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18,2 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (D25 18K2 1% TK100E3) 18,2 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (D25 18K2 1% TK100E3)
Produktcode: 98922 		Vishay Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 18,2 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 5000 Stück:
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Flussmittel TK83 Flasche 100ml Alkohollösung von Kolophonium mit organischen Aktivatoren, Löttemperatur bis 280°C, besonders für manuelles Verzinnen, AGT-045
+1
 		Flussmittel TK83 Flasche 100ml Alkohollösung von Kolophonium mit organischen Aktivatoren, Löttemperatur bis 280°C, besonders für manuelles Verzinnen, AGT-045
Produktcode: 84367 		AG description Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Категорія: Flussmittel
Опис: Manuelle Verzinnung, Mittelstufe
Вага/Об’єм/К-сть: 100ml
Рідкий
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TK 100N 02 1,35 S 280 N TK 100N 02 1,35 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 02
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TK 100N 02 1,35 S 280 N TK 100N 02 1,35 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 02
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TK 100N 03 1,90 S 280 N TK 100N 03 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
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20+3.58 EUR
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TK 100N 03 1,90 S 280 N TK 100N 03 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
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TK 100N 04 1,90 S 280 N TK 100N 04 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
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Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
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Max. contact resistance:: 55mΩ
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TK 100N 04 1,90 S 280 N TK 100N 04 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
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TK 100N 04 2,50 S 280 N TK 100N 04 2,50 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
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Max. contact resistance:: 55mΩ
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TK 100N 04 2,50 S 280 N TK 100N 04 2,50 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
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TK 100N 05 1,35 S 280 N TK 100N 05 1,35 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
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Max. contact resistance:: 55mΩ
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TK 100N 05 1,35 S 280 N TK 100N 05 1,35 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
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TK 100N 05 1,90 S 280 N TK 100N 05 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
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Max. contact resistance:: 55mΩ
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auf Bestellung 55 Stücke:
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TK 100N 05 1,90 S 280 N TK 100N 05 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
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TK 100N 06 1,90 S 280 N TK 100N 06 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
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27+2.69 EUR
30+ 2.39 EUR
32+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK 100N 06 1,90 S 280 N TK 100N 06 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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27+2.69 EUR
30+ 2.39 EUR
32+ 2.25 EUR
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TK 100N 16 1,90 S 280 N TK 100N 16 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
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Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
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auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.69 EUR
30+ 2.39 EUR
31+ 2.32 EUR
33+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK 100N 16 1,90 S 280 N TK 100N 16 1,90 S 280 N TEKON TK100N.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
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Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 16
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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27+2.69 EUR
30+ 2.39 EUR
31+ 2.32 EUR
33+ 2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK100A06N1,S4X TK100A06N1,S4X Toshiba TK100A06N1_datasheet_en_20140107-1915938.pdf MOSFET MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 2.92 EUR
500+ 2.32 EUR
1000+ 1.88 EUR
TK100A06N1,S4X TK100A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A06N1_datasheet_en_20140107.pdf?did=13458&prodName=TK100A06N1 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA TK100A06N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
35+ 2.07 EUR
37+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA TK100A06N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
35+ 2.07 EUR
37+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA 3934610.pdf Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100A08N1,S4X TK100A08N1,S4X Toshiba TK100A08N1_datasheet_en_20140128-1915921.pdf MOSFET MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.04 EUR
10+ 5.84 EUR
50+ 5.42 EUR
100+ 3.87 EUR
500+ 3.45 EUR
1000+ 2.87 EUR
TK100A08N1,S4X(S TK100A08N1,S4X(S TOSHIBA 3934611.pdf Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100A10N1,S4X TK100A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A10N1_datasheet_en_20140128.pdf?did=12864&prodName=TK100A10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.12 EUR
50+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK100A10N1,S4X TK100A10N1,S4X Toshiba TK100A10N1_datasheet_en_20140128-1915930.pdf MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.09 EUR
10+ 6.04 EUR
50+ 4.8 EUR
100+ 4.12 EUR
500+ 3.66 EUR
1000+ 3.04 EUR
TK100E06N1,S1X TK100E06N1,S1X Toshiba TK100E06N1_datasheet_en_20140630-1139856.pdf MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+ 3.4 EUR
100+ 2.83 EUR
250+ 2.71 EUR
500+ 2.34 EUR
1000+ 1.88 EUR
