pdf
74AC14MTCX
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC14MTCX - Inverter, Schmitt-Trigger, 74AC14, 1 Eingang, 24mA, 2V bis 6V, TSSOP-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Sechs
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.89 EUR
210+1.11 EUR
309+0.69 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDLL4148 ONSM-S-A0013660486-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDLL4148
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4148 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: FDLL4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8772+0.029 EUR
10527+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 8772 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SMA5937BT3G 2140502.pdf
1SMA5937BT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5937BT3G - Zener-Diode, Universal, 33 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.9 EUR
375+0.62 EUR
625+0.35 EUR
1038+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74VHC86DR2G 1878599.pdf
MC74VHC86DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC86DR2G - XOR-Gatter, 74VHC86, 2 Eingänge, 2V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74VHC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74VHC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
293+0.86 EUR
376+0.62 EUR
449+0.48 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC74AC86DR2G MC74AC86-D.PDF
MC74AC86DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC86DR2G - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 74AC86
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: 74AC
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC86
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SC431AVSNT1G 2236974.pdf
SC431AVSNT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SC431AVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - programmierbar, 2.5V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.525V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.475V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SC431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, programmierbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+1.09 EUR
360+0.64 EUR
415+0.51 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CM1213A-04SO 2236812.pdf
CM1213A-04SO
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CM1213A-04SO - ESD-Schutzbaustein, 4 Kanäle, 9.9 V, SC-74, 6 Pin(s), 3.3 V, CM1213
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CM1213
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
135+1.86 EUR
216+1.08 EUR
334+0.64 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
H11D1SR2M MOC8204M-D.pdf
H11D1SR2M
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: Y
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
99+2.55 EUR
140+1.67 EUR
153+1.4 EUR
169+1.27 EUR
188+1.14 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
H11D1SR2M MOC8204M-D.pdf
H11D1SR2M
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - H11D1SR2M - Optokoppler, 1 Kanal, DIP, Oberflächenmontage, 6 Pin(s), 80 mA, 4.17 kV, 20 %
tariffCode: 85414090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 20%
isCanonical: N
Isolationsspannung: 4.17kV
Durchlassstrom If, max.: 80mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300V
Bauform - Optokoppler: DIP, Oberflächenmontage
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
140+1.67 EUR
153+1.4 EUR
169+1.27 EUR
188+1.14 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH020P120MNF1PTG 3708148.pdf
NXH020P120MNF1PTG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+293.13 EUR
5+252.3 EUR
10+214.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH010P120MNF1PTG NXH010P120MNF1-D.PDF
NXH010P120MNF1PTG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+328.92 EUR
5+285.25 EUR
10+244.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH040P120MNF1PTG ONSM-S-A0014762558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NXH040P120MNF1PTG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+254.08 EUR
5+216.69 EUR
10+182.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH008T120M3F2PTHG 4073654.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+356.9 EUR
5+320.91 EUR
10+286.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PTNG nxh004p120m3f2ptng-d.pdf
NXH004P120M3F2PTNG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+564.25 EUR
5+513.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011T120M3F2PTHG 4073655.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+159.44 EUR
5+144.68 EUR
10+130.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH003P120M3F2PTNG 4018418.pdf
NXH003P120M3F2PTNG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+535.24 EUR
5+487.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH004P120M3F2PNG nxh004p120m3f2png-d.pdf
NXH004P120M3F2PNG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+653.29 EUR
5+594.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH006P120M3F2PTHG 4332486.pdf
NXH006P120M3F2PTHG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+356.95 EUR
5+320.94 EUR
10+286.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH007F120M3F2PTHG 4332487.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+392.64 EUR
5+353.04 EUR
10+315.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXH011F120M3F2PTHG 4332488.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+354.11 EUR
5+307.97 EUR
10+265.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC856ALT1G 2353764.pdf
SBC856ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
333+0.75 EUR
459+0.51 EUR
794+0.27 EUR
1072+0.2 EUR
1292+0.17 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 333 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SBC856ALT1G 2353764.pdf
SBC856ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.51 EUR
794+0.27 EUR
1072+0.2 EUR
1292+0.17 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MM3Z5V6C ONSM-S-A0013776797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MM3Z5V6C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
auf Bestellung 6585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
445+0.56 EUR
981+0.24 EUR
1268+0.17 EUR
1606+0.13 EUR
1839+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTS4173PT1G 706319.pdf
NTS4173PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.15 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7WBD3306USG 2255405.pdf
