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GCMS004A120S7B1 GCMS004A120S7B1 SemiQ GCMS004A120S7B1.pdf Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
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GCMS008A120B1B1 GCMS008A120B1B1 SemiQ GCMS008A120B1B1.pdf Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
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GCMS010B120S1-E1 GCMS010B120S1-E1 SemiQ GCMS010B120S1-E1.pdf Description: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.62 EUR
10+64.34 EUR
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GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1 SemiQ GCMS020A120S1-E1.pdf Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1 SemiQ GCMS020A120S1_E1-1951826.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+213.33 EUR
10+190.91 EUR
20+187.88 EUR
50+183.22 EUR
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GCMS020B120S1-E1 GCMS020B120S1-E1 SemiQ GCMS020B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.8 EUR
10+43.74 EUR
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GCMS040A120B1H1 SemiQ GCMS040A120B1H1.pdf Description: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
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GCMS040A120B3C1 SemiQ GCMS040A120B3C1.pdf Description: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
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GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1-E1 SemiQ GCMS040A120S1_E1-1916658.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
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GCMS040A120S1-E1 SemiQ GCMS040A120S1-E1.pdf Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
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GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1_E1-3105103.pdf MOSFET Modules
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.82 EUR
10+40.43 EUR
100+36.63 EUR
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GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.62 EUR
10+38.2 EUR
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GCMS080A120S1-E1 GCMS080A120S1-E1 SemiQ GCMS080A120S1_E1-1916710.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
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GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1_E1-3178404.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.13 EUR
10+25.64 EUR
100+23.09 EUR
500+23.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.62 EUR
10+24.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX003A120S3B1-N GCMX003A120S3B1-N SemiQ GCMX003A120S3B1_N-3571072.pdf MOSFET Modules 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+413.07 EUR
10+352.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P SemiQ GCMX010A120B2B1P-3393547.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
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GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P SemiQ GCMX010A120B2B1P.pdf Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 750W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
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GCMX010A120B3B1P GCMX010A120B3B1P SemiQ GCMX010A120B3B1P_rev1_0-3394168.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
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GCMX010A120B3B1P GCMX010A120B3B1P SemiQ GCMX010A120B3B1P_rev1.0.pdf Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 577W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+161.08 EUR
10+132.67 EUR
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GCMX010A120B3H1P GCMX010A120B3H1P SemiQ gcmx010a120b3h1p-3571089.pdf MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
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GCMX010B120S1-E1 GCMX010B120S1-E1 SemiQ GCMX010B120S1-E1.pdf Description: 1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 418 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10864 pF @ 1000 V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.83 EUR
10+50.9 EUR
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GCMX015A170S1-E1 GCMX015A170S1-E1 SemiQ Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1.2 kV
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+87.44 EUR
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GCMX020A120B2B1P GCMX020A120B2B1P SemiQ GCMX020A120B2B1P-3393646.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+96.04 EUR
10+87.33 EUR
25+84.39 EUR
50+81.49 EUR
100+78.57 EUR
250+75.64 EUR
500+74.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX020A120B2H1P GCMX020A120B2H1P SemiQ GCMX020A120B2H1P_rev1.0.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+166.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX020A120B3H1P GCMX020A120B3H1P SemiQ GCMX020A120B3H1P_rev1_0-3393875.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX020B120S1-E1 GCMX020B120S1-E1 SemiQ GCMX020B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.02 EUR
10+36.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX030A170S1-E1 GCMX030A170S1-E1 SemiQ Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.85 EUR
10+43.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P SemiQ GCMX040A120B2H1P_rev1_0-3393784.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P SemiQ GCMX040A120B2H1P_rev1.0.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX040A120B3H1P GCMX040A120B3H1P SemiQ GCMX040A120B3H1P_rev1_1-3393548.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.2 EUR
10+92.01 EUR
25+88.93 EUR
50+85.85 EUR
100+82.77 EUR
250+79.71 EUR
500+78.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.33 EUR
10+26.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1_E1-3105082.pdf MOSFET Modules
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.9 EUR
10+34.95 EUR
200+30.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P SemiQ GCMX080A120B2H1P-3393513.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+62.5 EUR
10+52.85 EUR
100+45.92 EUR
250+44.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P SemiQ GCMX080A120B2H1P.pdf Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.26 EUR
10+43.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080A120B2H2P SemiQ Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
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GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P SemiQ GCMX080A120B2H2P-3571054.pdf MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
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GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P SemiQ GCMX080A120B2T1P-3601909.pdf MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
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GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1 SemiQ GCMX080B120S1-E1.pdf Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.36 EUR
10+22.48 EUR
