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RLZTE-1133A RLZTE-1133A Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
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RLZTE-1133B RLZTE-1133B Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
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RLZTE-1133C RLZTE-1133C Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
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RLZTE-1136A RLZTE-1136A Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
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RLZTE-1136B RLZTE-1136B Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
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RLZTE-1136C RLZTE-1136C Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
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RLZTE-1139D RLZTE-1139D Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
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RLZTE-1139C RLZTE-1139C Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: LLDS
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 30 V
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RLZTE-114.7C RLZTE-114.7C Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
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RLZTE-113.6A RLZTE-113.6A Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW LL34
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RLZTE-113.6B RLZTE-113.6B Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW LL34
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RLZTE-113.9B RLZTE-113.9B Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW LL34
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RLZTE-114.3A RLZTE-114.3A Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
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RLZTE-114.3C RLZTE-114.3C Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
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RLZTE-114.7A RLZTE-114.7A Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
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RLZTE-114.7B RLZTE-114.7B Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
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RLZTE-113.9A RLZTE-113.9A Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW LL34
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RLZTE-1120B RLZTE-1120B Rohm Semiconductor RLZ_Series.pdf Description: DIODE ZENER 19.1V 500MW LLDS
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UDZTE-175.1B UDZTE-175.1B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW UMD2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TDZTR5.1 TDZTR5.1 Rohm Semiconductor datasheet?p=TDZ5.1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
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PTZTE255.6A PTZTE255.6A Rohm Semiconductor ptz_series_spec.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS
auf Bestellung 3000 Stücke:
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UDZTE-175.6B UDZTE-175.6B Rohm Semiconductor udz_series_datasheet.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TDZTR6.2 TDZTR6.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
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TDZTR6.8 TDZTR6.8 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
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TDZTR7.5 TDZTR7.5 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
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TDZTR8.2 TDZTR8.2 Rohm Semiconductor tdz10.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
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RPM960-H14E3A Rohm Semiconductor RPM960-H14.pdf Description: MODULE IRDA 1152KBPS 8SMD
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RPM873-E2 Rohm Semiconductor RPM873.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM870-H14E2 Rohm Semiconductor RPM870-H14.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM872-E2A Rohm Semiconductor RPM872.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM882-H14E2 Rohm Semiconductor RPM882-H14.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 8.00mm x 2.90mm x 2.40mm
Data Rate: 115.2kbs (SIR)
Standards: IrDA 1.2
Link Range, Low Power: 20cm, 60cm
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 80 µA
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RPM882-H12E4 Rohm Semiconductor RPM882-H12.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM872-H12E4A Rohm Semiconductor RPM872-H12.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM873-E2A Rohm Semiconductor RPM873.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM873-E4A Rohm Semiconductor RPM873.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM871-E4A RPM871-E4A Rohm Semiconductor RPM871.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM870-H14E2A Rohm Semiconductor RPM870-H14.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM871-E4 Rohm Semiconductor RPM871.pdf Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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RPM973-H11E2A RPM973-H11E2A Rohm Semiconductor RPM973-H11.pdf Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 6.80mm x 2.44mm x 1.70mm
Data Rate: 4Mbs (FIR)
Standards: IrDA 1.4
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 1 mA
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RPM973-H16E4A RPM973-H16E4A Rohm Semiconductor RPM973-H16.pdf Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
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QS6J11TR QS6J11TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
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RUM002N02T2L RUM002N02T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.07 EUR
16000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
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RUR020N02TL RUR020N02TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RUR020N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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RW1C020UNT2R RW1C020UNT2R Rohm Semiconductor datasheet?p=RW1C020UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
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RSS100N03FU6TB RSS100N03FU6TB Rohm Semiconductor rss100n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS105N03FU6TB RSS105N03FU6TB Rohm Semiconductor rss105n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS110N03FU6TB RSS110N03FU6TB Rohm Semiconductor rss110n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
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RSS120N03FU6TB RSS120N03FU6TB Rohm Semiconductor rss120n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS125N03FU6TB RSS125N03FU6TB Rohm Semiconductor rss125n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS130N03FU6TB RSS130N03FU6TB Rohm Semiconductor rss130n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
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R5016ANX R5016ANX Rohm Semiconductor r5016anx.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
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RSR020N06TL RSR020N06TL Rohm Semiconductor rsr020n06-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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RSS080N05FU6TB RSS080N05FU6TB Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP
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SP8K5FU6TB SP8K5FU6TB Rohm Semiconductor sp8k5.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
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SP8K31TB1 SP8K31TB1 Rohm Semiconductor sp8k31.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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SP8K1FU6TB SP8K1FU6TB Rohm Semiconductor sp8k1.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
