Produkte > SEMIQ > Alle Produkte des Herstellers SEMIQ (250) > Seite 3 nach 5

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5  Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A-1916775.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B-1916820.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.7 EUR
10+3.73 EUR
120+3.19 EUR
510+2.8 EUR
1020+2.39 EUR
2520+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065C SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A-1916683.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.83 EUR
10+7.6 EUR
100+4.54 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B-1916852.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+5.54 EUR
120+4.51 EUR
510+4.28 EUR
1020+4.01 EUR
2520+3.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120S GP3D010A120S SemiQ GP3D010A120S-3476126.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.66 EUR
10+6.55 EUR
100+5.3 EUR
500+4.7 EUR
1000+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.05 EUR
30+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B-2140984.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.34 EUR
10+8.82 EUR
120+8.78 EUR
270+7.71 EUR
2520+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A-1916857.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.09 EUR
10+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B-1916648.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.03 EUR
10+12.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A-1915591.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.78 EUR
10+10.96 EUR
100+9.12 EUR
250+8.92 EUR
500+8.06 EUR
1000+6.79 EUR
5000+6.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.8 EUR
10+14.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B-1916698.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A-1916731.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.15 EUR
100+5.95 EUR
250+5.77 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.26 EUR
2500+5.14 EUR
5000+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.3 EUR
30+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B-1916785.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+6.81 EUR
120+5.83 EUR
510+5.17 EUR
1020+4.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.5 EUR
30+5.38 EUR
120+5.08 EUR
510+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U-1916793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.64 EUR
10+5.26 EUR
120+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B-1916802.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.38 EUR
10+12.34 EUR
120+10.26 EUR
270+9.84 EUR
510+9.05 EUR
1020+8.15 EUR
2520+7.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.33 EUR
10+18.36 EUR
100+15.2 EUR
500+13.24 EUR
1000+11.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120U GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U-1916846.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.38 EUR
120+11.56 EUR
270+11.33 EUR
510+10.93 EUR
1020+10.45 EUR
2520+10.19 EUR
5010+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.86 EUR
10+20.08 EUR
30+19.27 EUR
60+18.62 EUR
120+16.97 EUR
270+16.14 EUR
510+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.3 EUR
10+19.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U-1916742.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A060B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B-1916624.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.36 EUR
10+6.2 EUR
120+6.18 EUR
10020+6.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.52 EUR
30+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B-1916827.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.15 EUR
10+12.9 EUR
120+11.93 EUR
510+11.4 EUR
1020+10.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U-1916639.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.1 EUR
30+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U-1916860.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.52 EUR
10+11.58 EUR
120+10.16 EUR
270+9.91 EUR
510+9.52 EUR
1020+8.8 EUR
2520+8.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.45 EUR
10+13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A120U GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U-1916868.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.92 EUR
10+21.98 EUR
30+21.08 EUR
60+20.38 EUR
120+18.55 EUR
270+17.65 EUR
510+16.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B GP3D050A065B SemiQ Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.86 EUR
10+39.53 EUR
100+33.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B-1915593.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.64 EUR
10+29.27 EUR
30+24.82 EUR
120+23.34 EUR
270+22.93 EUR
510+21.16 EUR
1020+20.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B_rev0_3-3476163.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.52 EUR
10+23.37 EUR
120+20.2 EUR
270+19.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U-1916754.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.53 EUR
10+45.69 EUR
120+45.67 EUR
510+42.4 EUR
1020+40.29 EUR
2520+39.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 312 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR SemiQ GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND SemiQ GPA040A120L-ND.pdf Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065A GP3D010A065A-1916775.pdf
GP3D010A065A
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065B GP3D010A065B-1916820.pdf
GP3D010A065B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.7 EUR
10+3.73 EUR
120+3.19 EUR
510+2.8 EUR
1020+2.39 EUR
2520+2.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120A GP3D010A120A.pdf
GP3D010A120A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120A GP3D010A120A-1916683.pdf
GP3D010A120A
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.83 EUR
10+7.6 EUR
100+4.54 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120B GP3D010A120B.pdf
GP3D010A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120B GP3D010A120B-1916852.pdf
GP3D010A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+5.54 EUR
120+4.51 EUR
510+4.28 EUR
1020+4.01 EUR
