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6EDL04N065PRXUMA1 6EDL04N065PRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-6EDL04x065xR_6EDL04N03PR-DataSheet-v02_00-EN.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
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6EDL04N065PTXUMA1 6EDL04N065PTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-6EDL04x065xT-DataSheet-v02_00-EN.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
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6EDL04N06PT 6EDL04N06PT Infineon Technologies Infineon-6EDL04-DataSheet-v02_08-EN.pdf Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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6EDL04N06PTXUMA1 6EDL04N06PTXUMA1 Infineon Technologies Infineon-6EDL04-DataSheet-v02_08-EN.pdf Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
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BSC014N06NS BSC014N06NS Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NS-DataSheet-v02_06-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NS-DataSheet-v02_06-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N06NST-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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BSC034N06NS BSC034N06NS Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
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BSC094N06LS5ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC094N06LS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
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CMS04N06Y-HF CMS04N06Y-HF Comchip Technology QW-JTR58 CMS04N06Y-HF RevB.PDF MOSFETs MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 4A SOT-223
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI114N06PQ DI114N06PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83E83C9015EAA0D5&compId=di114n06pq.pdf?ci_sign=7a24353d7aa1261447708b58d921e27fdd632ff3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.97 EUR
41+1.77 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI114N06PQ DI114N06PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83E83C9015EAA0D5&compId=di114n06pq.pdf?ci_sign=7a24353d7aa1261447708b58d921e27fdd632ff3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4994 Stücke:
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37+1.97 EUR
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IPB014N06N IPB014N06N Infineon Technologies Infineon-IPB014N06N-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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10+4.93 EUR
100+3.92 EUR
500+3.5 EUR
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2000+2.8 EUR
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IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 48 Stücke:
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16+4.69 EUR
17+4.46 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB014N06N-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 1413 Stücke:
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1+6.65 EUR
10+4.33 EUR
100+3.43 EUR
500+3.29 EUR
1000+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB034N06N3GATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3 G IPD034N06N3 G Infineon Technologies Infineon-IPD034N06N3-DS-v02_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 184 Stücke:
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1+3.73 EUR
10+2.41 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.82 EUR
33+2.23 EUR
38+1.89 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.82 EUR
33+2.23 EUR
38+1.89 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD14N06S2_80-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.57 EUR
200+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2 IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
25+3.5 EUR
100+3.29 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1 ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISG0614N06NM5H-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.93 EUR
100+3.52 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.97 EUR
3000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1 ISG0614N06NM5HSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISG0614N06NM5HSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.6 EUR
10+5.32 EUR
100+3.8 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.29 EUR
3000+3.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ034N06LM5ATMA1 ISZ034N06LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ034N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.62 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.41 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M85049/2924N06 M85049/2924N06 Amphenol Pcd Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV ST NICKEL SZ 24
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.89 EUR
10+59.68 EUR
25+49.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4G ON-Semicoductor ntd24n06l-d.pdf e96d41a3aaa04fd2572f442ab880ba04.pdf N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4G NTD24N06LT4G onsemi 6E74A54031C9871A790753A70E8C5B4F98D5667EBDCCC4F79CC7C0EE334ACF0E.pdf MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
auf Bestellung 10162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.57 EUR
100+1.24 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CLTWG onsemi NTMJS1D4N06CL-D.PDF MOSFETs T6 60V LL LFPAK
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.75 EUR
10+3.47 EUR
100+2.66 EUR
500+2.18 EUR
3000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST1D4N06CLTXG NTMJST1D4N06CLTXG onsemi NTMJST1D4N06CL-D.PDF MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.42 EUR
10+2.87 EUR
100+2.11 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
3000+1.39 EUR
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NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CLTWG onsemi NTMYS014N06CL-D.PDF MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+1.5 EUR
100+1.19 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.81 EUR
6000+0.75 EUR
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NVMFD024N06CT1G NVMFD024N06CT1G onsemi 35A794EB1BB579F423B7AD90CBAC23A0217C8F181E9A5653D8A03B6E48922A15.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
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NVMFS024N06CT1G NVMFS024N06CT1G onsemi NVMFS024N06C-D.PDF MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
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NVMFWD024N06CT1G NVMFWD024N06CT1G onsemi NVMFD024N06C-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
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NVMFWS024N06CT1G NVMFWS024N06CT1G onsemi 7779F96386143A138F06A7A3A3494821AABA4983CA3135773D25A1645BB0A4F8.pdf MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)
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NVMJST1D4N06CLTXG NVMJST1D4N06CLTXG onsemi NVMJST1D4N06CL-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package
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NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG onsemi NVMYS014N06CL-D.PDF MOSFETs 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
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NVTFS024N06CTAG NVTFS024N06CTAG onsemi NVTFS024N06C-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