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GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1 SemiQ GCMX080B120S1_E1-3178393.pdf MOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.24 EUR
10+23.09 EUR
100+19.04 EUR
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GCMX080C120S1-E1 GCMX080C120S1-E1 SemiQ GCMX080C120S1_E1-3601921.pdf MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
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GDP60Z120E GDP60Z120E SemiQ GDP60Z120E.pdf Description: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
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GHIS020A060B1P2 SemiQ GHIS020A060B1P2.pdf Description: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
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GHIS040A120S-A2 GHIS040A120S-A2 SemiQ GHIS040A120S-A2.pdf Description: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GHIS060A060S-A1 GHIS060A060S-A1 SemiQ GHIS060A060S-A1.pdf Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GHIS060A060S-A2 GHIS060A060S-A2 SemiQ GHIS060A060S-A2.pdf Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
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GHIS060A120S-A1 GHIS060A120S-A1 SemiQ GHIS060A120S-A1.pdf Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GHIS060A120S-A2 GHIS060A120S-A2 SemiQ GHIS060A120S-A2.pdf Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
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GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S_D3-1915596.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.88 EUR
10+23.55 EUR
200+23.53 EUR
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GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.6 EUR
10+21.14 EUR
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GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S_D3-1916837.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S-D3.pdf Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.21 EUR
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GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
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GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S_D3-1915589.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.89 EUR
10+24.68 EUR
100+20.59 EUR
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GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S_D1E-1916672.pdf Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.47 EUR
10+42.35 EUR
100+37.65 EUR
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GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E SemiQ GHXS030A060S-D1E.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.56 EUR
10+41.21 EUR
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GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
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GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 SemiQ GHXS030A060S_D3-1916863.pdf Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
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GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S-D1E.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.12 EUR
10+57.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+176.67 EUR
10+167.53 EUR
30+165.02 EUR
100+158.31 EUR
250+155.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS004A120S7B1 GCMS004A120S7B1.pdf
GCMS004A120S7B1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
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GCMS008A120B1B1 GCMS008A120B1B1.pdf
GCMS008A120B1B1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
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GCMS010B120S1-E1 GCMS010B120S1-E1.pdf
GCMS010B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+84.62 EUR
10+64.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1-E1.pdf
GCMS020A120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS020A120S1-E1 GCMS020A120S1_E1-1951826.pdf
GCMS020A120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+213.33 EUR
10+190.91 EUR
20+187.88 EUR
50+183.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS020B120S1-E1 GCMS020B120S1-E1.pdf
GCMS020B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+58.8 EUR
10+43.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS040A120B1H1 GCMS040A120B1H1.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS040A120B3C1 GCMS040A120B3C1.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1_E1-1916658.pdf
GCMS040A120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS040A120S1-E1 GCMS040A120S1-E1.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1_E1-3105103.pdf
GCMS040B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+54.82 EUR
10+40.43 EUR
100+36.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS040B120S1-E1 GCMS040B120S1-E1.pdf
GCMS040B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+46.62 EUR
10+38.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS080A120S1-E1 GCMS080A120S1_E1-1916710.pdf
GCMS080A120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1_E1-3178404.pdf
GCMS080B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+35.13 EUR
10+25.64 EUR
100+23.09 EUR
500+23.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS080B120S1-E1 GCMS080B120S1-E1.pdf
GCMS080B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+34.62 EUR
10+24.96 EUR
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GCMX003A120S3B1-N GCMX003A120S3B1_N-3571072.pdf
GCMX003A120S3B1-N
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+413.07 EUR
10+352.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P-3393547.pdf
GCMX010A120B2B1P
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
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GCMX010A120B2B1P GCMX010A120B2B1P.pdf
GCMX010A120B2B1P
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 750W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
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GCMX010A120B3B1P GCMX010A120B3B1P_rev1_0-3394168.pdf
GCMX010A120B3B1P
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX010A120B3B1P GCMX010A120B3B1P_rev1.0.pdf
GCMX010A120B3B1P
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 577W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+161.08 EUR
10+132.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX010A120B3H1P gcmx010a120b3h1p-3571089.pdf
GCMX010A120B3H1P
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
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GCMX010B120S1-E1 GCMX010B120S1-E1.pdf
GCMX010B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: 1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 418 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10864 pF @ 1000 V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+67.83 EUR
10+50.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX015A170S1-E1
GCMX015A170S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12803 pF @ 1.2 kV