TK100E06N1,S1X TK100E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13459&prodName=TK100E06N1 Description: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.22 EUR
50+ 3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Toshiba 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.76 EUR
56+ 2.71 EUR
62+ 2.38 EUR
100+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Toshiba 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Toshiba 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E08N1,S1X TK100E08N1,S1X Toshiba TK100E08N1_datasheet_en_20140630-1140090.pdf MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
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TK100E08N1,S1X TK100E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E08N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=12754&prodName=TK100E08N1 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
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TK100E08N1,S1X(S TK100E08N1,S1X(S TOSHIBA 3934614.pdf Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 199 Stücke:
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TK100E08N1,S1X(S TK100E08N1,S1X(S Toshiba 1548docget.jsplangenpidtk100e08n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e08n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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50+3.14 EUR
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TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Toshiba TK100E10N1_datasheet_en_20140630-1915935.pdf MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.63 EUR
50+ 4.8 EUR
100+ 4.12 EUR
500+ 3.66 EUR
1000+ 3.04 EUR
TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=12867&prodName=TK100E10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 4065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.11 EUR
50+ 4.85 EUR
100+ 4.16 EUR
500+ 3.69 EUR
1000+ 3.16 EUR
2000+ 2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA TK100E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
37+ 1.96 EUR
39+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA TK100E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
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26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
37+ 1.96 EUR
39+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 28164 Stücke:
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 28150 Stücke:
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61+2.58 EUR
1000+ 2.23 EUR
2000+ 2.12 EUR
2500+ 1.71 EUR
3000+ 1.63 EUR
5000+ 1.49 EUR
10000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 61
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 28150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+2.56 EUR
1000+ 2.22 EUR
2000+ 2.12 EUR
2500+ 1.69 EUR
3000+ 1.61 EUR
5000+ 1.49 EUR
10000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 750
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA 3934615.pdf Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 633 Stücke:
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 49
TK100L60W,VQ TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13695&prodName=TK100L60W Description: MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 797W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.49 EUR
10+ 47.53 EUR
100+ 41.57 EUR
TK100L60W,VQ TK100L60W,VQ Toshiba TK100L60W_datasheet_en_20131225-1140126.pdf MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.74 EUR
10+ 48.65 EUR
20+ 46.85 EUR
50+ 46.06 EUR
100+ 42.54 EUR
200+ 40.97 EUR
500+ 39.65 EUR
TK100L60W,VQ(O TK100L60W,VQ(O Toshiba 191tk100l60w_datasheet_en_20131225.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+28.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK100L60W,VQ(O TK100L60W,VQ(O TOSHIBA 3621093.pdf Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 797W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Toshiba TK100S04N1L_datasheet_en_20200624-1840137.pdf MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 2476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.29 EUR
10+ 3.57 EUR
100+ 2.85 EUR
250+ 2.82 EUR
500+ 2.41 EUR
1000+ 2.04 EUR
2000+ 1.94 EUR
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.31 EUR
10+ 3.58 EUR
100+ 2.85 EUR
500+ 2.41 EUR
1000+ 2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ Toshiba TK100S04N1L_datasheet_en_20200624-1840137.pdf MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 17681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+ 2.15 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.15 EUR
2000+ 1.08 EUR
4000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.64 EUR
10+ 2.16 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK100S04N1L,LXHQ(O Toshiba Silicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.21 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 1.88 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 71
TK-1009-PF-C-2.0 Guangzhou Yulian Electronics Technology Co.,Ltd Екран сенсорний з контролером та кабелями TK-501810 10,4``, PC, TK-UE43 controller with cables
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100
auf Bestellung 23 Stücke:
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AUTK-100 AUTK-100 Amphenol SINE Systems Crimping-Tools.pdf Crimpers / Crimping Tools CRIMPING TOOL KIT SZE 12,16,20
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+428.93 EUR
6+ 420.52 EUR
12+ 412.26 EUR
30+ 404.17 EUR
252+ 383.36 EUR
504+ 371.32 EUR
1002+ 371.17 EUR
AUTK-100 AUTK-100 Amphenol Sine Systems Corp Crimping-Tools.pdf Description: UNIVERSAL HEAVY DUTY CONTACT CRI
Packaging: Box
Contents: 8 Pieces - Crimping Tool, Extraction Tool, Gauge Tool, Instructions, Soldering Positioners, Wire Stripper
Usage: Crimping
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+470.76 EUR
25+ 429.92 EUR
18,2 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (D25 18K2 1% TK100E3)
Produktcode: 98922
18,2 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (D25 18K2 1% TK100E3)
Hersteller: Vishay
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 18,2 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 5000 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0048 EUR
100+ 0.004 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Flussmittel TK83 Flasche 100ml Alkohollösung von Kolophonium mit organischen Aktivatoren, Löttemperatur bis 280°C, besonders für manuelles Verzinnen, AGT-045
