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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606
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Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 (Bipolartransistor NPN) 2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
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Fairchild 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
1+0.06 EUR
10+0.05 EUR
100+0.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551-Y (Bipolartransistor NPN) 2N5551-Y (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1459
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Philips 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
verfügbar: 120 Stück
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555 TI SOP
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555 TI 04+ SOP
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555 TI SOP8
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555 TI 09+ SOP8
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555 TI MSOP8
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555D PHILIPS 04+
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5550 1N5550 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 220V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.43 EUR
100+8.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5550 1N5550 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.50 EUR
100+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5550US 1N5550US Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 220V 3A Std Rectifier SQ SMT
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
100+10.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5551 1N5551 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 440V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.43 EUR
100+8.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5551US 1N5551US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.79 EUR
100+10.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5551US 1N5551US Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 440V 3A Std Rectifier SQ SMT
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.70 EUR
100+10.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5552 1N5552 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.19 EUR
100+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5552 1N5552 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 660V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 11362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
100+8.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5552US 1N5552US Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 660V 3A Std Rectifier SQ SMT
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.28 EUR
25+11.21 EUR
100+10.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5552US/TR 1N5552US/TR Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 660V 3A Std Rectifier SQ SMT TR
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.95 EUR
100+11.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5553 1N5553 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 880V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.60 EUR
100+10.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5553 1N5553 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE STANDARD 800V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.69 EUR
100+10.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5553US 1N5553US Microchip Technology 10966-sa7-43-datasheet Description: DIODE STANDARD 800V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5554 1N5554 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.34 EUR
100+13.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5554 1N5554 Microchip Technology LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf Rectifiers 1100V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.22 EUR
100+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5554US 1N5554US Microchip Technology LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf Rectifiers 1100V 3A Std Rectifier SQ SMT
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.69 EUR
100+12.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5555 1N5555 Microchip Technology lds_0094-3442733.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 47.5V 32A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.45 EUR
10+24.45 EUR
25+23.81 EUR
100+23.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5555 1N5555 Microchip Technology 8920-lds-0094-datasheet Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.66 EUR
100+23.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5556 1N5556 Microchip Technology lds_0094-3442733.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 63.5V 24A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.75 EUR
100+35.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5558 1N5558 Microchip Technology lds_0094-3442733.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 265V 5.7A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.05 EUR
100+45.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 2N5550 CDIL 2N5550%20Rev4.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 2N5550 LUGUANG ELECTRONIC 2N5550.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1370+0.05 EUR
2470+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 2N5550 CDIL 2N5550%20Rev4.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1725+0.04 EUR
1850+0.04 EUR
5000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1725
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 2N5550 LUGUANG ELECTRONIC 2N5550.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1370+0.05 EUR
2470+0.03 EUR
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 LGE 2N5550%20Rev4.pdf description Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 PBFREE 2N5550 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 8126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.70 EUR
100+0.52 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.27 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550/D26Z 2N5550/D26Z Fairchild Semiconductor FAIRS25003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRA 2N5550RLRA onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRAG 2N5550RLRAG onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRP 2N5550RLRP onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 164000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6662+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TA 2N5550TA onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TA 2N5550TA onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.10 EUR
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2N5550TA 2N5550TA onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 7759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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100+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
2000+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TA 2N5550TA Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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2N5550TAR 2N5550TAR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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33+0.55 EUR
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2N5550TAR 2N5550TAR onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.09 EUR
10000+0.08 EUR
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2N5550TAR 2N5550TAR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 118000 Stücke:
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14000+0.09 EUR
20000+0.09 EUR
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2N5550TF 2N5550TF Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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11539+0.05 EUR
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2N5550TFR 2N5550TFR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.10 EUR
4000+0.09 EUR
6000+0.09 EUR
10000+0.08 EUR
14000+0.08 EUR
20000+0.07 EUR
50000+0.07 EUR
100000+0.06 EUR
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2N5550TFR 2N5550TFR Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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2N5550TFR 2N5550TFR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 101660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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2N5550TFR 2N5550TFR onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 8969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.37 EUR
13+0.22 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
2000+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551
+1
 		2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1425+0.05 EUR
2050+0.04 EUR
2600+0.03 EUR
3275+0.02 EUR
3450+0.02 EUR
12000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 CDIL 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1850+0.04 EUR
2250+0.03 EUR
2550+0.03 EUR
2625+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1850
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 MIC 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 JSMicro Semiconductor 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551
+1
 		2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1425+0.05 EUR
2050+0.04 EUR
2600+0.03 EUR
3275+0.02 EUR
3450+0.02 EUR
12000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+0.15 EUR
150+0.12 EUR
209+0.08 EUR
218+0.08 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 5502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.29 EUR
22+0.13 EUR
100+0.08 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
4000+0.05 EUR
8000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.30 EUR
100+0.18 EUR
123+0.14 EUR
168+0.11 EUR
250+0.09 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 Diotec Semiconductor 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+0.11 EUR
64+0.10 EUR
100+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551
Produktcode: 193606
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2N5551.pdf
2N5551
Hersteller: Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
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2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.05 EUR
100+0.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551-Y (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1459
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2N5551.pdf
2N5551-Y (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
