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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SSS6N60A Produktcode: 172151
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Lieblingsprodukt
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Fairchild |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
auf Bestellung 22 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SSS6N60A Produktcode: 43341
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Lieblingsprodukt
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Samsung |
![]() Gehäuse: TO-220F Uds,V: 600 Idd,A: 03.02.2015 Rds(on), Ohm: 01.08.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350 Bem.: Ізольований корпус JHGF: THT |
verfügbar: 8 Stück
6 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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STF6N60M2 Produktcode: 155644
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Lieblingsprodukt
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ST |
![]() Uds,V: 650 V Idd,A: 4,5 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 232/8 |
auf Bestellung 34 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
6n60 | to-220/f | AAT |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
6N60C | FAIRCHILD |
auf Bestellung 88800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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FCP16N60 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FCPF16N60 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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HI1206N601R-10 | Laird Performance Materials |
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auf Bestellung 10321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGD06N60TATMA1 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP06N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1008 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IGP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKA06N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKB06N60T | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 100W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 19ns Turn-off time: 279ns Collector current: 6A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 100W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Pulsed collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 19ns Turn-off time: 279ns Collector current: 6A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD06N60RATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD06N60RF | Infineon |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD06N60RF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKN06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Collector current: 6A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 18A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Collector current: 6A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFIB6N60A | Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFIB6N60APBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 4846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFA16N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFA16N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFH36N60P | IXYS |
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auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFH36N60X3 | IXYS |
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auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXFK36N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFK36N60P | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXFP16N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO220AB On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXFP16N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO220AB On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH36N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 45ns Turn-off time: 350ns Collector current: 36A Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGH36N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 45ns Turn-off time: 350ns Collector current: 36A Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXGH36N60B3 | IXYS |
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auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXGH36N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 47ns Turn-off time: 350ns Collector current: 36A Gate-emitter voltage: ±20V |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGH36N60B3C1 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 47ns Turn-off time: 350ns Collector current: 36A Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTH26N60P | IXYS |
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auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHA186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHD186N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG026N60EF-GE3 | Vishay |