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+87.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX020A120B2B1P GCMX020A120B2B1P-3393646.pdf
GCMX020A120B2B1P
Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+96.04 EUR
10+87.33 EUR
25+84.39 EUR
50+81.49 EUR
100+78.57 EUR
250+75.64 EUR
500+74.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX020A120B2H1P GCMX020A120B2H1P_rev1.0.pdf
GCMX020A120B2H1P
Hersteller: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 333W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+166.6 EUR
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GCMX020A120B3H1P GCMX020A120B3H1P_rev1_0-3393875.pdf
GCMX020A120B3H1P
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
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GCMX020B120S1-E1 GCMX020B120S1-E1.pdf
GCMX020B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 20M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 216 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5349 pF @ 1000 V
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+49.02 EUR
10+36.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX030A170S1-E1
GCMX030A170S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET MOD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6333 pF @ 1.2 kV
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+58.85 EUR
10+43.79 EUR
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GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P_rev1_0-3393784.pdf
GCMX040A120B2H1P
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
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GCMX040A120B2H1P GCMX040A120B2H1P_rev1.0.pdf
GCMX040A120B2H1P
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 217W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
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GCMX040A120B3H1P GCMX040A120B3H1P_rev1_1-3393548.pdf
GCMX040A120B3H1P
Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+101.2 EUR
10+92.01 EUR
25+88.93 EUR
50+85.85 EUR
100+82.77 EUR
250+79.71 EUR
500+78.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1-E1.pdf
GCMX040B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3185 pF @ 1000 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+36.33 EUR
10+26.27 EUR
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GCMX040B120S1-E1 GCMX040B120S1_E1-3105082.pdf
GCMX040B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+46.9 EUR
10+34.95 EUR
200+30.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P-3393513.pdf
GCMX080A120B2H1P
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+62.5 EUR
10+52.85 EUR
100+45.92 EUR
250+44.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080A120B2H1P GCMX080A120B2H1P.pdf
GCMX080A120B2H1P
Hersteller: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+59.26 EUR
10+43.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080A120B2H2P
Hersteller: SemiQ
Description: 1200V, 80M SIC MOSFET FULL BRIDG
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080A120B2H2P GCMX080A120B2H2P-3571054.pdf
GCMX080A120B2H2P
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080A120B2T1P GCMX080A120B2T1P-3601909.pdf
GCMX080A120B2T1P
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1-E1.pdf
GCMX080B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
Description: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1336 pF @ 1000 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+31.36 EUR
10+22.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080B120S1-E1 GCMX080B120S1_E1-3178393.pdf
GCMX080B120S1-E1
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.24 EUR
10+23.09 EUR
100+19.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX080C120S1-E1 GCMX080C120S1_E1-3601921.pdf
GCMX080C120S1-E1
Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GDP60Z120E GDP60Z120E.pdf
GDP60Z120E
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHIS020A060B1P2 GHIS020A060B1P2.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHIS040A120S-A2 GHIS040A120S-A2.pdf
GHIS040A120S-A2
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 80A 480W SOT227
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHIS060A060S-A1 GHIS060A060S-A1.pdf
GHIS060A060S-A1
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 297W SOT227
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHIS060A060S-A2 GHIS060A060S-A2.pdf
GHIS060A060S-A2
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT MOD 600V 120A 312W SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHIS060A120S-A1 GHIS060A120S-A1.pdf
GHIS060A120S-A1
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHIS060A120S-A2 GHIS060A120S-A2.pdf
GHIS060A120S-A2
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S_D3-1915596.pdf
GHXS010A060S-D3
Hersteller: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+27.88 EUR
10+23.55 EUR
200+23.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS010A060S-D3 GHXS010A060S-D3.pdf
GHXS010A060S-D3
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 600V 10A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+29.6 EUR
10+21.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S_D3-1916837.pdf
GHXS015A120S-D3
Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS015A120S-D3 GHXS015A120S-D3.pdf
GHXS015A120S-D3
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+70.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3.pdf
GHXS020A060S-D3
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S_D3-1915589.pdf
GHXS020A060S-D3
Hersteller: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+32.89 EUR
10+24.68 EUR
100+20.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S_D1E-1916672.pdf
GHXS030A060S-D1E
Hersteller: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+53.47 EUR
10+42.35 EUR
100+37.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GHXS030A060S-D1E GHXS030A060S-D1E.pdf
GHXS030A060S-D1E
Hersteller: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+55.56 EUR
10+41.21 EUR
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GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3.pdf
GHXS030A060S-D3
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
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GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S_D3-1916863.pdf
GHXS030A060S-D3
Hersteller: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
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GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S-D1E.pdf
GHXS030A120S-D1E
Hersteller: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+76.12 EUR
10+57.5 EUR
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GHXS030A120S-D1E GHXS030A120S_D1E-1916767.pdf
GHXS030A120S-D1E
Hersteller: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+176.67 EUR
10+167.53 EUR
30+165.02 EUR
100+158.31 EUR
250+155.32 EUR
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