Produktcode: 84367		 description
Flussmittel TK83 Flasche 100ml Alkohollösung von Kolophonium mit organischen Aktivatoren, Löttemperatur bis 280°C, besonders für manuelles Verzinnen, AGT-045
+1
Hersteller: AG
Lötgeräte, Lötmaterial > Lötflussmittel
Категорія: Flussmittel
Опис: Manuelle Verzinnung, Mittelstufe
Вага/Об’єм/К-сть: 100ml
Рідкий
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 32 Stück:
24 Stück - erwartet 30.05.2024
8 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.67 EUR
TK 100N 02 1,35 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 02 1,35 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 02
Related items: TK100N
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TK 100N 02 1,35 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 02 1,35 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 02
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TK 100N 03 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 03
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TK 100N 03 1,90 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 03 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 03
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TK 100N 04 1,90 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 04 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 04
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TK 100N 04 1,90 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 04 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 04
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TK 100N 04 2,50 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
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TK 100N 04 2,50 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 04 2,50 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
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Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 04
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TK 100N 05 1,35 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
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Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
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Contact material: steel
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TK 100N 05 1,35 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 05 1,35 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
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TK 100N 05 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
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Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
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TK 100N 05 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
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Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
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TK 100N 06 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
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Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
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TK 100N 06 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 06
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TK 100N 16 1,90 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 16 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
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Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
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auf Bestellung 40 Stücke:
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TK 100N 16 1,90 S 280 N TK100N.pdf
TK 100N 16 1,90 S 280 N
Hersteller: TEKON
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 3.4mm; 3A; TK100N
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 3.4mm
Maksimum spring compression: 4.2mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 55mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 16
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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TK100A06N1,S4X TK100A06N1_datasheet_en_20140107-1915938.pdf
TK100A06N1,S4X
Hersteller: Toshiba
MOSFET MOSFET NCh 2.2ohm VGS10V10uAVDS60V
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TK100A06N1,S4X TK100A06N1_datasheet_en_20140107.pdf?did=13458&prodName=TK100A06N1
TK100A06N1,S4X
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+4.22 EUR
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TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1.pdf
TK100A06N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
auf Bestellung 615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
35+ 2.07 EUR
37+ 1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1.pdf
TK100A06N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 615 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
27+2.75 EUR
30+ 2.46 EUR
35+ 2.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 27
TK100A06N1,S4X(S 3934610.pdf
TK100A06N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100A08N1,S4X TK100A08N1_datasheet_en_20140128-1915921.pdf
TK100A08N1,S4X
Hersteller: Toshiba
MOSFET MOSFET NCh 2.6ohm VGS10V10uAVDS80V
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.04 EUR
10+ 5.84 EUR
50+ 5.42 EUR
100+ 3.87 EUR
500+ 3.45 EUR
1000+ 2.87 EUR
TK100A08N1,S4X(S 3934611.pdf
TK100A08N1,S4X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100A10N1,S4X TK100A10N1_datasheet_en_20140128.pdf?did=12864&prodName=TK100A10N1
TK100A10N1,S4X
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.12 EUR
50+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK100A10N1,S4X TK100A10N1_datasheet_en_20140128-1915930.pdf
TK100A10N1,S4X
Hersteller: Toshiba
MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.09 EUR
10+ 6.04 EUR
50+ 4.8 EUR
100+ 4.12 EUR
500+ 3.66 EUR
1000+ 3.04 EUR
TK100E06N1,S1X TK100E06N1_datasheet_en_20140630-1139856.pdf
TK100E06N1,S1X
Hersteller: Toshiba
MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.19 EUR
10+ 3.4 EUR
100+ 2.83 EUR
250+ 2.71 EUR
500+ 2.34 EUR
1000+ 1.88 EUR
TK100E06N1,S1X TK100E06N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=13459&prodName=TK100E06N1
