Hersteller: Microsemi
IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори

NPT2 IGBT (Ic25=100 A, Vces=1200 V, Vce(sat) typ.=2.1 V ) SOT-227B Транзистори

SOT-227B, HiPerFET, N-Channel MOSFET, Id=180A, Vdss=200V, -55...+150 Транзистори

Hersteller: ALPHA
06+ SOT227

Hersteller: MICROSEMI
SOT-227/Ultra Fast NPT - IGBT APT85GR120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: IXYS/Littelfuse
2 незалежних випрямних діоди на шасі, Io, A = 60, Uзвор, В = 1 000, Uf (max), В = 2,3, If, А = 60, trr, нс = 50 мс, Тексп, °C = -40...+150, Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 500 мс, I, мкА @ Ur, В = 3000 @ 1000,... Діоди Корпус: SOT 227B Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

Hersteller: IXYS
SOT-227B

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Hersteller: APT
DIODE DUAL PAR 100A 1200V SOT227 APT2X101DQ120J SOT-227 Діоди та діодні збірки

Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-227B
Sperrspannung Vrrm, V: 200 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 120 А
Durchlassspannung Vf, V: 1,06 В
Bemerkung: Zwei unabhängige Dioden
Stoßstrom Ifsm, A: 1000 А

Hersteller: Microsemi
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Zolltarifnummer: 8541 29 00 10

Hersteller: APT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-227
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT

Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOT-227
Sperrspannung Vrr, V: 200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 120x2 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 47 ns
Montage: Modul

Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOT-227
Sperrspannung Vrr, V: 400 V
Mittlerer Strom Iav, A: 115x2 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 60 ns
Montage: Modul

Hersteller: IXYS
Діод Шотткі SOT-227B (miniBLOC) U=200 V I=100 A (per Diode) Pair Independent DSS2X101-02A.pdf Діоди Шотткі

Hersteller: IXYS
Діод Шотткі SOT-227B (miniBLOC) U=45 V I=120 A (per Diode) Pair Independent   DSS2X21-0045B.pdf Діоди Шотткі

Hersteller: IXYS
Module: diode; double independent; 600V; If: 60Ax2; SOT227B; screw Діодні мости

Hersteller: IXYS
Диодн. збірка БМ SOT-227B Ifavm= 2х52 А, Vrrm=1200 V, trr=40ns Діодні мости

Hersteller: Fairchaild
Транз. Пол. ВП N-HEXFET SOT227 Udss=100V; Id=180A; Pdmax=480W; Rds=0,0065 Ohm   Транзистори польові

Hersteller: IXYS
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 IXFN520N075T2.PDF Транзистори польові

Hersteller: Vishay
Транз. Пол. ВП N-MOSFET SOT-227-4 (miniBLOC) Udss=100V; Id=190A; Pdmax=568W; Rds=6.5mOhm @ 180A, 10V VS-FB190SA10.pdf Транзистори польові

Hersteller: MICROSEMI
SOT-227POWER MODULE - IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT100GT120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT100M50
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: Microchip
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227 Транзистори

Hersteller: Microsemi
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 4-Pin SOT-227 Транзистори

Hersteller: Microsemi
MFET, N-CH, 1200 V, 30 A, 0.31 Ом, SOT-227 Транзистори

Hersteller: APT
MFET, N-CH, 1000 V, 24 A, 0.4 Om SOT-227 Транзистори

Hersteller: Microsemi
1200V 215A SOT-227 Транзистори

Hersteller: APT
N-кан. MOSFET 200V, 175A, 0.011Ом, 700Вт, SOT-227 (ISOTOP) Транзистори

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - D APT2X101
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: Microchip
Diode Array 2 Independent 1000 V 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT2X101
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/Sic Diode Power Module APT2X20
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MODULE - SIC APT2X21
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT-227POWER MODULE - SIC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/SiC Diode/Power Module APT2X41
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Диодный модуль 1.2KV 50A 4-Pin SOT-227 Діоди та діодні збірки

Hersteller: APT
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE, 1000V, 55A, SOT-227 Діоди та діодні збірки

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - D APT2X61
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT2X61
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/FAST RECOVERY EPITAXIAL DIODE - DQ APT2X61
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: Microsemi
DIODE DUAL PAR 60A 1200V SOT-227 Діоди та діодні збірки

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MODULE IGBT APT30GF60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MODULE - IGBT APT35
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MODULE - IGBT APT35
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: APT
POWER MOS 7 IGBT, 600 V, 86 A, SOT-227 Транзистори

Hersteller: APT
MFET, N-CH, 400 V, 93 A, 0.035 Om, SOT-227 Транзистори

Hersteller: APT
MFET, N-CH, 400 V, 53 A, 0.07 Om, SOT-227 Транзистори

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MODULE - COOLMOS APT40N60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MODULE - SIC APT50GF60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT-227POWER MODULE - IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: APT
POWER MOS 7 IGBT, 600 V, 100 A, SOT-227 Транзистори

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MODULE - IGBT APT50
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT-227POWER MODULE - IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MODULE - MOSFET APT50M75
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT58M80
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SOT-227/Discrete Semiconductor Products APT65GP60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: Microsemi
IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Транзистори

Hersteller: MICROSEMI
SOT227/Super Junction MOSFET APT77N60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke