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SI4432 wireless module SI4432 wireless module
Produktcode: 84546 		si4430-31-32.pdf Modulare Elemente > IC Radiomodule
Beschreibung: Empfanger-Sender bis 1000 Meter Modul; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate :0.123-256kbps;
Strom,V: 1,8...3,6
6: RF
Bemerkung: 433 MHz
Інтерфейс: FIFO
auf Bestellung 25 Stück:
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1+6.16 EUR
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4430bd.pdf MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+ 2.43 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.63 EUR
1000+ 1.54 EUR
SI4430BDY-T1-GE3 SI4430BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4430bd.pdf MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+ 2.53 EUR
100+ 2.01 EUR
250+ 1.94 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.44 EUR
2500+ 1.39 EUR
SI4431-B1-FM SI4431-B1-FM Silicon Labs Si4430_31_32-1397927.pdf RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 179 Stücke:
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1+16.83 EUR
10+ 15.31 EUR
25+ 12.5 EUR
100+ 11.6 EUR
250+ 10.56 EUR
500+ 9.5 EUR
2450+ 9.49 EUR
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
76+ 0.95 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
76+ 0.95 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4431bd.pdf MOSFET 30V (D-S) 7.5A
auf Bestellung 14995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+ 1.43 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.77 EUR
2500+ 0.72 EUR
5000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4431bd.pdf MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
auf Bestellung 7437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+ 1.43 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.77 EUR
2500+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay / Siliconix si4431cd.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 18178 Stücke:
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2+1.42 EUR
10+ 1.26 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.61 EUR
2500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 81
SI4431CDY-T1-GE3 Siliconix si4431cd.pdf P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 81
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4431cd.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 22883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+ 1.04 EUR
100+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
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SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4432-B1-FM SI4432-B1-FM Silicon Labs Si4430_31_32-1397927.pdf RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 1 Stücke:
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1+18.92 EUR
10+ 17.2 EUR
25+ 14.26 EUR
100+ 13.08 EUR
250+ 11.88 EUR
500+ 10.7 EUR
2450+ 10.45 EUR
SI4432-V2-FM SI4432-V2-FM Silicon Laboratories si4432.pdf RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4434ady.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 4336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.22 EUR
10+ 2.69 EUR
100+ 2.15 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.53 EUR
2500+ 1.45 EUR
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4434dy.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+ 4.33 EUR
100+ 3.48 EUR
500+ 2.87 EUR
1000+ 2.38 EUR
2500+ 2.27 EUR
5000+ 2.16 EUR
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.29 EUR
72+ 2.11 EUR
100+ 1.99 EUR
200+ 1.9 EUR
500+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 69
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4434dy.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.45 EUR
10+ 3.73 EUR
25+ 3.54 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.87 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.48 EUR
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
167+ 0.43 EUR
176+ 0.41 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 131
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
131+0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
167+ 0.43 EUR
176+ 0.41 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 131
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 2181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+ 0.97 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.49 EUR
2500+ 0.44 EUR
5000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
395+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 395
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
259+0.6 EUR
284+ 0.51 EUR
337+ 0.42 EUR
340+ 0.39 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 259
SI4435DDY-T1-GE3 Siliconix si4435ddy.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 50
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 26576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+ 0.99 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.48 EUR
2500+ 0.45 EUR
5000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.56 EUR
294+ 0.51 EUR
343+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 279
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 435000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+ 0.29 EUR
10000+ 0.27 EUR
25000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 435000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+ 0.29 EUR
10000+ 0.27 EUR
25000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.55 EUR
17500+ 0.48 EUR
35000+ 0.43 EUR
52500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+0.96 EUR
165+ 0.92 EUR
172+ 0.84 EUR
238+ 0.59 EUR
250+ 0.54 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 163
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 393
SI4435DY SI4435DY ONSEMI SI4435DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.76 EUR
73+ 0.99 EUR
103+ 0.7 EUR
107+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41
SI4435DY SI4435DY ONSEMI SI4435DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.76 EUR
73+ 0.99 EUR
103+ 0.7 EUR
107+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41
SI4435DY SI4435DY onsemi / Fairchild SI4435DY_D-2320030.pdf MOSFET 30V SinGLE P-Ch
auf Bestellung 11355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.46 EUR
10+ 1.14 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.7 EUR
2500+ 0.66 EUR
5000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.17 EUR
161+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 61