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NVTFWS024N06CTAG NVTFWS024N06CTAG onsemi 1FFA73EB10A38EA371423C10EAF2B1238F20BC512422625C0DF51325CB90C2A8.pdf MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
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R1524N060B-TR-FE R1524N060B-TR-FE Nisshinbo r1524-ea.pdf LDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
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R1524N060B-TR-KE R1524N060B-TR-KE Nisshinbo r1524-ec.pdf LDO Voltage Regulators Low Supply Current 36V Input 200mA Voltage Regulator for Automotive Applications
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WA 14N0620k MYG Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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WA 14N0620k MYG Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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WA 14N0680k MYG Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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WA 14N0680k MYG Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k
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WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 214 Stücke:
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64+1.13 EUR
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WMB034N06HG4 WMB034N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
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65+1.12 EUR
75+0.95 EUR
96+0.75 EUR
98+0.73 EUR
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WMB034N06LG4 WMB034N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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WMLL014N06HG4 WMLL014N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 378A
Pulsed drain current: 1512A
Power dissipation: 454.5W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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1+71.5 EUR
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6EDL04N06PT Infineon
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BSC014N06NS Infineon technologies
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BSC014N06NS Infineon
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BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30; Qg, нКл = 89 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 156; PG-TDSON-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NS Infineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D4N06L FAIRCHILD 04+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD104N06 EUPEC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD104N06K EUPEC 05+
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04N065PRXUMA1 Infineon-6EDL04x065xR_6EDL04N03PR-DataSheet-v02_00-EN.pdf
6EDL04N065PRXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
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Anzahl Preis
1+6.32 EUR
10+4.19 EUR
25+3.84 EUR
100+3.29 EUR
250+3.13 EUR
500+2.82 EUR
1000+2.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04N065PTXUMA1 Infineon-6EDL04x065xT-DataSheet-v02_00-EN.pdf
6EDL04N065PTXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Anzahl Preis
1+7.13 EUR
10+4.75 EUR
25+4.42 EUR
100+3.89 EUR
250+3.68 EUR
500+3.29 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04N06PT Infineon-6EDL04-DataSheet-v02_08-EN.pdf
6EDL04N06PT
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.18 EUR
10+4.77 EUR
25+4.4 EUR
100+3.84 EUR
250+3.63 EUR
500+3.27 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04N06PTXUMA1 Infineon-6EDL04-DataSheet-v02_08-EN.pdf
6EDL04N06PTXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.91 EUR
10+3.66 EUR
25+3.27 EUR
100+2.85 EUR
250+2.75 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.57 EUR
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BSC014N06NS Infineon-BSC014N06NS-DataSheet-v02_06-EN.pdf
BSC014N06NS
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.76 EUR
10+3.75 EUR
100+2.94 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.22 EUR
5000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1 Infineon-BSC014N06NS-DataSheet-v02_06-EN.pdf
BSC014N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 6578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.63 EUR
10+3.7 EUR
100+2.59 EUR
500+2.29 EUR
1000+2.24 EUR
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5000+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSTATMA1 Infineon-BSC014N06NST-DataSheet-v02_02-EN.pdf
BSC014N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3576 Stücke:
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1+4.4 EUR
10+3.52 EUR
100+2.97 EUR
500+2.78 EUR
5000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NS Infineon-BSC034N06NS-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSC034N06NS
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 1586 Stücke:
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Anzahl Preis
1+4.08 EUR
10+2.62 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1 Infineon-BSC034N06NS-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSC034N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 14646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.68 EUR
10+1.28 EUR
100+1.2 EUR
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1000+1.18 EUR
5000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC094N06LS5ATMA1 Infineon-BSC094N06LS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf
BSC094N06LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 7861 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.22 EUR
10+1.29 EUR
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5000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CMS04N06Y-HF QW-JTR58 CMS04N06Y-HF RevB.PDF
CMS04N06Y-HF
Hersteller: Comchip Technology
MOSFETs MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 4A SOT-223
auf Bestellung 2671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.3 EUR
10+0.8 EUR
100+0.53 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.32 EUR
4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI114N06PQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83E83C9015EAA0D5&compId=di114n06pq.pdf?ci_sign=7a24353d7aa1261447708b58d921e27fdd632ff3
DI114N06PQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
41+1.77 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI114N06PQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83E83C9015EAA0D5&compId=di114n06pq.pdf?ci_sign=7a24353d7aa1261447708b58d921e27fdd632ff3
DI114N06PQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
41+1.77 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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IPB014N06N Infineon-IPB014N06N-DS-v02_02-en.pdf
IPB014N06N
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.43 EUR
10+4.93 EUR
100+3.92 EUR
500+3.5 EUR
1000+2.97 EUR
2000+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c
IPB014N06NATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
17+4.46 EUR
32+2.26 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB014N06NATMA1 Infineon-IPB014N06N-DS-v02_02-en.pdf
IPB014N06NATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.65 EUR
10+4.33 EUR
100+3.43 EUR
500+3.29 EUR
1000+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB034N06N3GATMA2 Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3 G Infineon-IPD034N06N3-DS-v02_00-en.pdf
IPD034N06N3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.73 EUR
10+2.41 EUR
100+1.65 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.28 EUR
