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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.26 EUR
30+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B-1916785.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+8.1 EUR
120+6.94 EUR
510+6.15 EUR
1020+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B SemiQ GP3D020A065B.pdf DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U-1916793.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.9 EUR
10+6.26 EUR
120+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U SemiQ GP3D020A065U.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
30+6.4 EUR
120+6.05 EUR
510+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.42 EUR
10+10.22 EUR
120+8.76 EUR
510+8.29 EUR
1020+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
10+21.85 EUR
100+18.09 EUR
500+15.76 EUR
1000+13.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120U GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U-1916846.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.3 EUR
120+13.76 EUR
270+13.48 EUR
510+13.01 EUR
1020+12.44 EUR
2520+12.13 EUR
5010+12.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 67A
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.54 EUR
10+23.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B SemiQ GP3D020A170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 203nC 20A
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.47 EUR
10+10.45 EUR
120+10.12 EUR
510+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U-1916742.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A060B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Part Status: Active
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.82 EUR
10+8.4 EUR
120+6.18 EUR
510+5.49 EUR
1020+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.98 EUR
30+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B SemiQ GP3D030A120B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+11.19 EUR
120+9.26 EUR
510+8.33 EUR
1020+7.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U SemiQ GP3D040A065U.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.2 EUR
10+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A120U GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U-1916868.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.46 EUR
10+26.16 EUR
30+25.09 EUR
60+24.25 EUR
120+22.07 EUR
270+21 EUR
510+19.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B GP3D050A065B SemiQ Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B SemiQ DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B-1915593.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.46 EUR
10+34.83 EUR
30+29.54 EUR
120+27.77 EUR
270+27.29 EUR
510+25.18 EUR
1020+24.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B.pdf Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51 EUR
10+47.04 EUR
100+40.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.14 EUR
10+25.18 EUR
120+21.77 EUR
510+20.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf Description: 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3511pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 151A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.18 EUR
30+20.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B SemiQ GP3D050B170B.pdf 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120B SemiQ Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U-1916754.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.94 EUR
10+54.37 EUR
120+54.35 EUR
510+50.46 EUR
1020+47.95 EUR
2520+47.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U SemiQ GP3D060A120U.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T014A120H GP3T014A120H SemiQ GP3T014A120H.pdf Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6242 pF @ 1000 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120H GP3T016A120H SemiQ GP3T016A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.5 EUR
10+17.11 EUR
100+12.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120H GP3T016A120H SemiQ GP3T016A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120TS SemiQ GP3T016A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T017A120H GP3T017A120H SemiQ GP3T017A120H.pdf Description: GEN3 1200V 17M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5828 pF @ 1000 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120H GP3T020A120H SemiQ GP3T020A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120H GP3T020A120H SemiQ GP3T020A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.66 EUR
10+13.59 EUR
120+13.57 EUR
510+11.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120TS SemiQ GP3T020A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.28 EUR
36+12.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T034A120H GP3T034A120H SemiQ GP3T034A120H.pdf Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2584 pF @ 1000 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.14 EUR
30+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120H GP3T040A120H SemiQ GP3T040A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.93 EUR
10+10.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120H GP3T040A120H SemiQ GP3T040A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.12 EUR
10+10.26 EUR
120+8.73 EUR
510+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120TS SemiQ GP3T040A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.93 EUR
36+8.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120H GP3T080A120H SemiQ GP3T080A120H.pdf SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.56 EUR
10+6.91 EUR
120+4.96 EUR
510+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120H GP3T080A120H SemiQ GP3T080A120H.pdf Description: GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.94 EUR
10+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120J SemiQ GP3T080A120J.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.94 EUR
50+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120TS SemiQ GP3T080A120TS.pdf Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 212 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Power - Max: 312 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 350 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Power - Max: 329 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 330 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR SemiQ GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Power - Max: 329 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 300 nC
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND SemiQ GPA040A120L-ND.pdf Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Power - Max: 480 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 480 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND SemiQ GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 405 nC
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD SemiQ GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Power - Max: 231 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 173 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5 SemiQ GSID080A120B1A5.pdf Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
GP3D020A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.26 EUR
30+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B-1916785.pdf
GP3D020A065B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.22 EUR
10+8.1 EUR
