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JANTX2N5550A MOTOROLA
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JANTX2N5551 MOTOROLA
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JX2N5551A MOTOROLA
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SMD2N5551
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SN555189J TI 92+
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ST2N5551Fe
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ST2N5551T/B
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XN5553
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XN5553-(TW)
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XN5553-TW
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Транзистор біполярний 2N5551 0.6A 160V NPN TO-92
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LMX2337TM NSC ИМС TSSOP-16 PLL Frequency Synthesizer for RF Personal Communications, Fin=5-550MHz, Vs=2,7-5,5V, -40..+85C
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1+18.6 EUR
10+ 16.74 EUR
1N5553
Produktcode: 123866
11519-lds-0230-datasheet Verschiedene Bauteile > Other components 3
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2N5550 (Bipolartransistor NPN) 2N5550 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28033
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 140
Ucbo,V: 160
Ic,A: 0,6
h21: 250
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2N5551 2N5551
Produktcode: 175303
Fair 2n5551.pdf 2n5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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2N55512N5401
Produktcode: 113018
Transistoren > MOSFET N-CH
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2N5551C
Produktcode: 94668
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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1N5550/TR 1N5550/TR Microchip Technology lds-0230.pdf Switching Diode Rectifier
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1N5551 MICROCHIP (MICROSEMI) 1N5550-54.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 5A; tape; Ifsm: 100A; Ufmax: 1.2V; 2us
Mounting: THT
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.4kV
Reverse recovery time: 2µs
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
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1N5551USE3 1N5551USE3 Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Rectifiers Std Rectifier _ B-Body Sq. Melf
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1N5551USE3/TR 1N5551USE3/TR Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Rectifiers Std Rectifier _ B-Body Sq. Melf
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1N5552E3 1N5552E3 Microchip Technology lds-0230.pdf Rectifier Diode Switching 600V 5A 2000ns 2-Pin Case B Bag
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1N5552E3/TR 1N5552E3/TR Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Rectifiers Std Rectifier _ B-Body
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1N5555 MICROCHIP (MICROSEMI) 1N5555-58.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 33V; 32A; unidirectional; DO13
Case: DO13
Mounting: THT
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 30.5V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. forward impulse current: 32A
Breakdown voltage: 33V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
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1N5555 1N5555 Microchip Technology lds-0094.pdf TVS Diode Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag
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1N5557 MICROCHIP (MICROSEMI) 1N5555-58.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 54V; 19A; unidirectional; DO13
Case: DO13
Mounting: THT
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 49V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. forward impulse current: 19A
Breakdown voltage: 54V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
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2N5550G ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N5550RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N5550RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N5550TA 2N5550TA ONSEMI ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
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2N5550TA 2N5550TA ONSEMI ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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2N5550TA 2N5550TA ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N5550TAR 2N5550TAR ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N5550TFR 2N5550TFR ONSEMI ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
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2N5550TFR 2N5550TFR ONSEMI ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551 LUGUANG ELECTRONIC 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
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2N5551 LUGUANG ELECTRONIC 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 TRA TIN/LEAD 2N5551 TRA TIN/LEAD Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551BU 2N5551BU ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
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2N5551G ON Semiconductor 2n5550-d.pdf description Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N5551RL1G ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551RL1G ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551RLRAG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N5551RUBG STMicroelectronics 2n5551hr.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 580mW 4-Pin LCC-3UB Tray
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2N5551TA 2N5551TA ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
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2N5551TA 2N5551TA ONSEMI 2N5551.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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JANTX2N5550A
Hersteller: MOTOROLA
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JANTX2N5551
Hersteller: MOTOROLA
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JANTX2N5551A
Hersteller: MOTOROLA
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JTX2N5550
Hersteller: MOTOROLA
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JTX2N5550A
Hersteller: MOTOROLA
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JTX2N5551
Hersteller: MOTOROLA
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JTX2N5551A
Hersteller: MOTOROLA
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JX2N5550
Hersteller: MOTOROLA
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JX2N5550A
Hersteller: MOTOROLA
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JX2N5551
Hersteller: MOTOROLA
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JX2N5551A
Hersteller: MOTOROLA
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SMD2N5551
auf Bestellung 2534 Stücke:
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SN55500AJ
auf Bestellung 25 Stücke:
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SN55501CJ
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SN55501EJ
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SN555189J
Hersteller: TI
92+
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
ST2N5551Fe
auf Bestellung 221000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
ST2N5551T/B
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XN5553
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XN5553-(TW)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XN5553-TW
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Транзистор біполярний 2N5551 0.6A 160V NPN TO-92
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LMX2337TM
Hersteller: NSC
ИМС TSSOP-16 PLL Frequency Synthesizer for RF Personal Communications, Fin=5-550MHz, Vs=2,7-5,5V, -40..+85C
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+18.6 EUR
10+ 16.74 EUR
1N5553
Produktcode: 123866
11519-lds-0230-datasheet
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2N5550 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28033
2N5550 (Bipolartransistor NPN)
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 140
Ucbo,V: 160
Ic,A: 0,6
h21: 250
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2N5551
Produktcode: 175303
2n5551.pdf 2n5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf
2N5551
Hersteller: Fair
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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2N55512N5401
Produktcode: 113018
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551C
Produktcode: 94668
Produkt ist nicht verfügbar
1N5550/TR lds-0230.pdf
1N5550/TR
Hersteller: Microchip Technology
Switching Diode Rectifier
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1N5551 1N5550-54.pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 5A; tape; Ifsm: 100A; Ufmax: 1.2V; 2us
Mounting: THT
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.4kV
Reverse recovery time: 2µs
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 100A
Type of diode: rectifying
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1N5551USE3 10966-sa7-43-datasheet
1N5551USE3
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers Std Rectifier _ B-Body Sq. Melf
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1N5551USE3/TR 10966-sa7-43-datasheet
1N5551USE3/TR
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers Std Rectifier _ B-Body Sq. Melf
Produkt ist nicht verfügbar
1N5552E3 lds-0230.pdf
1N5552E3
Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 600V 5A 2000ns 2-Pin Case B Bag
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1N5552E3/TR 11519-lds-0230-datasheet
1N5552E3/TR
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers Std Rectifier _ B-Body
Produkt ist nicht verfügbar
1N5555 1N5555-58.pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 33V; 32A; unidirectional; DO13
Case: DO13
Mounting: THT
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 30.5V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. forward impulse current: 32A
Breakdown voltage: 33V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
1N5555 lds-0094.pdf
1N5555
Hersteller: Microchip Technology
TVS Diode Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
1N5557 1N5555-58.pdf
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 54V; 19A; unidirectional; DO13
Case: DO13
Mounting: THT
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 49V
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. forward impulse current: 19A
Breakdown voltage: 54V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550G 2n5550-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550RLRPG 2n5550-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550RLRPG 2n5550-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550TA 2n5550-d.pdf
2N5550TA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550TAR 2n5550-d.pdf
2N5550TAR
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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2N5550TFR 2n5550-d.pdf
2N5550TFR
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551 2N5551.pdf
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
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2N5551 2N5551.pdf
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2N5551 2n5551.pdf
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 TRA TIN/LEAD
2N5551 TRA TIN/LEAD
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551BU 2N5551.PDF
2N5551BU
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
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2N5551G description 2n5550-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N5551RL1G 2n5550-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551RL1G 2n5550-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551RLRAG 2n5550-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551RLRPG 2n5550-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N5551RUBG 2n5551hr.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 580mW 4-Pin LCC-3UB Tray
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2N5551TA 2N5551.PDF
2N5551TA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
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2N5551TA 2N5551.PDF
2N5551TA
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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