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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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6EDL04N065PRXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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6EDL04N065PTXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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6EDL04N06PT | Infineon Technologies |
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT |
auf Bestellung 2576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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6EDL04N06PTXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT |
auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC014N06NS | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS |
auf Bestellung 7183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC014N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS |
auf Bestellung 4623 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC014N06NSTATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 3523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC034N06NS | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 1261 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC034N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 14586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC094N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 47A; 36W; PG-TDSON-8; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 47A Power dissipation: 36W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Electrical mounting: SMT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC094N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
auf Bestellung 6489 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DI114N06PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 72.5A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 63.8W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DI114N06PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 72.5A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 63.8W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4994 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPB014N06N | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPB014N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB014N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 |
auf Bestellung 1277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB034N06N3GATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Case: TO263-7 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Electrical mounting: SMT |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD034N06N3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD034N06N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD034N06N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 167W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPD14N06S280ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
auf Bestellung 2613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP024N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP024N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ISG0614N06NM5HATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 3026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISG0614N06NM5HSCATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISZ034N06LM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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M85049/2924N06 | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV ST NICKEL SZ 24 |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTD24N06LT4G | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06LAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTD24N06LT4G | onsemi |
MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET |
auf Bestellung 9345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMJS1D4N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs T6 60V LL LFPAK |
auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMJST1D4N06CLTXG | onsemi |
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 |
auf Bestellung 2820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMYS014N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFD024N06CT1G | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A |
auf Bestellung 25413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFS024N06CT1G | onsemi |
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFWD024N06CT1G | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMFWS024N06CT1G | onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks) |
auf Bestellung 1330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMJST1D4N06CLTXG | onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package |
auf Bestellung 6539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVMYS014N06CLTWG | onsemi |
MOSFETs 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel |
auf Bestellung 3626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFS024N06CTAG | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, |
auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVTFWS024N06CTAG | onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R1524N060B-TR-FE | Nisshinbo |
LDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator |
auf Bestellung 2881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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R1524N060B-TR-KE | Nisshinbo |
LDO Voltage Regulators Low Supply Current 36V Input 200mA Voltage Regulator for Automotive Applications |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| WA 14N0620k | MYG |
Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| WA 14N0620k | MYG |
Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| WA 14N0680k | MYG |
Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| WA 14N0680k | MYG |
Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMB014N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMB014N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMB034N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMB034N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMB034N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMB034N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMLL014N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 378A Pulsed drain current: 1512A Power dissipation: 454.5W Case: TOLL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMLL014N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 378A Pulsed drain current: 1512A Power dissipation: 454.5W Case: TOLL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 6EDL04N06PT | Infineon |
