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SSS6N60A SSS6N60A
Produktcode: 172151
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Fairchild Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS6N60A SSS6N60A
Produktcode: 43341
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Samsung sss6n60a-samsung.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 8 Stück
6 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.66 EUR
10+1.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2
Produktcode: 155644
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ST stf6n60m2.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 34 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6n60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6N60C FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP16N60 FCP16N60 onsemi / Fairchild fcp16n60-d.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.74 EUR
10+7.66 EUR
50+4.17 EUR
100+3.82 EUR
250+3.80 EUR
500+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60 FCPF16N60 onsemi / Fairchild fcp16n60-d.pdf MOSFETs 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.94 EUR
50+4.96 EUR
100+4.26 EUR
500+3.54 EUR
1000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HI1206N601R-10 HI1206N601R-10 Laird Performance Materials HI1206N601R_10-2947010.pdf Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
auf Bestellung 10321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+0.31 EUR
100+0.23 EUR
250+0.20 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1 Infineon INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD06N60T_DS_v02_02_EN-1731501.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 11493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
100+0.84 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.59 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60T IGP06N60T Infineon Technologies Infineon_IGP06N60T_DS_v02_03_en-1731555.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.72 EUR
100+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP06N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP06N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.74 EUR
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGP06N60T_DS_v02_03_en-1731555.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.46 EUR
100+1.30 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.85 EUR
5000+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA06N60T IKA06N60T Infineon Technologies Infineon_IKA06N60T_DS_v02_05_EN-3362085.pdf description IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.27 EUR
10+1.80 EUR
100+1.59 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.13 EUR
5000+1.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60T IKB06N60T Infineon Technologies Infineon_IKB06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362625.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+2.20 EUR
100+1.76 EUR
250+1.63 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
96+0.75 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
96+0.75 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN-1226890.pdf IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.33 EUR
100+0.93 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20 IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+1.44 EUR
100+0.99 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF Infineon Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF IKD06N60RF Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
10+1.67 EUR
100+1.31 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.90 EUR
2500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.35 EUR
100+1.05 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.82 EUR
5000+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN06N60RC2ATMA1 IKN06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKN06N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a73d90769 IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+1.23 EUR
100+0.83 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
3000+0.53 EUR
6000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP06N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.96 EUR
42+1.73 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP06N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
42+1.73 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362224.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+1.76 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60A Vishay sihfib6n.pdf N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay Semiconductors sihfib6n.pdf MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.20 EUR
10+4.61 EUR
25+3.82 EUR
100+2.99 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.89 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.89 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P IXFH36N60P IXYS media-3323767.pdf MOSFETs 600V 36A
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.31 EUR
10+16.79 EUR
30+12.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3 IXFH36N60X3 IXYS media-3320246.pdf MOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.62 EUR
10+11.76 EUR
30+8.48 EUR
120+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.40 EUR
7+10.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P IXFK36N60P IXYS IXFH(K,T)36N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.40 EUR
7+10.83 EUR
25+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.65 EUR
15+5.08 EUR
18+4.08 EUR
19+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 IXFP16N60P3 IXYS IXFA(H,P)16N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.65 EUR
15+5.08 EUR
18+4.08 EUR
19+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.92 EUR
15+4.85 EUR
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Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS IXGH36N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.92 EUR
15+4.85 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3 IXYS media-3322636.pdf IGBTs GenX3 600V IGBTs
auf Bestellung 563 Stücke:
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1+8.08 EUR
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30+4.96 EUR
120+4.40 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS IXGx36N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGH36N60B3C1 IXYS IXGx36N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60P IXTH26N60P IXYS media-3322813.pdf MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 144 Stücke:
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1+14.94 EUR
10+12.81 EUR
30+10.88 EUR
120+10.68 EUR
270+8.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix siha186n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+3.06 EUR
25+3.04 EUR
100+2.66 EUR
250+2.64 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB186N60EF-GE3 SIHB186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb186n60ef.pdf MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.20 EUR
10+5.95 EUR
25+3.26 EUR
100+2.97 EUR
250+2.92 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihd186n60ef.pdf MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+4.61 EUR
25+2.78 EUR
100+2.52 EUR
500+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3 Vishay sihg026n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.72 EUR