verfügbar: 120 Stück
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555
Hersteller: TI
SOP
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555
Hersteller: TI
04+ SOP
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555
Hersteller: TI
SOP8
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555
Hersteller: TI
09+ SOP8
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555
Hersteller: TI
MSOP8
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
N555D
Hersteller: PHILIPS
04+
auf Bestellung 2369 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5550 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5550
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 220V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.43 EUR
100+8.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5550 11519-lds-0230-datasheet
1N5550
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.50 EUR
100+8.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5550US LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5550US
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 220V 3A Std Rectifier SQ SMT
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.58 EUR
100+10.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5551 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5551
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 440V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 429 Stücke:
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1+9.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5551US 10966-sa7-43-datasheet
1N5551US
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
auf Bestellung 165 Stücke:
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2+11.79 EUR
100+10.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5551US LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5551US
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 440V 3A Std Rectifier SQ SMT
auf Bestellung 335 Stücke:
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1+11.70 EUR
100+10.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5552 11519-lds-0230-datasheet
1N5552
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+9.19 EUR
100+8.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5552 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5552
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 660V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 11362 Stücke:
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1+9.12 EUR
100+8.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5552US LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5552US
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 660V 3A Std Rectifier SQ SMT
auf Bestellung 706 Stücke:
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1+11.28 EUR
25+11.21 EUR
100+10.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5552US/TR LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5552US/TR
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 660V 3A Std Rectifier SQ SMT TR
auf Bestellung 40 Stücke:
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1+11.95 EUR
100+11.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5553 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5553
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 880V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 161 Stücke:
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Anzahl Preis
1+11.60 EUR
100+10.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5553 11519-lds-0230-datasheet
1N5553
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 800V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+11.69 EUR
100+10.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5553US 10966-sa7-43-datasheet
1N5553US
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 800V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5554 11519-lds-0230-datasheet
1N5554
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.34 EUR
100+13.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5554 LDS_0230_2c_2b1N5550_2bthru_2b1N5554_2c_2bMIL_PRF_-3442947.pdf
1N5554
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 1100V 3A Std Rectifier THT
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.22 EUR
100+13.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5554US LDS_0230_1_2c_2b1N5550US_2bthru1N5554US_2c_2bMIL_P-3442411.pdf
1N5554US
Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers 1100V 3A Std Rectifier SQ SMT
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.69 EUR
100+12.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5555 lds_0094-3442733.pdf
1N5555
Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 47.5V 32A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.45 EUR
10+24.45 EUR
25+23.81 EUR
100+23.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5555 8920-lds-0094-datasheet
1N5555
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+25.66 EUR
100+23.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5556 lds_0094-3442733.pdf
1N5556
Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 63.5V 24A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+37.75 EUR
100+35.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5558 lds_0094-3442733.pdf
1N5558
Hersteller: Microchip Technology
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 265V 5.7A Uni-Directional TVS
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+49.05 EUR
100+45.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 description 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 description 2N5550.pdf
2N5550
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1370+0.05 EUR
2470+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 description 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/1.5W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1725+0.04 EUR
1850+0.04 EUR
5000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1725
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 description 2N5550.pdf
2N5550
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1370+0.05 EUR
2470+0.03 EUR
3000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 description 2N5550%20Rev4.pdf
Hersteller: LGE
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550 PBFREE
2N5550 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 8126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.70 EUR
100+0.52 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.27 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550/D26Z FAIRS25003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550/D26Z
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11539+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRA 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6662+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRAG 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRAG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6662+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550RLRP 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRP
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 164000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6662+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 1741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.10 EUR
4000+0.09 EUR
6000+0.09 EUR
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 7759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.42 EUR
11+0.27 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
2000+0.07 EUR
50000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TA FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 26815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7755+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7755
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TAR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TAR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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2N5550TAR
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N5550TAR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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2N5550TF FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TF
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
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2000+0.10 EUR
4000+0.09 EUR
6000+0.09 EUR
10000+0.08 EUR
14000+0.08 EUR
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50000+0.07 EUR
100000+0.06 EUR
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2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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7755+0.07 EUR
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2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
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38+0.48 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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8+0.37 EUR
13+0.22 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
2N5551
+1
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1425+0.05 EUR
2050+0.04 EUR
2600+0.03 EUR
3275+0.02 EUR
3450+0.02 EUR
12000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
2N5551
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1850+0.04 EUR
2250+0.03 EUR
2550+0.03 EUR
2625+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1850
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
Hersteller: MIC
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
2N5551
+1
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1425+0.05 EUR
2050+0.04 EUR
2600+0.03 EUR
3275+0.02 EUR
3450+0.02 EUR
12000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf
2N5551
Hersteller: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.15 EUR
150+0.12 EUR
209+0.08 EUR
218+0.08 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 5502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.29 EUR
22+0.13 EUR
100+0.08 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
4000+0.05 EUR
8000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2n5551.pdf
2N5551
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 3781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+0.30 EUR
100+0.18 EUR
123+0.14 EUR
168+0.11 EUR
250+0.09 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 2N5551.pdf 2n5551.pdf 2n5551t-d.pdf
Hersteller: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+0.11 EUR
64+0.10 EUR
100+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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