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GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
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GP3D015A120B GP3D015A120B SemiQ GP3D015A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 14 Stücke:
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2+18.8 EUR
10+16.99 EUR
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GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A-1916731.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
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1+9.7 EUR
100+7.08 EUR
250+6.87 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.26 EUR
2500+6.12 EUR
5000+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.26 EUR
30+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B-1916785.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
auf Bestellung 54 Stücke:
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1+10.22 EUR
10+8.1 EUR
120+6.94 EUR
510+6.15 EUR
1020+4.96 EUR
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GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
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GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
30+6.4 EUR
120+6.05 EUR
510+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U-1916793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.9 EUR
10+6.26 EUR
120+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
10+21.85 EUR
100+18.09 EUR
500+15.76 EUR
1000+13.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 20 Stücke:
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1+22.41 EUR
10+16.7 EUR
120+13.91 EUR
510+12.4 EUR
1020+11.58 EUR
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GP3D020A120U GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U-1916846.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 64 Stücke:
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1+18.3 EUR
120+13.76 EUR
270+13.48 EUR
510+13.01 EUR
1020+12.44 EUR
2520+12.13 EUR
5010+12.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.54 EUR
10+23.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 203nC 20A
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.47 EUR
10+10.45 EUR
120+10.12 EUR
510+7.69 EUR
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GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U-1916742.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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GP3D030A060B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
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GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.98 EUR
30+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.82 EUR
10+8.4 EUR
120+6.18 EUR
510+5.49 EUR
1020+4.86 EUR
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GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.2 EUR
10+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.43 EUR
10+12.59 EUR
120+10.36 EUR
510+9.26 EUR
1020+8.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A120U GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U-1916868.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.46 EUR
10+26.16 EUR
30+25.09 EUR
60+24.25 EUR
120+22.07 EUR
270+21 EUR
510+19.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B GP3D050A065B SemiQ Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B SemiQ DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2 Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B-1915593.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.46 EUR
10+34.83 EUR
30+29.54 EUR
120+27.77 EUR
270+27.29 EUR
510+25.18 EUR
1020+24.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51 EUR
10+47.04 EUR
100+40.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf Description: 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3511pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 151A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.18 EUR
30+20.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.26 EUR
10+27.83 EUR
120+24.06 EUR
510+22.79 EUR
1020+21.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U-1916754.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.94 EUR
10+54.37 EUR
120+54.35 EUR
510+50.46 EUR
1020+47.95 EUR
2520+47.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T014A120H GP3T014A120H SemiQ GP3T014A120H.pdf Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6242 pF @ 1000 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T014A120H GP3T014A120H SemiQ GP3T014A120H.pdf Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120H GP3T016A120H SemiQ GP3T016A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120H GP3T016A120H SemiQ GP3T016A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.5 EUR
10+17.11 EUR
100+12.94 EUR
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GP3T016A120TS SemiQ GP3T016A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T017A120H GP3T017A120H SemiQ GP3T017A120H.pdf Description: GEN3 1200V 17M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5828 pF @ 1000 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120H GP3T020A120H SemiQ GP3T020A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.66 EUR
10+13.59 EUR
120+13.57 EUR
510+11.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120H GP3T020A120H SemiQ GP3T020A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120TS SemiQ GP3T020A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.28 EUR
36+12.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T034A120H GP3T034A120H SemiQ GP3T034A120H.pdf Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2584 pF @ 1000 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.14 EUR
30+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120H GP3T040A120H SemiQ GP3T040A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.93 EUR
10+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120H GP3T040A120H SemiQ GP3T040A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.12 EUR
10+8.19 EUR
120+7.52 EUR
510+6.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120TS SemiQ GP3T040A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.93 EUR
36+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120H GP3T080A120H SemiQ GP3T080A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.61 EUR
10+7.03 EUR
120+6.58 EUR
510+5.4 EUR
1020+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120H GP3T080A120H SemiQ GP3T080A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.36 EUR
10+9.02 EUR
50+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120J GP3T080A120J SemiQ GP3T080A120J.pdf Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TO-263-7L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120J GP3T080A120J SemiQ GP3T080A120J.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.11 EUR
10+8.79 EUR
50+6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120TS GP3T080A120TS SemiQ GP3T080A120TS.pdf Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TSPak
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120TS GP3T080A120TS SemiQ GP3T080A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.64 EUR
36+7.59 EUR
72+6.93 EUR
108+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 312 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 15A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D015A120B GP3D015A120B.pdf
GP3D015A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.8 EUR
10+16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A.pdf
GP3D020A065A
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065A GP3D020A065A-1916731.pdf
GP3D020A065A
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.7 EUR
100+7.08 EUR
250+6.87 EUR
500+6.7 EUR
1000+6.26 EUR
2500+6.12 EUR
5000+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
GP3D020A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.26 EUR
30+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B-1916785.pdf
GP3D020A065B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.22 EUR
10+8.1 EUR
120+6.94 EUR
510+6.15 EUR
1020+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
Hersteller: SemiQ
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U.pdf
GP3D020A065U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.12 EUR
30+6.4 EUR
120+6.05 EUR
510+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U-1916793.pdf
GP3D020A065U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.9 EUR
10+6.26 EUR
120+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.19 EUR
10+21.85 EUR
100+18.09 EUR
500+15.76 EUR
1000+13.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.41 EUR
10+16.7 EUR
120+13.91 EUR
510+12.4 EUR
1020+11.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120U GP3D020A120U-1916846.pdf
GP3D020A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.3 EUR
120+13.76 EUR
270+13.48 EUR
510+13.01 EUR
1020+12.44 EUR
2520+12.13 EUR
5010+12.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 67A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+26.54 EUR
10+23.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 203nC 20A
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.47 EUR
10+10.45 EUR
120+10.12 EUR
510+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U-1916742.pdf
GP3D024A065U
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U.pdf
GP3D024A065U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A060B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.98 EUR
30+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.82 EUR
10+8.4 EUR
120+6.18 EUR
510+5.49 EUR
1020+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.2 EUR
10+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.43 EUR
10+12.59 EUR
120+10.36 EUR
510+9.26 EUR
1020+8.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A120U GP3D040A120U-1916868.pdf
GP3D040A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+28.46 EUR
10+26.16 EUR
30+25.09 EUR
60+24.25 EUR
120+22.07 EUR
270+21 EUR
510+19.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B
GP3D050A065B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B
Hersteller: SemiQ
DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B-1915593.pdf
GP3D050A120B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.46 EUR
10+34.83 EUR
30+29.54 EUR
120+27.77 EUR
270+27.29 EUR
510+25.18 EUR
1020+24.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B.pdf
GP3D050A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+51 EUR
10+47.04 EUR
100+40.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
GP3D050B170B
Hersteller: SemiQ
Description: 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3511pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 151A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+33.18 EUR
30+20.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
GP3D050B170B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+37.26 EUR
10+27.83 EUR
120+24.06 EUR
510+22.79 EUR
1020+21.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
Hersteller: SemiQ
1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U-1916754.pdf
GP3D060A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+58.94 EUR
10+54.37 EUR
120+54.35 EUR
510+50.46 EUR
1020+47.95 EUR
2520+47.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U.pdf
GP3D060A120U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T014A120H GP3T014A120H.pdf
GP3T014A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6242 pF @ 1000 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T014A120H GP3T014A120H.pdf
GP3T014A120H
Hersteller: SemiQ
Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120H GP3T016A120H.pdf
GP3T016A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120H GP3T016A120H.pdf
GP3T016A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.5 EUR
10+17.11 EUR
100+12.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120TS GP3T016A120TS.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T017A120H GP3T017A120H.pdf
GP3T017A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 17M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5828 pF @ 1000 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120H GP3T020A120H.pdf
GP3T020A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.66 EUR
10+13.59 EUR
120+13.57 EUR
510+11.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120H GP3T020A120H.pdf
GP3T020A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120TS GP3T020A120TS.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.28 EUR
36+12.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T034A120H GP3T034A120H.pdf
GP3T034A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2584 pF @ 1000 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.14 EUR
30+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120H GP3T040A120H.pdf
GP3T040A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
auf Bestellung 76 Stücke:
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2+14.93 EUR
10+10.14 EUR
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GP3T040A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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120+7.52 EUR
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Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
auf Bestellung 36 Stücke:
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2+14.93 EUR
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GP3T080A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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1+12.61 EUR
10+7.03 EUR
120+6.58 EUR
510+5.4 EUR
1020+5.21 EUR
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GP3T080A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
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2+13.36 EUR
10+9.02 EUR
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Hersteller: SemiQ
Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TO-263-7L
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GP3T080A120J
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
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2+13.11 EUR
10+8.79 EUR
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GP3T080A120TS
Hersteller: SemiQ
Gen3 1200V 80m SiC MOSFET TSPak
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GP3T080A120TS
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
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36+7.59 EUR
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GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf
GPA015A120MN-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 212 W
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GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA020A120MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 223 W
Produkt ist nicht verfügbar
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GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf
GPA020A135MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
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GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf
GPA025A120MN-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 312 W
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GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA030A120MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 329 W
Produkt ist nicht verfügbar
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