10+14.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg186n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+6.09 EUR
25+4.07 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1GE3 SIHH186N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix sihh186n60ef.pdf MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.48 EUR
10+6.39 EUR
25+6.14 EUR
100+4.72 EUR
500+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH26N60E-T1-GE3 SIHH26N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh26n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.03 EUR
10+7.15 EUR
100+5.17 EUR
500+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH26N60EF-T1-GE3 SiHH26N60EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh26n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
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1+11.33 EUR
10+8.66 EUR
25+7.81 EUR
100+6.88 EUR
250+6.46 EUR
500+6.14 EUR
1000+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp186n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+5.46 EUR
25+4.51 EUR
100+4.17 EUR
1000+3.41 EUR
2000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB26N60M2 STB26N60M2 STMicroelectronics stb26n60m2-1850106.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.14 Ohm 20A M2 Power
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB36N60M6 STB36N60M6 STMicroelectronics stb36n60m6-1850081.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.93 EUR
10+7.37 EUR
25+7.36 EUR
100+5.35 EUR
250+5.33 EUR
500+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N60M2 STD16N60M2 STMicroelectronics std16n60m2-1850492.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 9472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.81 EUR
100+1.43 EUR
250+1.41 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N60M6 STD16N60M6 STMicroelectronics std16n60m6-1826679.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.54 EUR
10+2.62 EUR
100+1.87 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N60DM2 STD6N60DM2 STMicroelectronics std6n60dm2-1850410.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.29 EUR
10+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD6N60M2 STD6N60M2 STMicroelectronics stb6n60m2-1850047.pdf MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.38 EUR
10+2.16 EUR
100+1.50 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N60M2 STF16N60M2 STMicroelectronics stf16n60m2-1850482.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
250+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF36N60M6 STF36N60M6 STMicroelectronics stf36n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS6N60A
Produktcode: 172151
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SSS6N60A
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSS6N60A
Produktcode: 43341
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sss6n60a-samsung.pdf
SSS6N60A
Hersteller: Samsung
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 600
Idd,A: 03.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.08.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 03.09.350
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
verfügbar: 8 Stück
6 Stück - stock Köln
2 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.66 EUR
10+1.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF6N60M2
Produktcode: 155644
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stf6n60m2.pdf
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
auf Bestellung 34 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6n60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.74 EUR
10+7.66 EUR
50+4.17 EUR
100+3.82 EUR
250+3.80 EUR
500+3.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF16N60 fcp16n60-d.pdf
FCPF16N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH SuperFET
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.94 EUR
50+4.96 EUR
100+4.26 EUR
500+3.54 EUR
1000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HI1206N601R-10 HI1206N601R_10-2947010.pdf
HI1206N601R-10
Hersteller: Laird Performance Materials
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
auf Bestellung 10321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.49 EUR
10+0.31 EUR
100+0.23 EUR
250+0.20 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1 INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGD06N60TATMA1 Infineon_IGD06N60T_DS_v02_02_EN-1731501.pdf
IGD06N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 11493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.95 EUR
100+0.84 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.59 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60T Infineon_IGP06N60T_DS_v02_03_en-1731555.pdf
IGP06N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.09 EUR
10+1.72 EUR
100+1.34 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60T-DTE.pdf
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60T-DTE.pdf
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.74 EUR
50+1.46 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP06N60TXKSA1 Infineon_IGP06N60T_DS_v02_03_en-1731555.pdf
IGP06N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.06 EUR
10+1.46 EUR
100+1.30 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.85 EUR
5000+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKA06N60T description Infineon_IKA06N60T_DS_v02_05_EN-3362085.pdf
IKA06N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.27 EUR
10+1.80 EUR
100+1.59 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.13 EUR
5000+1.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB06N60T Infineon_IKB06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362625.pdf
IKB06N60T
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 1110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.66 EUR
10+2.20 EUR
100+1.76 EUR
250+1.63 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
96+0.75 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
68+1.06 EUR
91+0.79 EUR
96+0.75 EUR
500+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RATMA1 Infineon_IKD06N60R_DS_v02_05_EN-1226890.pdf
IKD06N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A
auf Bestellung 2120 Stücke:
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2+1.95 EUR
10+1.33 EUR
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500+0.83 EUR
1000+0.72 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.65 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon-IKD06N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652234ae34d20
IKD06N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
auf Bestellung 3994 Stücke:
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2+2.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C;   IKD06N60RF TIKD06n60rf
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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20+2.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RF Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf
IKD06N60RF
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
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2+2.04 EUR
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500+1.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf
IKD06N60RFATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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2+1.87 EUR
