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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SiHA14N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHD14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SiHD14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHD1K4N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHH14N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SiHH14N60EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V (D-S) |
auf Bestellung 1793 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHP14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 731 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
auf Bestellung 4542 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SPP24N60C3 | Infineon |
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP24N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW24N60CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STB24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 |
auf Bestellung 3806 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STB24N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF24N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF24N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STF24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STF24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STF24N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STFH24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree |
auf Bestellung 638 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STFU24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra nar |
auf Bestellung 768 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STL24N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 8920 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STL24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 |
auf Bestellung 2694 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP24N60DM2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP24N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 |
auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP24N60M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Plus Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2 |
auf Bestellung 2806 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP24N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 964 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW24N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW24N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET |
auf Bestellung 734 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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WML04N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WML04N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMM14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMM14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMN14N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMN14N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMO14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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WMO14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1762 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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WMP14N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 448 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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04N60C2 | INFINEON | 09+ TO263 |
auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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04N60C3 | INFINEON | 09+ TO252-2.5 |
auf Bestellung 2359 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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04N60S5 | INFINEON | 09+ TO-252 |
auf Bestellung 8130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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04N60S5 | INFINEON | TO-252 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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24N60C3 |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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APT94N60L2C3 | APT |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BF94N60 | BYD |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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CDP4N60 | CDP | 2002 TO-220 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DD104N600D-A | EUPEC | MODULE |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DD104N600K | AEG | 05+ |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DD104N600K-A | EUPEC | CDH1-3 |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DD104N600K-A | AEG | 05+ |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DFF4N60 | 09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCD4N60 | fairchild | to-252/d-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FCD4N60 | fairchild | 07+ to-252/d-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD4N60NZ | ON Semiconductor |
auf Bestellung 8284 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB4N60 | FAIRCHILD | TO-263 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQB4N60 | fairchild | to-263/d2-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
SiHA14N60E-E3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 5.51 EUR |
12+ | 4.6 EUR |
100+ | 2.7 EUR |
SIHD14N60E-BE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.36 EUR |
13+ | 4.32 EUR |
100+ | 3.54 EUR |
250+ | 3.28 EUR |
500+ | 2.96 EUR |
1000+ | 2.44 EUR |
3000+ | 2.33 EUR |
SiHD14N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 5.33 EUR |
13+ | 4.21 EUR |
75+ | 3.48 EUR |
300+ | 3.33 EUR |
525+ | 3.04 EUR |
1050+ | 2.47 EUR |
SIHD1K4N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
24+ | 2.23 EUR |
28+ | 1.88 EUR |
100+ | 1.54 EUR |
500+ | 1.35 EUR |
1000+ | 1.14 EUR |
3000+ | 1.09 EUR |
6000+ | 1.06 EUR |
SIHH14N60E-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 8.53 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
25+ | 6.73 EUR |
100+ | 5.77 EUR |
250+ | 5.46 EUR |
500+ | 5.15 EUR |
1000+ | 4.39 EUR |
SiHH14N60EF-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 11 EUR |
10+ | 9.23 EUR |