TK100E06N1,S1X
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+4.22 EUR
50+ 3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK100E06N1,S1X(S 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf
TK100E06N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+5.76 EUR
56+ 2.71 EUR
62+ 2.38 EUR
100+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TK100E06N1,S1X(S 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf
TK100E06N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E06N1,S1X(S 1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf
TK100E06N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E08N1,S1X TK100E08N1_datasheet_en_20140630-1140090.pdf
TK100E08N1,S1X
Hersteller: Toshiba
MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.07 EUR
10+ 5.72 EUR
50+ 4.93 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 4.12 EUR
500+ 3.66 EUR
1000+ 3.04 EUR
TK100E08N1,S1X TK100E08N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=12754&prodName=TK100E08N1
TK100E08N1,S1X
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
TK100E08N1,S1X(S 3934614.pdf
TK100E08N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E08N1,S1X(S 1548docget.jsplangenpidtk100e08n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e08n1.pdf
TK100E08N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 50
TK100E10N1,S1X TK100E10N1_datasheet_en_20140630-1915935.pdf
TK100E10N1,S1X
Hersteller: Toshiba
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.63 EUR
50+ 4.8 EUR
100+ 4.12 EUR
500+ 3.66 EUR
1000+ 3.04 EUR
TK100E10N1,S1X TK100E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=12867&prodName=TK100E10N1
TK100E10N1,S1X
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 4065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.11 EUR
50+ 4.85 EUR
100+ 4.16 EUR
500+ 3.69 EUR
1000+ 3.16 EUR
2000+ 2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TK100E10N1,S1X 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf
TK100E10N1,S1X
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
37+ 1.96 EUR
39+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 255W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
26+2.85 EUR
28+ 2.57 EUR
37+ 1.96 EUR
39+ 1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26
TK100E10N1,S1X(S 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 28164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E10N1,S1X(S 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 28150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+2.58 EUR
1000+ 2.23 EUR
2000+ 2.12 EUR
2500+ 1.71 EUR
3000+ 1.63 EUR
5000+ 1.49 EUR
10000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 61
TK100E10N1,S1X(S 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 28150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
750+2.56 EUR
1000+ 2.22 EUR
2000+ 2.12 EUR
2500+ 1.69 EUR
3000+ 1.61 EUR
5000+ 1.49 EUR
10000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 750
TK100E10N1,S1X(S 3934615.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100E10N1,S1X(S 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf
TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 49
TK100L60W,VQ TK100L60W_datasheet_en_20131225.pdf?did=13695&prodName=TK100L60W
TK100L60W,VQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 797W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+53.49 EUR
10+ 47.53 EUR
100+ 41.57 EUR
TK100L60W,VQ TK100L60W_datasheet_en_20131225-1140126.pdf
TK100L60W,VQ
Hersteller: Toshiba
MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+54.74 EUR
10+ 48.65 EUR
20+ 46.85 EUR
50+ 46.06 EUR
100+ 42.54 EUR
200+ 40.97 EUR
500+ 39.65 EUR
TK100L60W,VQ(O 191tk100l60w_datasheet_en_20131225.pdf.pdf
TK100L60W,VQ(O
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+28.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TK100L60W,VQ(O 3621093.pdf
TK100L60W,VQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 797W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L_datasheet_en_20200624-1840137.pdf
TK100S04N1L,LQ
Hersteller: Toshiba
MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 2476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.29 EUR
10+ 3.57 EUR
100+ 2.85 EUR
250+ 2.82 EUR
500+ 2.41 EUR
1000+ 2.04 EUR
2000+ 1.94 EUR
TK100S04N1L,LQ TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+4.31 EUR
10+ 3.58 EUR
100+ 2.85 EUR
500+ 2.41 EUR
1000+ 2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L_datasheet_en_20200624-1840137.pdf
TK100S04N1L,LXHQ
Hersteller: Toshiba
MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 17681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.62 EUR
10+ 2.15 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.15 EUR
2000+ 1.08 EUR
4000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LXHQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=14004&prodName=TK100S04N1L
TK100S04N1L,LXHQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 10 V
auf Bestellung 2594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.64 EUR
10+ 2.16 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TK100S04N1L,LXHQ(O
Hersteller: Toshiba
Silicon N-channel MOS Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+2.21 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 1.88 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 71
TK-1009-PF-C-2.0
Hersteller: Guangzhou Yulian Electronics Technology Co.,Ltd
Екран сенсорний з контролером та кабелями TK-501810 10,4``, PC, TK-UE43 controller with cables
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK100
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AUTK-100 Crimping-Tools.pdf
AUTK-100
Hersteller: Amphenol SINE Systems
Crimpers / Crimping Tools CRIMPING TOOL KIT SZE 12,16,20
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+428.93 EUR
6+ 420.52 EUR
12+ 412.26 EUR
30+ 404.17 EUR
252+ 383.36 EUR
504+ 371.32 EUR
1002+ 371.17 EUR
AUTK-100 Crimping-Tools.pdf
AUTK-100
Hersteller: Amphenol Sine Systems Corp
Description: UNIVERSAL HEAVY DUTY CONTACT CRI
Packaging: Box
Contents: 8 Pieces - Crimping Tool, Extraction Tool, Gauge Tool, Instructions, Soldering Positioners, Wire Stripper
Usage: Crimping
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+470.76 EUR
25+ 429.92 EUR
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