10+1.35 EUR
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500+0.91 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.82 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN06N60RC2ATMA1 Infineon-IKN06N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a73d90769
IKN06N60RC2ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 2930 Stücke:
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2+1.66 EUR
10+1.23 EUR
100+0.83 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
3000+0.53 EUR
6000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60T.pdf
IKP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
42+1.73 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60T.pdf
IKP06N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
42+1.73 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP06N60TXKSA1 Infineon_IKP06N60T_DataSheet_v02_05_EN-3362224.pdf
IKP06N60TXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.45 EUR
10+1.76 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.07 EUR
5000+1.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60A sihfib6n.pdf
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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Anzahl Preis
10+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFIB6N60APBF sihfib6n.pdf
IRFIB6N60APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4846 Stücke:
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Anzahl Preis
1+6.20 EUR
10+4.61 EUR
25+3.82 EUR
100+2.99 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.89 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFA16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.89 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60P media-3323767.pdf
IXFH36N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 600V 36A
auf Bestellung 283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.31 EUR
10+16.79 EUR
30+12.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH36N60X3 media-3320246.pdf
IXFH36N60X3
Hersteller: IXYS
MOSFETs TO247 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.62 EUR
10+11.76 EUR
30+8.48 EUR
120+7.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFK36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.40 EUR
7+10.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK36N60P IXFH(K,T)36N60P.pdf
IXFK36N60P
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.40 EUR
7+10.83 EUR
25+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.65 EUR
15+5.08 EUR
18+4.08 EUR
19+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFP16N60P3 IXFA(H,P)16N60P3.pdf
IXFP16N60P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.65 EUR
15+5.08 EUR
18+4.08 EUR
19+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3.pdf
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.92 EUR
15+4.85 EUR
16+4.58 EUR
120+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 IXGH36N60B3.pdf
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.92 EUR
15+4.85 EUR
16+4.58 EUR
120+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3 media-3322636.pdf
IXGH36N60B3
Hersteller: IXYS
IGBTs GenX3 600V IGBTs
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.08 EUR
10+7.62 EUR
30+4.96 EUR
120+4.40 EUR
510+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGx36N60B3C1-DTE.pdf
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGH36N60B3C1 IXGx36N60B3C1-DTE.pdf
IXGH36N60B3C1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
Collector current: 36A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTH26N60P media-3322813.pdf
IXTH26N60P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.94 EUR
10+12.81 EUR
30+10.88 EUR
120+10.68 EUR
270+8.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA186N60EF-GE3 siha186n60ef.pdf
SIHA186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.78 EUR
10+3.06 EUR
25+3.04 EUR
100+2.66 EUR
250+2.64 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHB186N60EF-GE3 sihb186n60ef.pdf
SIHB186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.20 EUR
10+5.95 EUR
25+3.26 EUR
100+2.97 EUR
250+2.92 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD186N60EF-GE3 sihd186n60ef.pdf
SIHD186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.46 EUR
10+4.61 EUR
25+2.78 EUR
100+2.52 EUR
500+2.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG026N60EF-GE3 sihg026n60ef.pdf
Hersteller: Vishay
MOSFETs TO247 600V 95A N-CH MOSFET
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+17.72 EUR
10+14.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG186N60EF-GE3 sihg186n60ef.pdf
SIHG186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.02 EUR
10+6.09 EUR
25+4.07 EUR
100+3.56 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH186N60EF-T1GE3 sihh186n60ef.pdf
SIHH186N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.48 EUR
10+6.39 EUR
25+6.14 EUR
100+4.72 EUR
500+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHH26N60E-T1-GE3 sihh26n60e.pdf
SIHH26N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.03 EUR
10+7.15 EUR
100+5.17 EUR
500+4.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHH26N60EF-T1-GE3 sihh26n60ef.pdf
SiHH26N60EF-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.33 EUR
10+8.66 EUR
25+7.81 EUR
100+6.88 EUR
250+6.46 EUR
500+6.14 EUR
1000+6.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP186N60EF-GE3 sihp186n60ef.pdf
SIHP186N60EF-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.37 EUR
10+5.46 EUR
25+4.51 EUR
100+4.17 EUR
1000+3.41 EUR
2000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB26N60M2 stb26n60m2-1850106.pdf
STB26N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600V 0.14 Ohm 20A M2 Power
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.45 EUR
10+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB36N60M6 stb36n60m6-1850081.pdf
STB36N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.93 EUR
10+7.37 EUR
25+7.36 EUR
100+5.35 EUR
250+5.33 EUR
500+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N60M2 std16n60m2-1850492.pdf
STD16N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 9472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.57 EUR
10+1.81 EUR
100+1.43 EUR
250+1.41 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD16N60M6 std16n60m6-1826679.pdf
STD16N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 2255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.54 EUR
10+2.62 EUR
100+1.87 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.45 EUR
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STD6N60DM2 std6n60dm2-1850410.pdf
STD6N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
auf Bestellung 2366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.29 EUR
10+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STD6N60M2 stb6n60m2-1850047.pdf
STD6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 2328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.38 EUR
10+2.16 EUR
100+1.50 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF16N60M2 stf16n60m2-1850482.pdf
STF16N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.69 EUR
250+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STF36N60M6 stf36n60m6.pdf
STF36N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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