25+ | 8.74 EUR |
100+ | 7.46 EUR |
250+ | 7.07 EUR |
500+ | 6.66 EUR |
1000+ | 5.69 EUR |
SIHP14N60E-BE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V (D-S)
MOSFET N-CHANNEL 600V (D-S)
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.49 EUR |
12+ | 4.58 EUR |
100+ | 3.64 EUR |
250+ | 3.33 EUR |
500+ | 3.02 EUR |
1000+ | 2.86 EUR |
2500+ | 2.73 EUR |
SIHP14N60E-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 5.49 EUR |
12+ | 4.58 EUR |
100+ | 3.64 EUR |
250+ | 3.35 EUR |
500+ | 3.04 EUR |
1000+ | 2.65 EUR |
SPD04N60C3ATMA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 4542 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
13+ | 4.32 EUR |
15+ | 3.59 EUR |
100+ | 2.86 EUR |
250+ | 2.63 EUR |
500+ | 2.38 EUR |
1000+ | 2.04 EUR |
2500+ | 1.88 EUR |
SPP24N60C3 |
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1; SPP24N60C3 TSPP24n60c3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
4+ | 11.64 EUR |
SPP24N60C3XKSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)SPW24N60CFD |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD
MOSFET N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 16.67 EUR |
10+ | 14.3 EUR |
25+ | 12.95 EUR |
100+ | 11.23 EUR |
240+ | 11.21 EUR |
480+ | 10.82 EUR |
1200+ | 10.19 EUR |
STB24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
auf Bestellung 3806 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 6.86 EUR |
10+ | 5.77 EUR |
25+ | 5.43 EUR |
100+ | 4.65 EUR |
250+ | 4.39 EUR |
500+ | 4.16 EUR |
1000+ | 3.33 EUR |
STB24N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 6.92 EUR |
10+ | 5.75 EUR |
100+ | 4.58 EUR |
250+ | 4.45 EUR |
500+ | 3.87 EUR |
1000+ | 3.35 EUR |
2000+ | 3.09 EUR |
STF24N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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21+ | 3.42 EUR |
24+ | 3.09 EUR |
31+ | 2.36 EUR |
33+ | 2.23 EUR |
STF24N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II Plus; unipolar; 600V; 11A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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21+ | 3.42 EUR |
24+ | 3.09 EUR |
31+ | 2.36 EUR |
33+ | 2.23 EUR |
STF24N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 7.07 EUR |
10+ | 6.58 EUR |
25+ | 5.64 EUR |
100+ | 4.81 EUR |
500+ | 4.29 EUR |
1000+ | 3.64 EUR |
2000+ | 3.46 EUR |
STF24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 3.58 EUR |
STF24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 3.58 EUR |
250+ | 2.3 EUR |
STF24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 6.79 EUR |
13+ | 4.19 EUR |
25+ | 3.54 EUR |
100+ | 3.3 EUR |
STF24N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 6.79 EUR |
10+ | 6.73 EUR |
25+ | 5.38 EUR |
100+ | 4.63 EUR |
500+ | 4.11 EUR |
1000+ | 3.51 EUR |
2000+ | 3.3 EUR |
STFH24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cree
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 5.64 EUR |
11+ | 4.99 EUR |
100+ | 4.06 EUR |
500+ | 3.8 EUR |
920+ | 2.99 EUR |
2760+ | 2.94 EUR |
10120+ | 2.89 EUR |
STFU24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra nar
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra nar
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9+ | 6.06 EUR |
11+ | 4.91 EUR |
100+ | 3.98 EUR |
250+ | 3.69 EUR |
500+ | 3.35 EUR |
1000+ | 2.83 EUR |
2000+ | 2.7 EUR |
STL24N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 8920 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 7.54 EUR |
10+ | 6.34 EUR |
25+ | 6.01 EUR |
100+ | 5.12 EUR |
250+ | 4.86 EUR |
500+ | 4.58 EUR |
1000+ | 3.93 EUR |
STL24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 7.25 EUR |
10+ | 6.11 EUR |
25+ | 5.75 EUR |
100+ | 4.94 EUR |
250+ | 4.65 EUR |
500+ | 4.39 EUR |
1000+ | 3.77 EUR |
STP24N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STP24N60DM2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 8.22 EUR |
10+ | 7.49 EUR |
25+ | 6.5 EUR |
100+ | 5.59 EUR |
250+ | 5.25 EUR |
500+ | 5.07 EUR |
1000+ | 4.13 EUR |
STP24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 3.58 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
STP24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 3.58 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
30+ | 2.46 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
STP24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
auf Bestellung 2806 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 7.07 EUR |
14+ | 3.72 EUR |
100+ | 3.51 EUR |
250+ | 3.46 EUR |
500+ | 3.33 EUR |
1000+ | 3.22 EUR |
2000+ | 3.09 EUR |
STP24N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
8+ | 6.63 EUR |
10+ | 5.36 EUR |
100+ | 4.39 EUR |
250+ | 4.06 EUR |
500+ | 3.8 EUR |
1000+ | 3.15 EUR |
2000+ | 2.96 EUR |
STW24N60M2 |
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)STW24N60M6 |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 8.55 EUR |
10+ | 7.7 EUR |
25+ | 6.99 EUR |
100+ | 5.67 EUR |
250+ | 5.04 EUR |
600+ | 4.68 EUR |
1200+ | 3.95 EUR |
WML04N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
71+ | 1.02 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
142+ | 0.51 EUR |
163+ | 0.44 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
WML04N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
71+ | 1.02 EUR |
126+ | 0.57 EUR |
142+ | 0.51 EUR |
163+ | 0.44 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
WMM14N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
59+ | 1.23 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
WMM14N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
59+ | 1.23 EUR |
65+ | 1.1 EUR |
78+ | 0.92 EUR |
WMN14N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
36+ | 1.99 EUR |
WMN14N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
36+ | 1.99 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
500+ | 0.77 EUR |
WMO14N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
71+ | 1.02 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
WMO14N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
71+ | 1.02 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
93+ | 0.77 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
2500+ | 0.7 EUR |
WMP14N60C2 |
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
98+ | 0.74 EUR |
103+ | 0.7 EUR |