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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GP2D003A060C GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D003A060C GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D003A065A GP2D003A065A SemiQ GP2D003A065A_REV2_8-27-15.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D005A120C GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D005A120C GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D006A065C GP2D006A065C SemiQ GP2D006A065C.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A065A SemiQ 1560_GP2D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A065C SemiQ GP2D010A065C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A120A GP2D010A120A SemiQ GP2D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A120B GP2D010A120B SemiQ GP2D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A120C GP2D010A120C SemiQ GP2D010A120C.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A120U SemiQ Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D020A065U SemiQ GP2D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D030A065B SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D060A120B SemiQ GP2D060A120B.pdf Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T020A120H GP2T020A120H SemiQ GP2T020A120H.pdf SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.07 EUR
10+29.65 EUR
120+25.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T030A170H SemiQ Description: SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 564W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.79 EUR
10+39.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H-3032323.pdf MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.38 EUR
10+32.07 EUR
30+31.19 EUR
60+29.43 EUR
120+27.69 EUR
270+26.85 EUR
510+25.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120H GP2T040A120H SemiQ GP2T040A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120J GP2T040A120J SemiQ GP2T040A120J.pdf SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.25 EUR
10+16.62 EUR
100+13.83 EUR
500+12.34 EUR
1000+10.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120U GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.48 EUR
30+31.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120H GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H-2999273.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.3 EUR
10+19.12 EUR
30+17.33 EUR
120+15.92 EUR
270+14.96 EUR
510+14.03 EUR
1020+12.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120H GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.6 EUR
30+8.44 EUR
120+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120J GP2T080A120J SemiQ GP2T080A120J-3359589.pdf SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.35 EUR
10+19.71 EUR
50+16.71 EUR
100+15.93 EUR
250+14.99 EUR
500+14.08 EUR
1000+12.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf MOSFET
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.24 EUR
10+19.06 EUR
30+17.3 EUR
120+15.87 EUR
270+14.93 EUR
510+14.01 EUR
1020+12.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120U GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U.pdf Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.74 EUR
30+7.91 EUR
120+6.63 EUR
510+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D005A120C SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 10320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.77 EUR
10+4.33 EUR
120+3.53 EUR
510+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D005A170B GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.55 EUR
30+8.39 EUR
120+7.04 EUR
510+6.05 EUR
1020+5.69 EUR
2010+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+2.45 EUR
100+2.26 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.38 EUR
10000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D006A065A GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D008A065A GP3D008A065A SemiQ GP3D008A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.22 EUR
10+4.05 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.2 EUR
2500+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D008A065D GP3D008A065D SemiQ GP3D008A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065A GP3D010A065A SemiQ GP3D010A065A.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065B GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
10+4.44 EUR
120+3.8 EUR
510+3.33 EUR
1020+2.84 EUR
2520+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065C SemiQ Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065D GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GP3D010A120A GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A-1916683.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+9.04 EUR
100+5.4 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.3 EUR
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GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120B GP3D010A120B SemiQ GP3D010A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
10+6.59 EUR
120+5.37 EUR
510+5.09 EUR
1020+4.77 EUR
2520+4.65 EUR
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GP3D010A120S GP3D010A120S SemiQ GP3D010A120S.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.31 EUR
10+7.79 EUR
100+6.31 EUR
500+5.59 EUR
1000+4.96 EUR
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GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.82 EUR
10+6.72 EUR
120+5.57 EUR
510+4.76 EUR
1020+4.44 EUR
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GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 39A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.28 EUR
30+9.47 EUR
120+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A-1916857.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065A GP3D012A065A SemiQ GP3D012A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.44 EUR
10+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B-1916648.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D012A065B GP3D012A065B SemiQ GP3D012A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120A GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A-1915591.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.21 EUR
10+13.04 EUR
100+10.85 EUR
250+10.61 EUR
500+9.59 EUR
1000+8.08 EUR
5000+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.8 EUR
10+16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B-1916698.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A-1916731.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.7 EUR
100+7.08 EUR
250+6.87 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.26 EUR
2500+6.12 EUR
5000+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D003A060C GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A060C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D003A060C GP2D003A060C_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A060C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D003A065A GP2D003A065A_REV2_8-27-15.pdf
GP2D003A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 158pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D005A120C GP2D005A120C.pdf
GP2D005A120C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D005A120C GP2D005A120C.pdf
GP2D005A120C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 317pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D006A065C GP2D006A065C.pdf
GP2D006A065C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 316pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252-2L (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A065A 1560_GP2D010A065A.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A065C GP2D010A065C.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A120A GP2D010A120A.pdf
GP2D010A120A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A120B GP2D010A120B.pdf
GP2D010A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A120C GP2D010A120C.pdf
GP2D010A120C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 635pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D010A120U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D020A065B GP2D020A065B.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1054pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D020A065U GP2D020A065U.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D030A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2D060A120B GP2D060A120B.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTKY 1.2KV 60A TO247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T020A120H GP2T020A120H.pdf
GP2T020A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.07 EUR
10+29.65 EUR
120+25.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T030A170H
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 564W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6202 pF @ 1200 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+53.79 EUR
10+39.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120H GP2T040A120H-3032323.pdf
GP2T040A120H
Hersteller: SemiQ
MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.38 EUR
10+32.07 EUR
30+31.19 EUR
60+29.43 EUR
120+27.69 EUR
270+26.85 EUR
510+25.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120H GP2T040A120H.pdf
GP2T040A120H
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120J GP2T040A120J.pdf
GP2T040A120J
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.25 EUR
10+16.62 EUR
100+13.83 EUR
500+12.34 EUR
1000+10.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120U GP2T040A120U.pdf
GP2T040A120U
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T040A120U GP2T040A120U.pdf
GP2T040A120U
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3192 pF @ 1000 V
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+39.48 EUR
30+31.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120H GP2T080A120H-2999273.pdf
GP2T080A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.3 EUR
10+19.12 EUR
30+17.33 EUR
120+15.92 EUR
270+14.96 EUR
510+14.03 EUR
1020+12.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120H GP2T080A120H.pdf
GP2T080A120H
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.6 EUR
30+8.44 EUR
120+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120J GP2T080A120J-3359589.pdf
GP2T080A120J
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.35 EUR
10+19.71 EUR
50+16.71 EUR
100+15.93 EUR
250+14.99 EUR
500+14.08 EUR
1000+12.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Hersteller: SemiQ
MOSFET
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.24 EUR
10+19.06 EUR
30+17.3 EUR
120+15.87 EUR
270+14.93 EUR
510+14.01 EUR
1020+12.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP2T080A120U GP2T080A120U.pdf
GP2T080A120U
Hersteller: SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.74 EUR
30+7.91 EUR
120+6.63 EUR
510+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D005A120C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 10320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.77 EUR
10+4.33 EUR
120+3.53 EUR
510+3.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D005A170B GP3D005A170B.pdf
GP3D005A170B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 347pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 21A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
auf Bestellung 2439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.55 EUR
30+8.39 EUR
120+7.04 EUR
510+6.05 EUR
1020+5.69 EUR
2010+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 6A 650V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.99 EUR
10+2.45 EUR
100+2.26 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.38 EUR
10000+1.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D006A065A GP3D006A065A.pdf
GP3D006A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 229pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 650 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D008A065A GP3D008A065A.pdf
GP3D008A065A
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.22 EUR
10+4.05 EUR
100+2.83 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.2 EUR
2500+2.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D008A065D GP3D008A065D.pdf
GP3D008A065D
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065A GP3D010A065A.pdf
GP3D010A065A
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 419pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065B GP3D010A065B.pdf
GP3D010A065B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.78 EUR
10+4.44 EUR
120+3.8 EUR
510+3.33 EUR
1020+2.84 EUR
2520+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065C
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SILICON CARBIDE
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A065D GP3D010A065D.pdf
GP3D010A065D
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIC 650V 8A TO263-2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263-2L
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D010A120A GP3D010A120A.pdf
GP3D010A120A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GP3D010A120A
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
auf Bestellung 96 Stücke:
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1+9.32 EUR
10+9.04 EUR
100+5.4 EUR
500+4.46 EUR
1000+4.3 EUR
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GP3D010A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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GP3D010A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 3 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+8.82 EUR
10+6.59 EUR
120+5.37 EUR
510+5.09 EUR
1020+4.77 EUR
2520+4.65 EUR
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GP3D010A120S
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.31 EUR
10+7.79 EUR
100+6.31 EUR
500+5.59 EUR
1000+4.96 EUR
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GP3D010A170B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.82 EUR
10+6.72 EUR
120+5.57 EUR
510+4.76 EUR
1020+4.44 EUR
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GP3D010A170B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 39A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+16.28 EUR
30+9.47 EUR
120+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Діоди та діодні збірки
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GP3D012A065A
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-220
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GP3D012A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
auf Bestellung 43 Stücke:
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3+8.44 EUR
10+7.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GP3D012A065B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
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GP3D012A065B GP3D012A065B.pdf
GP3D012A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GP3D015A120A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120A GP3D015A120A-1915591.pdf
GP3D015A120A
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-220
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.21 EUR
10+13.04 EUR
100+10.85 EUR
250+10.61 EUR
500+9.59 EUR
1000+8.08 EUR
5000+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GP3D015A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.8 EUR
10+16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B-1916698.pdf
GP3D015A120B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A-1916731.pdf
GP3D020A065A
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.7 EUR
100+7.08 EUR
250+6.87 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.26 EUR
2500+6.12 EUR
5000+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GP3D020A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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