auf Bestellung 424000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC014N06NS | Infineon |
auf Bestellung 365000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC014N06NS | Infineon technologies |
auf Bestellung 502 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 6EDL04N065PRXUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.32 EUR |
| 10+ | 4.19 EUR |
| 25+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 3.29 EUR |
| 250+ | 3.13 EUR |
| 500+ | 2.82 EUR |
| 1000+ | 2.57 EUR |
| 6EDL04N065PTXUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.13 EUR |
| 10+ | 4.75 EUR |
| 25+ | 4.42 EUR |
| 100+ | 3.89 EUR |
| 250+ | 3.68 EUR |
| 500+ | 3.29 EUR |
| 1000+ | 2.76 EUR |
| 6EDL04N06PT |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.18 EUR |
| 10+ | 4.77 EUR |
| 25+ | 4.4 EUR |
| 100+ | 3.84 EUR |
| 250+ | 3.63 EUR |
| 500+ | 3.27 EUR |
| 1000+ | 2.75 EUR |
| 6EDL04N06PTXUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
Gate Drivers 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.96 EUR |
| 10+ | 3.73 EUR |
| 25+ | 3.41 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| 250+ | 2.9 EUR |
| 500+ | 2.8 EUR |
| 1000+ | 2.68 EUR |
| BSC014N06NS |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 7183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.76 EUR |
| 10+ | 3.75 EUR |
| 100+ | 2.94 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
| 1000+ | 2.22 EUR |
| 5000+ | 1.94 EUR |
| BSC014N06NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 4623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.63 EUR |
| 10+ | 3.7 EUR |
| 100+ | 2.59 EUR |
| 500+ | 2.29 EUR |
| 1000+ | 2.27 EUR |
| 2500+ | 2.25 EUR |
| 5000+ | 1.94 EUR |
| BSC014N06NSTATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.29 EUR |
| 10+ | 3.61 EUR |
| 100+ | 3.04 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 5000+ | 2.36 EUR |
| BSC034N06NS |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.08 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 5000+ | 1.17 EUR |
| BSC034N06NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 14586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.54 EUR |
| 10+ | 1.28 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| 5000+ | 1.17 EUR |
| BSC094N06LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 47A; 36W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 47A; 36W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.41 EUR |
| BSC094N06LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 6489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.22 EUR |
| 10+ | 1.29 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| 2500+ | 0.62 EUR |
| 5000+ | 0.55 EUR |
| DI114N06PQ |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.83 EUR |
| 44+ | 1.64 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| DI114N06PQ |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.83 EUR |
| 44+ | 1.64 EUR |
| 50+ | 1.44 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| IPB014N06N |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.43 EUR |
| 10+ | 4.93 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.5 EUR |
| 1000+ | 2.97 EUR |
| 2000+ | 2.8 EUR |
| IPB014N06NATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.35 EUR |
| 18+ | 3.99 EUR |
| 23+ | 3.2 EUR |
| 26+ | 2.83 EUR |
| IPB014N06NATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 4.35 EUR |
| 18+ | 3.99 EUR |
| 23+ | 3.2 EUR |
| 26+ | 2.83 EUR |
| 50+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 2.37 EUR |
| 200+ | 2.19 EUR |
| IPB014N06NATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6
auf Bestellung 1277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.78 EUR |
| 10+ | 4.42 EUR |
| 100+ | 3.5 EUR |
| 500+ | 3.29 EUR |
| 1000+ | 2.8 EUR |
| IPB034N06N3GATMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 100A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.79 EUR |
| IPD034N06N3 G |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.73 EUR |
| 10+ | 2.41 EUR |
| 100+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.28 EUR |
| 2500+ | 1.11 EUR |
| IPD034N06N3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 29+ | 2.55 EUR |
| 36+ | 2.02 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| IPD034N06N3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 29+ | 2.55 EUR |
| 36+ | 2.02 EUR |
| 41+ | 1.76 EUR |
| 55+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| IPD14N06S280ATMA2 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
auf Bestellung 2613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 0.53 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 2500+ | 0.42 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 2.57 EUR |
| 200+ | 2.32 EUR |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.93 EUR |
| 25+ | 3.47 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
| IPP024N06N3GXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 6.23 EUR |
| 14+ | 5.36 EUR |
| 17+ | 4.3 EUR |
| IPP024N06N3GXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 6.23 EUR |
| 14+ | 5.36 EUR |
| 17+ | 4.3 EUR |
| 50+ | 3.73 EUR |
| 250+ | 3.66 EUR |
| ISG0614N06NM5HATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 3026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.08 EUR |
| 10+ | 4.93 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 2.97 EUR |
| 3000+ | 2.82 EUR |
| ISG0614N06NM5HSCATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.6 EUR |
| 10+ | 5.32 EUR |
| 100+ | 3.8 EUR |
| 500+ | 3.4 EUR |
| 1000+ | 3.29 EUR |
| 3000+ | 3.1 EUR |
| ISZ034N06LM5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.03 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 2500+ | 1.36 EUR |
| 5000+ | 1.24 EUR |
| M85049/2924N06 |
Hersteller: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV ST NICKEL SZ 24
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV ST NICKEL SZ 24
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 69.89 EUR |
| 10+ | 59.68 EUR |
| 25+ | 49.26 EUR |