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
161+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 61
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Infineon Technologies si4435dypbf-1733039.pdf description MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
auf Bestellung 6565 Stücke:
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2+1.59 EUR
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1000+ 0.68 EUR
2000+ 0.65 EUR
4000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Infineon Technologies si4435dy.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
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143+ 1.05 EUR
146+ 1 EUR
175+ 0.8 EUR
250+ 0.74 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.42 EUR
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SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Infineon Technologies si4435dy.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
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SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Infineon Technologies si4435dy.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Infineon Technologies si4435dy.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
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SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Infineon Technologies si4435dy.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
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295+0.53 EUR
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SI4435DYTRPBF SI4435DYTRPBF Infineon Technologies si4435dy.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
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115+1.36 EUR
117+ 1.29 EUR
141+ 1.04 EUR
200+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.54 EUR
4000+ 0.46 EUR
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SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
161+ 0.45 EUR
226+ 0.32 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 129
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY si4435fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
161+ 0.45 EUR
226+ 0.32 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 129
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4435fdy.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 214766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+ 0.6 EUR
100+ 0.33 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.21 EUR
10000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4436dy.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
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2+1.47 EUR
10+ 1.2 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.65 EUR
2500+ 0.59 EUR
5000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-E3 Vishay si4436dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.86 EUR
216+ 0.7 EUR
223+ 0.65 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 182
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4436dy.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 11287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.47 EUR
10+ 1.2 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.65 EUR
2500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4438-B1C-FMR SI4438-B1C-FMR Silicon Laboratories si4438.pdf RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 27
SI4432 wireless module
Produktcode: 84546		 si4430-31-32.pdf
SI4432 wireless module
Modulare Elemente > IC Radiomodule
Beschreibung: Empfanger-Sender bis 1000 Meter Modul; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate :0.123-256kbps;
Strom,V: 1,8...3,6
6: RF
Bemerkung: 433 MHz
Інтерфейс: FIFO
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.16 EUR
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Si4430BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.92 EUR
10+ 2.43 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.63 EUR
1000+ 1.54 EUR
SI4430BDY-T1-GE3 si4430bd.pdf
SI4430BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.04 EUR
10+ 2.53 EUR
100+ 2.01 EUR
250+ 1.94 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.44 EUR
2500+ 1.39 EUR
SI4431-B1-FM Si4430_31_32-1397927.pdf
SI4431-B1-FM
Hersteller: Silicon Labs
RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+16.83 EUR
10+ 15.31 EUR
25+ 12.5 EUR
100+ 11.6 EUR
250+ 10.56 EUR
500+ 9.5 EUR
2450+ 9.49 EUR
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
76+ 0.95 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
76+ 0.95 EUR
95+ 0.76 EUR
101+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V (D-S) 7.5A
auf Bestellung 14995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.74 EUR
10+ 1.43 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.77 EUR
2500+ 0.72 EUR
5000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
auf Bestellung 7437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.75 EUR
10+ 1.43 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.77 EUR
2500+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 18178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.42 EUR
10+ 1.26 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.61 EUR
2500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
81+0.89 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 81
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 30
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
81+0.89 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 81
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 22883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.2 EUR
10+ 1.04 EUR
100+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4432-B1-FM Si4430_31_32-1397927.pdf
SI4432-B1-FM
Hersteller: Silicon Labs
RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+18.92 EUR
10+ 17.2 EUR
25+ 14.26 EUR
100+ 13.08 EUR
250+ 11.88 EUR
500+ 10.7 EUR
2450+ 10.45 EUR
SI4432-V2-FM si4432.pdf
SI4432-V2-FM
Hersteller: Silicon Laboratories
RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 4336 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.22 EUR
10+ 2.69 EUR
100+ 2.15 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.53 EUR
2500+ 1.45 EUR
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.8 EUR
10+ 4.33 EUR
100+ 3.48 EUR
500+ 2.87 EUR
1000+ 2.38 EUR
2500+ 2.27 EUR
5000+ 2.16 EUR
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
69+2.29 EUR
72+ 2.11 EUR
100+ 1.99 EUR
200+ 1.9 EUR
500+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 69