2520+3.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120S GP3D010A120S-3476126.pdf
GP3D010A120S
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.66 EUR
10+6.55 EUR
100+5.3 EUR
500+4.7 EUR
1000+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
GP3D010A170B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.05 EUR
30+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A170B GP3D010A170B-2140984.pdf
GP3D010A170B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.34 EUR
10+8.82 EUR
120+8.78 EUR
270+7.71 EUR
2520+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065A GP3D012A065A-1916857.pdf
GP3D012A065A
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065A GP3D012A065A.pdf
GP3D012A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.09 EUR
10+6.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065B GP3D012A065B-1916648.pdf
GP3D012A065B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065B GP3D012A065B.pdf
GP3D012A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120A GP3D015A120A.pdf
GP3D015A120A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.03 EUR
10+12.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120A GP3D015A120A-1915591.pdf
GP3D015A120A
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.78 EUR
10+10.96 EUR
100+9.12 EUR
250+8.92 EUR
500+8.06 EUR
1000+6.79 EUR
5000+6.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.8 EUR
10+14.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B-1916698.pdf
GP3D015A120B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A-1916731.pdf
GP3D020A065A
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.15 EUR
100+5.95 EUR
250+5.77 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.26 EUR
2500+5.14 EUR
5000+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A.pdf
GP3D020A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
GP3D020A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.3 EUR
30+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B-1916785.pdf
GP3D020A065B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.59 EUR
10+6.81 EUR
120+5.83 EUR
510+5.17 EUR
1020+4.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U.pdf
GP3D020A065U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.5 EUR
30+5.38 EUR
120+5.08 EUR
510+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U-1916793.pdf
GP3D020A065U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.64 EUR
10+5.26 EUR
120+4.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B-1916802.pdf
GP3D020A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.38 EUR
10+12.34 EUR
120+10.26 EUR
270+9.84 EUR
510+9.05 EUR
1020+8.15 EUR
2520+7.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+20.33 EUR
10+18.36 EUR
100+15.2 EUR
500+13.24 EUR
1000+11.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120U GP3D020A120U-1916846.pdf
GP3D020A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.38 EUR
120+11.56 EUR
270+11.33 EUR
510+10.93 EUR
1020+10.45 EUR
2520+10.19 EUR
5010+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 203nC 20A
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+21.86 EUR
10+20.08 EUR
30+19.27 EUR
60+18.62 EUR
120+16.97 EUR
270+16.14 EUR
510+15.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+22.3 EUR
10+19.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U.pdf
GP3D024A065U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U-1916742.pdf
GP3D024A065U
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A060B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B-1916624.pdf
GP3D030A065B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.36 EUR
10+6.2 EUR
120+6.18 EUR
10020+6.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.52 EUR
30+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B-1916827.pdf
GP3D030A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.15 EUR
10+12.9 EUR
120+11.93 EUR
510+11.4 EUR
1020+10.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U-1916639.pdf
GP3D030A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+16.1 EUR
30+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U-1916860.pdf
GP3D040A065U
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+13.52 EUR
10+11.58 EUR
120+10.16 EUR
270+9.91 EUR
510+9.52 EUR
1020+8.8 EUR
2520+8.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+14.45 EUR
10+13.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A120U GP3D040A120U-1916868.pdf
GP3D040A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+23.92 EUR
10+21.98 EUR
30+21.08 EUR
60+20.38 EUR
120+18.55 EUR
270+17.65 EUR
510+16.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B
GP3D050A065B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B.pdf
GP3D050A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+42.86 EUR
10+39.53 EUR
100+33.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B-1915593.pdf
GP3D050A120B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+30.64 EUR
10+29.27 EUR
30+24.82 EUR
120+23.34 EUR
270+22.93 EUR
510+21.16 EUR
1020+20.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B_rev0_3-3476163.pdf
GP3D050B170B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.52 EUR
10+23.37 EUR
120+20.2 EUR
270+19.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U-1916754.pdf
GP3D060A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+49.53 EUR
10+45.69 EUR
120+45.67 EUR
510+42.4 EUR
1020+40.29 EUR
2520+39.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U.pdf
GP3D060A120U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf
GPA015A120MN-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA020A120MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf
GPA020A135MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf
GPA025A120MN-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 312 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA030A120MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf
GPA030A135MN-FDR
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 300 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD.pdf
GPA040A120L-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND.pdf
GPA040A120L-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 2 3 4 5  Nächste Seite >> ]