2500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.82 EUR
33+2.23 EUR
38+1.89 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.82 EUR
33+2.23 EUR
38+1.89 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
56+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD14N06S280ATMA2 Infineon-IPD14N06S2_80-DS-v01_00-en.pdf
IPD14N06S280ATMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 3065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.51 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.57 EUR
200+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_03-EN.pdf
IPP014N06NF2SAKMA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.07 EUR
25+3.5 EUR
100+3.29 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.74 EUR
13+5.79 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon-ISG0614N06NM5H-DataSheet-v02_00-EN.pdf
ISG0614N06NM5HATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.08 EUR
10+4.93 EUR
100+3.52 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.97 EUR
3000+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISG0614N06NM5HSCATMA1 Infineon-ISG0614N06NM5HSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf
ISG0614N06NM5HSCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.6 EUR
10+5.32 EUR
100+3.8 EUR
500+3.4 EUR
1000+3.29 EUR
3000+3.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ034N06LM5ATMA1 Infineon-ISZ034N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf
ISZ034N06LM5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.94 EUR
10+2.62 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.41 EUR
5000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
M85049/2924N06
M85049/2924N06
Hersteller: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV ST NICKEL SZ 24
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+69.89 EUR
10+59.68 EUR
25+49.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4G ntd24n06l-d.pdf e96d41a3aaa04fd2572f442ab880ba04.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD24N06LT4G 6E74A54031C9871A790753A70E8C5B4F98D5667EBDCCC4F79CC7C0EE334ACF0E.pdf
NTD24N06LT4G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
auf Bestellung 10162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.95 EUR
10+1.57 EUR
100+1.24 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJS1D4N06CLTWG NTMJS1D4N06CL-D.PDF
NTMJS1D4N06CLTWG
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.75 EUR
10+3.47 EUR
100+2.66 EUR
500+2.18 EUR
3000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMJST1D4N06CLTXG NTMJST1D4N06CL-D.PDF
NTMJST1D4N06CLTXG
Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.42 EUR
10+2.87 EUR
100+2.11 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
3000+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CL-D.PDF
NTMYS014N06CLTWG
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.27 EUR
10+1.5 EUR
100+1.19 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.81 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFD024N06CT1G 35A794EB1BB579F423B7AD90CBAC23A0217C8F181E9A5653D8A03B6E48922A15.pdf
NVMFD024N06CT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
auf Bestellung 25413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+2.92 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.5 EUR
1500+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFS024N06CT1G NVMFS024N06C-D.PDF
NVMFS024N06CT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.39 EUR
10+1.69 EUR
100+1.17 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.92 EUR
1500+0.76 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWD024N06CT1G NVMFD024N06C-D.PDF
NVMFWD024N06CT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.49 EUR
10+2.92 EUR
100+2.01 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.44 EUR
1500+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMFWS024N06CT1G 7779F96386143A138F06A7A3A3494821AABA4983CA3135773D25A1645BB0A4F8.pdf
NVMFWS024N06CT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.31 EUR
10+1.62 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
1500+0.78 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMJST1D4N06CLTXG NVMJST1D4N06CL-D.PDF
NVMJST1D4N06CLTXG
Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package
auf Bestellung 7099 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.2 EUR
10+4.05 EUR
100+2.99 EUR
500+2.66 EUR
1000+2.52 EUR
3000+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CL-D.PDF
NVMYS014N06CLTWG
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
auf Bestellung 3626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.72 EUR
10+1.17 EUR
100+0.89 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.63 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFS024N06CTAG NVTFS024N06C-D.PDF
NVTFS024N06CTAG
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.43 EUR
10+1.56 EUR
100+1.03 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVTFWS024N06CTAG 1FFA73EB10A38EA371423C10EAF2B1238F20BC512422625C0DF51325CB90C2A8.pdf
NVTFWS024N06CTAG
Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.82 EUR
10+1.8 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
1500+0.77 EUR
3000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R1524N060B-TR-FE r1524-ea.pdf
R1524N060B-TR-FE
Hersteller: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.61 EUR
10+2.31 EUR
25+2.06 EUR
100+1.69 EUR
250+1.47 EUR
500+1.4 EUR
1000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R1524N060B-TR-KE r1524-ec.pdf
R1524N060B-TR-KE
Hersteller: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low Supply Current 36V Input 200mA Voltage Regulator for Automotive Applications
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.05 EUR
10+3.33 EUR
25+3.08 EUR
100+2.68 EUR
250+2.53 EUR
1000+1.71 EUR
3000+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WA 14N0620k
Hersteller: MYG
Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WA 14N0620k
Hersteller: MYG
Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WA 14N0680k
Hersteller: MYG
Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WA 14N0680k
Hersteller: MYG
Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
86+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06HG4
WMB034N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
75+0.95 EUR
96+0.75 EUR
98+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB034N06LG4
WMB034N06LG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMLL014N06HG4
WMLL014N06HG4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 378A
Pulsed drain current: 1512A
Power dissipation: 454.5W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04N06PT
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 424000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NS
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NS
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 365000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30; Qg, нКл = 89 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 156; PG-TDSON-8
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NS
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 215000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D4N06L
Hersteller: FAIRCHILD
04+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD104N06
Hersteller: EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD104N06K
Hersteller: EUPEC
05+
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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