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SP8K2FU6TB SP8K2FU6TB Rohm Semiconductor sp8k2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
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SP8K3FU6TB SP8K3FU6TB Rohm Semiconductor sp8k3.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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SP8K4FU6TB SP8K4FU6TB Rohm Semiconductor sp8k4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K22FU6TB SP8K22FU6TB Rohm Semiconductor sp8k22.pdf Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1133A RLZ_Series.pdf
RLZTE-1133A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1133B RLZ_Series.pdf
RLZTE-1133B
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1133C RLZ_Series.pdf
RLZTE-1133C
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 31.1V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1136A RLZ_Series.pdf
RLZTE-1136A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1136B RLZ_Series.pdf
RLZTE-1136B
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1136C RLZ_Series.pdf
RLZTE-1136C
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 33.6V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1139D RLZ_Series.pdf
RLZTE-1139D
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1139C RLZ_Series.pdf
RLZTE-1139C
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36.3V 500MW LLDS
Tolerance: ±3%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: LLDS
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 30 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-114.7C RLZ_Series.pdf
RLZTE-114.7C
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-113.6A RLZ_Series.pdf
RLZTE-113.6A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW LL34
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-113.6B RLZ_Series.pdf
RLZTE-113.6B
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW LL34
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-113.9B RLZ_Series.pdf
RLZTE-113.9B
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW LL34
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-114.3A RLZ_Series.pdf
RLZTE-114.3A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-114.3C RLZ_Series.pdf
RLZTE-114.3C
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-114.7A RLZ_Series.pdf
RLZTE-114.7A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-114.7B RLZ_Series.pdf
RLZTE-114.7B
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-113.9A RLZ_Series.pdf
RLZTE-113.9A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW LL34
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RLZTE-1120B RLZ_Series.pdf
RLZTE-1120B
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 19.1V 500MW LLDS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UDZTE-175.1B udz_series_datasheet.pdf
UDZTE-175.1B
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW UMD2
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDZTR5.1 datasheet?p=TDZ5.1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
TDZTR5.1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW TUMD2
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PTZTE255.6A ptz_series_spec.pdf
PTZTE255.6A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W PMDS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UDZTE-175.6B udz_series_datasheet.pdf
UDZTE-175.6B
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 200MW UMD2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDZTR6.2 tdz10.pdf
TDZTR6.2
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW TUMD2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDZTR6.8 tdz10.pdf
TDZTR6.8
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW TUMD2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDZTR7.5 tdz10.pdf
TDZTR7.5
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW TUMD2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDZTR8.2 tdz10.pdf
TDZTR8.2
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW TUMD2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM960-H14E3A RPM960-H14.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 1152KBPS 8SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM873-E2 RPM873.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM870-H14E2 RPM870-H14.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM872-E2A RPM872.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM882-H14E2 RPM882-H14.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 8.00mm x 2.90mm x 2.40mm
Data Rate: 115.2kbs (SIR)
Standards: IrDA 1.2
Link Range, Low Power: 20cm, 60cm
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 80 µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM882-H12E4 RPM882-H12.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM872-H12E4A RPM872-H12.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM873-E2A RPM873.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM873-E4A RPM873.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM871-E4A RPM871.pdf
RPM871-E4A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM870-H14E2A RPM870-H14.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM871-E4 RPM871.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM973-H11E2A RPM973-H11.pdf
RPM973-H11E2A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Size: 6.80mm x 2.44mm x 1.70mm
Data Rate: 4Mbs (FIR)
Standards: IrDA 1.4
Voltage - Supply: 2.4 V ~ 3.6 V
Idle Current, Typ @ 25°C: 1 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RPM973-H16E4A RPM973-H16.pdf
RPM973-H16E4A
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MODULE IRDA 4MBPS FIR COMPATBL S
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TR datasheet?p=QS6J11&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QS6J11TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RUM002N02T2L datasheet?p=RUM002N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N02T2L
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.07 EUR
16000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RUR020N02TL datasheet?p=RUR020N02&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUR020N02TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RW1C020UNT2R datasheet?p=RW1C020UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW1C020UNT2R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS100N03FU6TB rss100n03.pdf
RSS100N03FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS105N03FU6TB rss105n03.pdf
RSS105N03FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS110N03FU6TB rss110n03.pdf
RSS110N03FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS120N03FU6TB rss120n03.pdf
RSS120N03FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS125N03FU6TB rss125n03.pdf
RSS125N03FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS130N03FU6TB rss130n03.pdf
RSS130N03FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R5016ANX r5016anx.pdf
R5016ANX
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSR020N06TL rsr020n06-e.pdf
RSR020N06TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RSS080N05FU6TB
RSS080N05FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K5FU6TB sp8k5.pdf
SP8K5FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K31TB1 sp8k31.pdf
SP8K31TB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K1FU6TB sp8k1.pdf
SP8K1FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K2FU6TB sp8k2.pdf
SP8K2FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K3FU6TB sp8k3.pdf
SP8K3FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K4FU6TB sp8k4.pdf
SP8K4FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SP8K22FU6TB sp8k22.pdf
SP8K22FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC
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