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auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHG186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH186N60EF-T1GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHH26N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SiHH26N60EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP186N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB26N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STB36N60M6 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD16N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 9472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD16N60M6 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD6N60DM2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STD6N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF16N60M2 | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STF36N60M6 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 102A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSS6N60A Produktcode: 172151
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SSS6N60A Produktcode: 43341
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Samsung
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 8 Stück
6 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.66 EUR |
10+ | 1.40 EUR |
STF6N60M2 Produktcode: 155644
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 34 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
6n60 |
Hersteller: to-220/f
AAT
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
6N60C |
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
FCP16N60 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET
MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.74 EUR |
10+ | 7.66 EUR |
50+ | 4.17 EUR |
100+ | 3.82 EUR |
250+ | 3.80 EUR |
500+ | 3.22 EUR |
FCPF16N60 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH SuperFET
MOSFETs 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.94 EUR |
50+ | 4.96 EUR |
100+ | 4.26 EUR |
500+ | 3.54 EUR |
1000+ | 3.52 EUR |
HI1206N601R-10 |
![]() |
Hersteller: Laird Performance Materials
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
auf Bestellung 10321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 0.49 EUR |
10+ | 0.31 EUR |
100+ | 0.23 EUR |
250+ | 0.20 EUR |
500+ | 0.17 EUR |
1000+ | 0.15 EUR |
3000+ | 0.12 EUR |
IGD06N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.99 EUR |
IGD06N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 11493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 0.95 EUR |
100+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.73 EUR |
1000+ | 0.67 EUR |
2500+ | 0.59 EUR |
5000+ | 0.56 EUR |
IGP06N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.09 EUR |
10+ | 1.72 EUR |
100+ | 1.34 EUR |
500+ | 1.14 EUR |
1000+ | 0.92 EUR |
2500+ | 0.87 EUR |
5000+ | 0.83 EUR |
IGP06N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
IGP06N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 1.74 EUR |
50+ | 1.46 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
500+ | 0.94 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
IGP06N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.06 EUR |
10+ | 1.46 EUR |
100+ | 1.30 EUR |
500+ | 1.14 EUR |
1000+ | 0.87 EUR |
2500+ | 0.85 EUR |
5000+ | 0.82 EUR |
IKA06N60T | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.27 EUR |
10+ | 1.80 EUR |
100+ | 1.59 EUR |
500+ | 1.36 EUR |
1000+ | 1.13 EUR |
5000+ | 1.10 EUR |
IKB06N60T |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.66 EUR |
10+ | 2.20 EUR |
100+ | 1.76 EUR |
250+ | 1.63 EUR |
500+ | 1.48 EUR |
1000+ | 1.27 EUR |
2000+ | 1.20 EUR |
IKD06N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
56+ | 1.29 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.72 EUR |
IKD06N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
56+ | 1.29 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
500+ | 0.72 EUR |
IKD06N60RATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.95 EUR |
10+ | 1.33 EUR |
100+ | 0.93 EUR |
500+ | 0.83 EUR |
1000+ | 0.72 EUR |
2500+ | 0.67 EUR |
5000+ | 0.65 EUR |
IKD06N60RC2ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.22 EUR |
10+ | 1.44 EUR |
100+ | 0.99 EUR |
500+ | 0.81 EUR |
1000+ | 0.72 EUR |
2500+ | 0.65 EUR |
5000+ | 0.62 EUR |
IKD06N60RF |
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.15 EUR |
IKD06N60RF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.04 EUR |
10+ | 1.67 EUR |
100+ | 1.31 EUR |
500+ | 1.11 EUR |
1000+ | 0.90 EUR |
2500+ | 0.89 EUR |
IKD06N60RFATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.87 EUR |
10+ | 1.35 EUR |
100+ | 1.05 EUR |
500+ | 0.91 EUR |
1000+ | 0.87 EUR |
2500+ | 0.82 EUR |
5000+ | 0.80 EUR |
IKN06N60RC2ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.66 EUR |
10+ | 1.23 EUR |
100+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.60 EUR |
3000+ | 0.53 EUR |
6000+ | 0.50 EUR |
IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