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.45 EUR
10+ 3.73 EUR
25+ 3.54 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.87 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.48 EUR
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
131+0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
167+ 0.43 EUR
176+ 0.41 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 131
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
131+0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
167+ 0.43 EUR
176+ 0.41 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 131
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 2181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.11 EUR
10+ 0.97 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.49 EUR
2500+ 0.44 EUR
5000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
395+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 395
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
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259+0.6 EUR
284+ 0.51 EUR
337+ 0.42 EUR
340+ 0.39 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 259
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Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; SI4435DDY TSI4435ddy
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 26576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+1.11 EUR
10+ 0.99 EUR
100+ 0.68 EUR
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1000+ 0.48 EUR
2500+ 0.45 EUR
5000+ 0.42 EUR
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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279+0.56 EUR
294+ 0.51 EUR
343+ 0.42 EUR
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 435000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.36 EUR
5000+ 0.29 EUR
10000+ 0.27 EUR
25000+ 0.26 EUR
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 435000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.36 EUR
5000+ 0.29 EUR
10000+ 0.27 EUR
25000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 72500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.55 EUR
17500+ 0.48 EUR
35000+ 0.43 EUR
52500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
163+0.96 EUR
165+ 0.92 EUR
172+ 0.84 EUR
238+ 0.59 EUR
250+ 0.54 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 163
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SI4435DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
393+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 393
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SI4435DY
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.76 EUR
73+ 0.99 EUR
103+ 0.7 EUR
107+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41
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SI4435DY
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
41+1.76 EUR
73+ 0.99 EUR
103+ 0.7 EUR
107+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 41
SI4435DY SI4435DY_D-2320030.pdf
SI4435DY
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V SinGLE P-Ch
auf Bestellung 11355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.46 EUR
10+ 1.14 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.7 EUR
2500+ 0.66 EUR
5000+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DYTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
161+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 61
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983
SI4435DYTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
161+ 0.44 EUR
171+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 61
SI4435DYTRPBF description si4435dypbf-1733039.pdf
SI4435DYTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
auf Bestellung 6565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.59 EUR
10+ 1.25 EUR
100+ 1 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.68 EUR
2000+ 0.65 EUR
4000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4435DYTRPBF description si4435dy.pdf
SI4435DYTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
117+1.34 EUR
143+ 1.05 EUR
146+ 1 EUR
175+ 0.8 EUR
250+ 0.74 EUR
500+ 0.62 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 117
SI4435DYTRPBF description si4435dy.pdf
SI4435DYTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
SI4435DYTRPBF description si4435dy.pdf
SI4435DYTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
SI4435DYTRPBF description si4435dy.pdf
SI4435DYTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4435DYTRPBF description si4435dy.pdf
SI4435DYTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
295+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 295
SI4435DYTRPBF description si4435dy.pdf
SI4435DYTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
115+1.36 EUR
117+ 1.29 EUR
141+ 1.04 EUR
200+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.54 EUR
4000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 115
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
129+0.56 EUR
161+ 0.45 EUR
226+ 0.32 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 129
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
129+0.56 EUR
161+ 0.45 EUR
226+ 0.32 EUR
304+ 0.24 EUR
321+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 129
SI4435FDY-T1-GE3 si4435fdy.pdf
SI4435FDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 214766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.77 EUR
10+ 0.6 EUR
100+ 0.33 EUR
1000+ 0.23 EUR
2500+ 0.21 EUR
10000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SI4436DY-T1-E3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 16146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.47 EUR
10+ 1.2 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.65 EUR
2500+ 0.59 EUR
5000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4436DY-T1-E3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
182+0.86 EUR
216+ 0.7 EUR
223+ 0.65 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.56 EUR
2000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 182
SI4436DY-T1-GE3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 11287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.47 EUR
10+ 1.2 EUR
100+ 0.94 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.65 EUR
2500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4438-B1C-FMR si4438.pdf
SI4438-B1C-FMR
Hersteller: Silicon Laboratories
RF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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