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STN6N60M2 STMicroelectronics stn6n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.11 EUR
19+ 0.96 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.47 EUR
2000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
STN6N60M2 STMicroelectronics en.dm00601184.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 27900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STO36N60M6 STO36N60M6 STMicroelectronics sto36n60m6.pdf Description: N-channel 600 V, 85 mOhm typ.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.01 EUR
10+ 7.57 EUR
100+ 6.12 EUR
500+ 5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP16N60M2 STP16N60M2 STMicroelectronics en.DM00148525.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.29 EUR
50+ 1.84 EUR
100+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STP26N60DM6 STP26N60DM6 STMicroelectronics stp26n60dm6-1535678.pdf MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.32 EUR
10+ 5.3 EUR
25+ 3.06 EUR
STP36N60M6 STP36N60M6 STMicroelectronics stp36n60m6-1851508.pdf MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.89 EUR
10+ 10.38 EUR
25+ 8.27 EUR
100+ 6.9 EUR
500+ 6.35 EUR
1000+ 5.63 EUR
2000+ 5.28 EUR
STP46N60M6 STP46N60M6 STMicroelectronics stp46n60m6-1593990.pdf MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+ 8.99 EUR
25+ 8.15 EUR
100+ 7.48 EUR
250+ 7.04 EUR
500+ 6.6 EUR
1000+ 6.09 EUR
STP6N60M2 STP6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.67 EUR
49+ 1.49 EUR
54+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 43
STP6N60M2 STP6N60M2 STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.67 EUR
49+ 1.49 EUR
54+ 1.33 EUR
250+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 43
STW26N60M2 STW26N60M2 STMicroelectronics stp26n60m2-1851450.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.12 EUR
10+ 4.31 EUR
25+ 4.07 EUR
100+ 3.48 EUR
250+ 3.29 EUR
600+ 2.94 EUR
1200+ 2.5 EUR
STW26N60M2 STW26N60M2 STMicroelectronics en.DM00218389.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.16 EUR
10+ 4.32 EUR
100+ 3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW36N60M6 STW36N60M6 STMicroelectronics stp36n60m6-1851508.pdf MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.35 EUR
10+ 10.61 EUR
25+ 9.1 EUR
100+ 8.18 EUR
250+ 7.23 EUR
600+ 6.53 EUR
1200+ 6.25 EUR
STW56N60DM2 STW56N60DM2 STMicroelectronics stw56n60dm2-1851989.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.06 EUR
10+ 17.55 EUR
25+ 12.85 EUR
100+ 12.11 EUR
250+ 11.35 EUR
600+ 10.81 EUR
STW56N60DM2 STW56N60DM2 STMicroelectronics STW56N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.18 EUR
30+ 15.31 EUR
120+ 13.7 EUR
510+ 12.09 EUR
1020+ 10.88 EUR
STW56N60M2-4 STW56N60M2-4 STMicroelectronics en.DM00127606.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.48 EUR
30+ 11.56 EUR
120+ 10.34 EUR
510+ 9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW56N60M2-4 STW56N60M2-4 STMicroelectronics stw56n60m2_4-1852162.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ 52 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.38 EUR
25+ 11.49 EUR
100+ 10.28 EUR
250+ 9.06 EUR
600+ 8.15 EUR
1200+ 7.78 EUR
TK16N60W,S1VF TK16N60W,S1VF Toshiba TK16N60W_datasheet_en_20131225-1140142.pdf MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
30+ 3.66 EUR
120+ 3.2 EUR
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.92 EUR
13+ 5.53 EUR
20+ 3.76 EUR
21+ 3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.92 EUR
13+ 5.53 EUR
20+ 3.76 EUR
21+ 3.55 EUR
120+ 3.47 EUR
300+ 3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.99 EUR
12+ 6.39 EUR
21+ 3.49 EUR
22+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.99 EUR
12+ 6.39 EUR
21+ 3.49 EUR
22+ 3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 9
WMK26N60C4 WMK26N60C4 WAYON WMx26N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.99 EUR
22+ 3.33 EUR
27+ 2.67 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18
WMK26N60C4 WMK26N60C4 WAYON WMx26N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+3.99 EUR
22+ 3.33 EUR
27+ 2.67 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
2500+ 1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 18
WMK26N60F2 WMK26N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+3.79 EUR
23+ 3.16 EUR
29+ 2.53 EUR
50+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
WMK26N60F2 WMK26N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.79 EUR
23+ 3.16 EUR
29+ 2.53 EUR
50+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
WMK36N60C4 WMK36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.55 EUR
18+ 4.06 EUR
25+ 2.97 EUR
26+ 2.82 EUR
250+ 2.72 EUR
500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16
WMK36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WML16N60C2 WML16N60C2 WAYON WMx16N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
55+ 1.32 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
500+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
WML26N60C4 WML26N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
30+ 2.39 EUR
36+ 2 EUR
52+ 1.4 EUR
54+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 27
WML26N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WML36N60C4 WML36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.55 EUR