42+ | 1.73 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
42+ | 1.73 EUR |
61+ | 1.17 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
500+ | 1.07 EUR |
IKP06N60TXKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.45 EUR |
10+ | 1.76 EUR |
100+ | 1.56 EUR |
500+ | 1.24 EUR |
1000+ | 1.07 EUR |
5000+ | 1.03 EUR |
IRFIB6N60A |
![]() |
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.09 EUR |
IRFIB6N60APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.20 EUR |
10+ | 4.61 EUR |
25+ | 3.82 EUR |
100+ | 2.99 EUR |
500+ | 2.96 EUR |
1000+ | 2.94 EUR |
IXFA16N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.89 EUR |
12+ | 6.03 EUR |
IXFA16N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.89 EUR |
12+ | 6.03 EUR |
IXFH36N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 36A
MOSFETs 600V 36A
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 19.31 EUR |
10+ | 16.79 EUR |
30+ | 12.99 EUR |
IXFH36N60X3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 13.62 EUR |
10+ | 11.76 EUR |
30+ | 8.48 EUR |
120+ | 7.41 EUR |
IXFK36N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.40 EUR |
7+ | 10.83 EUR |
IXFK36N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.40 EUR |
7+ | 10.83 EUR |
25+ | 10.65 EUR |
IXFP16N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.65 EUR |
15+ | 5.08 EUR |
18+ | 4.08 EUR |
19+ | 3.86 EUR |
IXFP16N60P3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.65 EUR |
15+ | 5.08 EUR |
18+ | 4.08 EUR |
19+ | 3.86 EUR |
IXGH36N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.92 EUR |
15+ | 4.85 EUR |
16+ | 4.58 EUR |
120+ | 4.49 EUR |
IXGH36N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.92 EUR |
15+ | 4.85 EUR |
16+ | 4.58 EUR |
120+ | 4.49 EUR |
IXGH36N60B3 |
![]() |
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V IGBTs
IGBTs GenX3 600V IGBTs
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.08 EUR |
10+ | 7.62 EUR |
30+ | 4.96 EUR |
120+ | 4.40 EUR |
510+ | 4.33 EUR |
IXGH36N60B3C1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
IXGH36N60B3C1 |
![]() |
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 71.50 EUR |
IXTH26N60P |
![]() |
Hersteller: IXYS
MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 14.94 EUR |
10+ | 12.81 EUR |
30+ | 10.88 EUR |
120+ | 10.68 EUR |
270+ | 8.10 EUR |
SIHA186N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.78 EUR |
10+ | 3.06 EUR |
25+ | 3.04 EUR |
100+ | 2.66 EUR |
250+ | 2.64 EUR |
500+ | 2.48 EUR |
1000+ | 2.36 EUR |
SIHB186N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.20 EUR |
10+ | 5.95 EUR |
25+ | 3.26 EUR |
100+ | 2.97 EUR |
250+ | 2.92 EUR |
500+ | 2.46 EUR |
1000+ | 2.43 EUR |
SIHD186N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.46 EUR |
10+ | 4.61 EUR |
25+ | 2.78 EUR |
100+ | 2.52 EUR |
500+ | 2.41 EUR |
SIHG026N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 17.72 EUR |
10+ | 14.10 EUR |
SIHG186N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.02 EUR |
10+ | 6.09 EUR |
25+ | 4.07 EUR |
100+ | 3.56 EUR |
500+ | 2.92 EUR |
1000+ | 2.87 EUR |
SIHH186N60EF-T1GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.48 EUR |
10+ | 6.39 EUR |
25+ | 6.14 EUR |
100+ | 4.72 EUR |
500+ | 4.05 EUR |
SIHH26N60E-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 9.03 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
100+ | 5.17 EUR |
500+ | 4.42 EUR |
SiHH26N60EF-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 11.33 EUR |
10+ | 8.66 EUR |
25+ | 7.81 EUR |
100+ | 6.88 EUR |
250+ | 6.46 EUR |
500+ | 6.14 EUR |
1000+ | 6.02 EUR |
SIHP186N60EF-GE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.37 EUR |
10+ | 5.46 EUR |
25+ | 4.51 EUR |
100+ | 4.17 EUR |
1000+ | 3.41 EUR |
2000+ | 2.83 EUR |
STB26N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.14 Ohm 20A M2 Power
MOSFETs N-Ch 600V 0.14 Ohm 20A M2 Power
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.45 EUR |
10+ | 2.43 EUR |
STB36N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 10.93 EUR |
10+ | 7.37 EUR |
25+ | 7.36 EUR |
100+ | 5.35 EUR |
250+ | 5.33 EUR |
500+ | 4.58 EUR |
STD16N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 9472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.57 EUR |
10+ | 1.81 EUR |
100+ | 1.43 EUR |
250+ | 1.41 EUR |
500+ | 1.13 EUR |
1000+ | 1.05 EUR |
2500+ | 0.97 EUR |
STD16N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.54 EUR |
10+ | 2.62 EUR |
100+ | 1.87 EUR |
500+ | 1.54 EUR |
1000+ | 1.45 EUR |
STD6N60DM2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.29 EUR |
10+ | 0.90 EUR |
STD6N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.38 EUR |
10+ | 2.16 EUR |
100+ | 1.50 EUR |
500+ | 1.27 EUR |
1000+ | 1.06 EUR |
2500+ | 0.93 EUR |
5000+ | 0.90 EUR |
STF16N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 1.69 EUR |
250+ | 1.39 EUR |
STF36N60M6 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
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