| NTD24N06LT4G |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.3 EUR |
| NTD24N06LT4G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET
auf Bestellung 9345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.56 EUR |
| 10+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| NTMJS1D4N06CLTWG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
MOSFETs T6 60V LL LFPAK
auf Bestellung 2090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.75 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.87 EUR |
| 1000+ | 2.57 EUR |
| 3000+ | 1.55 EUR |
| NTMJST1D4N06CLTXG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
MOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.42 EUR |
| 10+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.64 EUR |
| 3000+ | 1.39 EUR |
| NTMYS014N06CLTWG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel
MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel
auf Bestellung 2905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.31 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 3000+ | 0.79 EUR |
| NVMFD024N06CT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
auf Bestellung 25413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.49 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| 1500+ | 1.42 EUR |
| NVMFS024N06CT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.41 EUR |
| 10+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
| 1500+ | 0.78 EUR |
| NVMFWD024N06CT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.49 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 1500+ | 1.42 EUR |
| NVMFWS024N06CT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.32 EUR |
| 10+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.91 EUR |
| 1500+ | 0.78 EUR |
| NVMJST1D4N06CLTXG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package
auf Bestellung 6539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.2 EUR |
| 10+ | 4.05 EUR |
| 100+ | 2.99 EUR |
| 500+ | 2.66 EUR |
| 1000+ | 2.52 EUR |
| 3000+ | 2.13 EUR |
| NVMYS014N06CLTWG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
MOSFETs 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
auf Bestellung 3626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.74 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 3000+ | 0.55 EUR |
| NVTFS024N06CTAG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.45 EUR |
| 10+ | 1.57 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 1500+ | 0.7 EUR |
| NVTFWS024N06CTAG |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL,
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 1500+ | 0.77 EUR |
| 3000+ | 0.75 EUR |
| R1524N060B-TR-FE |
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Hersteller: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low supply Current LDO Regulator
auf Bestellung 2881 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.61 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 25+ | 2.06 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 250+ | 1.47 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| R1524N060B-TR-KE |
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Hersteller: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low Supply Current 36V Input 200mA Voltage Regulator for Automotive Applications
LDO Voltage Regulators Low Supply Current 36V Input 200mA Voltage Regulator for Automotive Applications
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.05 EUR |
| 10+ | 3.33 EUR |
| 25+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 250+ | 2.53 EUR |
| 1000+ | 1.71 EUR |
| 3000+ | 1.65 EUR |
| WA 14N0620k |
Hersteller: MYG
Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.21 EUR |
| WA 14N0620k |
Hersteller: MYG
Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Varistor voltage: 620V; operating voltage: 385VAC; 505VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 128.0J Varistor JVR-14N 621K WA 14N0620k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.28 EUR |
| WA 14N0680k |
Hersteller: MYG
Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.3 EUR |
| WA 14N0680k |
Hersteller: MYG
Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Varistor voltage: 680V; operating voltage: 420VAC; 560VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 130.0J Varistor JVR-14N 681K WA 14N0680k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.3 EUR |
| WMB014N06LG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 65+ | 1.1 EUR |
| 70+ | 1.03 EUR |
| 79+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.85 EUR |
| WMB014N06LG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 65+ | 1.1 EUR |
| 70+ | 1.03 EUR |
| 79+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.85 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 3000+ | 0.79 EUR |
| WMB034N06HG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 68+ | 1.06 EUR |
| 79+ | 0.91 EUR |
| 90+ | 0.8 EUR |
| WMB034N06HG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 68+ | 1.06 EUR |
| 79+ | 0.91 EUR |
| 90+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
| 3000+ | 0.69 EUR |
| WMB034N06LG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.65 EUR |
| WMB034N06LG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
| 3000+ | 0.7 EUR |
| WMLL014N06HG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 378A
Pulsed drain current: 1512A
Power dissipation: 454.5W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 378A
Pulsed drain current: 1512A
Power dissipation: 454.5W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| WMLL014N06HG4 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 378A
Pulsed drain current: 1512A
Power dissipation: 454.5W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 378A; Idm: 1512A; 454.5W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 378A
Pulsed drain current: 1512A
Power dissipation: 454.5W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 25+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 1.43 EUR |
| 6EDL04N06PT |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 424000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC014N06NS |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 365000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSC014N06NS |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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