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WML36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMM16N60C2 WMM16N60C2 WAYON WMx16N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
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57+1.26 EUR
65+ 1.12 EUR
75+ 0.96 EUR
79+ 0.92 EUR
800+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 57
WMM16N60FD WMM16N60FD WAYON WMx16N60FD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
50+ 1.44 EUR
57+ 1.26 EUR
61+ 1.19 EUR
800+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
WMM26N60C4 WMM26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.66 EUR
30+ 2.39 EUR
36+ 2 EUR
52+ 1.4 EUR
55+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 27
WMN26N60C4 WMN26N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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27+2.66 EUR
30+ 2.39 EUR
42+ 1.73 EUR
44+ 1.64 EUR
250+ 1.59 EUR
500+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 27
WMN36N60C4 WMN36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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16+4.55 EUR
18+ 4.06 EUR
25+ 2.97 EUR
26+ 2.8 EUR
250+ 2.72 EUR
500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16
1206N600J500NT
auf Bestellung 52000 Stücke:
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BF96N60 BYD
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DD76N600K AEG 05+
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT36N600KOC AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT46N600KOC AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT56N600KOF AEG 05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCB36N60NTM ON Semiconductor fcb36n60n-d.pdf
auf Bestellung 7897 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
auf Bestellung 16663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60 FAIRCHILD TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60 fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60 FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60 FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60C FAIRCHILD TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60C fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60C FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60C fairchild to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60C FAIRCHILD 07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60C FAIRCHILD SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60CTF FAIRCHILD FAIRS23757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60CTF FAIRCHILD FAIRS23757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60CTM FAIRCHILD FQD6N60C.pdf SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60CTM FAIRCHILD FQD6N60C.pdf 07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQP6N60 FSC FQP6N60.pdf
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STN6N60M2 stn6n60m2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
auf Bestellung 2747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+1.11 EUR
19+ 0.96 EUR
100+ 0.66 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.47 EUR
2000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
STN6N60M2 en.dm00601184.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 27900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STO36N60M6 sto36n60m6.pdf
STO36N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Description: N-channel 600 V, 85 mOhm typ.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 100 V
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+9.01 EUR
10+ 7.57 EUR
100+ 6.12 EUR
500+ 5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP16N60M2 en.DM00148525.pdf
STP16N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.29 EUR
50+ 1.84 EUR
100+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
STP26N60DM6 stp26n60dm6-1535678.pdf
STP26N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.32 EUR
10+ 5.3 EUR
25+ 3.06 EUR
STP36N60M6 stp36n60m6-1851508.pdf
STP36N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.89 EUR
10+ 10.38 EUR
25+ 8.27 EUR
100+ 6.9 EUR
500+ 6.35 EUR
1000+ 5.63 EUR
2000+ 5.28 EUR
STP46N60M6 stp46n60m6-1593990.pdf
STP46N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.47 EUR
10+ 8.99 EUR
25+ 8.15 EUR
100+ 7.48 EUR
250+ 7.04 EUR
500+ 6.6 EUR
1000+ 6.09 EUR
STP6N60M2 STF6N60M2.pdf
STP6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.67 EUR
49+ 1.49 EUR
54+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 43
STP6N60M2 STF6N60M2.pdf
STP6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.67 EUR
49+ 1.49 EUR
54+ 1.33 EUR
250+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 43
STW26N60M2 stp26n60m2-1851450.pdf
STW26N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.12 EUR
10+ 4.31 EUR
25+ 4.07 EUR
100+ 3.48 EUR
250+ 3.29 EUR
600+ 2.94 EUR
1200+ 2.5 EUR
STW26N60M2 en.DM00218389.pdf
STW26N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.16 EUR
10+ 4.32 EUR
100+ 3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STW36N60M6 stp36n60m6-1851508.pdf
STW36N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+11.35 EUR
10+ 10.61 EUR
25+ 9.1 EUR
100+ 8.18 EUR
250+ 7.23 EUR
600+ 6.53 EUR
1200+ 6.25 EUR
STW56N60DM2 stw56n60dm2-1851989.pdf
STW56N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+19.06 EUR