7WBD3306USG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
216+1.15 EUR
303+0.77 EUR
388+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7WBD3306USG 2255405.pdf
7WBD3306USG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 7WBD3306USG - Bus-Schalter, 2 Kanäle, 7 ohm, US8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: -
Bauform - Logikbaustein: US8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: US8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Versorgungsspannung, min.: 4V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Durchlasswiderstand, max.: 7ohm
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
216+1.15 EUR
303+0.77 EUR
388+0.55 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW32LT1G ONSM-S-A0013215051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW32LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
SMMBTA06LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.58 EUR
834+0.27 EUR
1511+0.14 EUR
1580+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM224DR2G 2236828.pdf
LM224DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM224DR2G - Operationsverstärker, vierfach, 4 Kanäle, 1 MHz, 0.6 V/µs, 3V bis 32V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 32V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.6V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 0.6V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: -90nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 1MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
317+0.79 EUR
459+0.51 EUR
599+0.36 EUR
690+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC848BLT1G ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC848BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1548+0.15 EUR
2110+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3534+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MICROFJ-SMA-40035-GEVB MICROFJ-SMA-40035-GEVB_Web.pdf
MICROFJ-SMA-40035-GEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MICROFJ-SMA-40035-GEVB - Evaluationsboard, SiPM-Sensor MicroFJ-40035, 3 SMA-Steckverbinder, Vorspannung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: MICROFJ-40035-TSV
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard MICROFJ-40035-TSV
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Silizium-Photomultiplier-Sensor (SiPM)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: J-Series SiPM Sensor
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+856.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC550CTA BC550-D.PDF
BC550CTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC550CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
430+0.58 EUR
715+0.32 EUR
1008+0.21 EUR
1286+0.17 EUR
1471+0.14 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSD4448 ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSD4448
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMSD4448 ONSM-S-A0003587715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSD4448
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSD4448 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSD4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP5501DT33RKG 1748771.pdf
NCP5501DT33RKG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5501DT33RKG - LDO-Festspannungsregler, 18Vin, 230mV Dropout-Spannung, 3.3V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 500mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
129+1.81 EUR
196+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BTT1G 2354480.pdf
BC857BTT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4017+0.062 EUR
9000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 4017 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G 3817110.pdf
MMBT3906LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 39714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1600+0.14 EUR
2093+0.1 EUR
2711+0.079 EUR
3650+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SNUP2114UCMR6T1G 2907086.pdf
SNUP2114UCMR6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 171960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
231+1.01 EUR
358+0.6 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SNUP2114UCMR6T1G 2907086.pdf
SNUP2114UCMR6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SNUP2114UCMR6T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, TSOP, 6 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSOP
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 171960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
231+1.01 EUR
358+0.6 EUR
508+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC14490DWR2G MC14490-D.PDF
MC14490DWR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14490DWR2G - Kontakt-Entpreller, sechsfach, 3V bis 18V, SOIC-16
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Logiktyp: Kontakt-Entpreller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+2.39 EUR
145+1.61 EUR
163+1.32 EUR
182+1.18 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FNB33060T fnb33060t-d.pdf
FNB33060T
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB33060T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPM27-RA, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: Y-EX
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPM27-RA
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+48.94 EUR
10+38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCV317BD2TR4G 2160677.pdf
NCV317BD2TR4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Eingangsspannung, max.: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 1273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
146+1.71 EUR
205+1.13 EUR
273+0.79 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD8008MUTAG ESD8008-D.PDF
ESD8008MUTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8008MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 8.1 V, UDFN, 14 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: UDFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8.1V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SZMM5Z15VT1G 2236793.pdf
SZMM5Z15VT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM5Z15VT1G - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM5ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
211+1.19 EUR
290+0.8 EUR
463+0.46 EUR
614+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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