10+ 17.55 EUR
25+ 12.85 EUR
100+ 12.11 EUR
250+ 11.35 EUR
600+ 10.81 EUR
STW56N60DM2 STW56N60DM2.pdf
STW56N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+19.18 EUR
30+ 15.31 EUR
120+ 13.7 EUR
510+ 12.09 EUR
1020+ 10.88 EUR
STW56N60M2-4 en.DM00127606.pdf
STW56N60M2-4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.48 EUR
30+ 11.56 EUR
120+ 10.34 EUR
510+ 9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STW56N60M2-4 stw56n60m2_4-1852162.pdf
STW56N60M2-4
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ 52 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+14.38 EUR
25+ 11.49 EUR
100+ 10.28 EUR
250+ 9.06 EUR
600+ 8.15 EUR
1200+ 7.78 EUR
TK16N60W,S1VF TK16N60W_datasheet_en_20131225-1140142.pdf
TK16N60W,S1VF
Hersteller: Toshiba
MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.65 EUR
30+ 3.66 EUR
120+ 3.2 EUR
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Anzahl Preis ohne MwSt
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WMJ36N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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WMK26N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
auf Bestellung 100 Stücke:
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WMK26N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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50+ 1.46 EUR
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WMK26N60F2
WMK26N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 50 Stücke:
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23+ 3.16 EUR
29+ 2.53 EUR
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WMK26N60F2
WMK26N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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23+ 3.16 EUR
29+ 2.53 EUR
50+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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WMK36N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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WMK36N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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WML16N60C2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 74 Stücke:
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50+1.46 EUR
55+ 1.32 EUR
68+ 1.06 EUR
72+ 1 EUR
500+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 50
WML26N60C4
WML26N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
27+2.66 EUR
30+ 2.39 EUR
36+ 2 EUR
52+ 1.4 EUR
54+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 27
WML26N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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WML36N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
16+4.55 EUR
18+ 4.06 EUR
30+ 2.4 EUR
32+ 2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16
WML36N60F2
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
WMM16N60C2 WMx16N60C2.pdf
WMM16N60C2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
57+1.26 EUR
65+ 1.12 EUR
75+ 0.96 EUR
79+ 0.92 EUR
800+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 57
WMM16N60FD WMx16N60FD.pdf
WMM16N60FD
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
44+1.63 EUR
50+ 1.44 EUR
57+ 1.26 EUR
61+ 1.19 EUR
800+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 44
WMM26N60C4
WMM26N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+2.66 EUR
30+ 2.39 EUR
36+ 2 EUR
52+ 1.4 EUR
55+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 27
WMN26N60C4
WMN26N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+2.66 EUR
30+ 2.39 EUR
42+ 1.73 EUR
44+ 1.64 EUR
250+ 1.59 EUR
500+ 1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 27
WMN36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMN36N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+4.55 EUR
18+ 4.06 EUR
25+ 2.97 EUR
26+ 2.8 EUR
250+ 2.72 EUR
500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16
1206N600J500NT
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BF96N60
Hersteller: BYD
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DD76N600K
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT36N600KOC
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT46N600KOC
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DT56N600KOF
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCB36N60NTM fcb36n60n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 7897 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
auf Bestellung 16663 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60C
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60C
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQB6N60C
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60C
Hersteller: fairchild
to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60C
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60C
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60CTF FAIRS23757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60CTF FAIRS23757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60CTM FQD6N60C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQD6N60CTM FQD6N60C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
FQP6N60 FQP6N60.pdf
Hersteller: FSC
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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