120+6.94 EUR
510+6.15 EUR
1020+4.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065B GP3D020A065B.pdf
Hersteller: SemiQ
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U-1916793.pdf
GP3D020A065U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-3
auf Bestellung 574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.9 EUR
10+6.26 EUR
120+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A065U GP3D020A065U.pdf
GP3D020A065U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.12 EUR
30+6.4 EUR
120+6.05 EUR
510+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.42 EUR
10+10.22 EUR
120+8.76 EUR
510+8.29 EUR
1020+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120B GP3D020A120B.pdf
GP3D020A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.19 EUR
10+21.85 EUR
100+18.09 EUR
500+15.76 EUR
1000+13.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A120U GP3D020A120U-1916846.pdf
GP3D020A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+18.3 EUR
120+13.76 EUR
270+13.48 EUR
510+13.01 EUR
1020+12.44 EUR
2520+12.13 EUR
5010+12.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D020A170B GP3D020A170B.pdf
GP3D020A170B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 67A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 67A
Capacitance @ Vr, F: 1403pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+26.54 EUR
10+23.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GP3D020A170B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 203nC 20A
auf Bestellung 176 Stücke:
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1+17.47 EUR
10+10.45 EUR
120+10.12 EUR
510+7.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U.pdf
GP3D024A065U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D024A065U GP3D024A065U-1916742.pdf
GP3D024A065U
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A060B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247
Part Status: Active
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GP3D030A065B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+12.82 EUR
10+8.4 EUR
120+6.18 EUR
510+5.49 EUR
1020+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A065B GP3D030A065B.pdf
GP3D030A065B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.98 EUR
30+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GP3D030A120B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120B GP3D030A120B.pdf
GP3D030A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Capacitance @ Vr, F: 1762pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 1200V 15A TO247-3
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D030A120U GP3D030A120U.pdf
GP3D030A120U
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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GP3D040A065U
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.34 EUR
10+11.19 EUR
120+9.26 EUR
510+8.33 EUR
1020+7.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A065U GP3D040A065U.pdf
GP3D040A065U
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V TO247-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.2 EUR
10+15.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D040A120U GP3D040A120U-1916868.pdf
GP3D040A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+28.46 EUR
10+26.16 EUR
30+25.09 EUR
60+24.25 EUR
120+22.07 EUR
270+21 EUR
510+19.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B
GP3D050A065B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY RECTIFIER
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A065B
Hersteller: SemiQ
DIODE SIL CARB 650V 135A TO247-2 Діоди та діодні збірки
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B-1915593.pdf
GP3D050A120B
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+36.46 EUR
10+34.83 EUR
30+29.54 EUR
120+27.77 EUR
270+27.29 EUR
510+25.18 EUR
1020+24.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050A120B GP3D050A120B.pdf
GP3D050A120B
Hersteller: SemiQ
Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO247-2
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+51 EUR
10+47.04 EUR
100+40.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
GP3D050B170B
Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+31.14 EUR
10+25.18 EUR
120+21.77 EUR
510+20.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
GP3D050B170B
Hersteller: SemiQ
Description: 1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3511pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 151A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+33.18 EUR
30+20.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D050B170B GP3D050B170B.pdf
Hersteller: SemiQ
1700V, 50A SIC DIODE, TO-247-2L Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120B
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U-1916754.pdf
GP3D060A120U
Hersteller: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+58.94 EUR
10+54.37 EUR
120+54.35 EUR
510+50.46 EUR
1020+47.95 EUR
2520+47.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3D060A120U GP3D060A120U.pdf
GP3D060A120U
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T014A120H GP3T014A120H.pdf
GP3T014A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 14M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6242 pF @ 1000 V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120H GP3T016A120H.pdf
GP3T016A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 16M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.5 EUR
10+17.11 EUR
100+12.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120H GP3T016A120H.pdf
GP3T016A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T016A120TS GP3T016A120TS.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 16M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6779 pF @ 1000 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+24.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T017A120H GP3T017A120H.pdf
GP3T017A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 17M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5828 pF @ 1000 V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120H GP3T020A120H.pdf
GP3T020A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120H GP3T020A120H.pdf
GP3T020A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+22.66 EUR
10+13.59 EUR
120+13.57 EUR
510+11.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T020A120TS GP3T020A120TS.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.28 EUR
36+12.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T034A120H GP3T034A120H.pdf
GP3T034A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2584 pF @ 1000 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.14 EUR
30+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120H GP3T040A120H.pdf
GP3T040A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
auf Bestellung 76 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120H GP3T040A120H.pdf
GP3T040A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T040A120TS GP3T040A120TS.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET TSPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TSPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V
auf Bestellung 36 Stücke:
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2+14.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120H GP3T080A120H.pdf
GP3T080A120H
Hersteller: SemiQ
SiC MOSFETs Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
auf Bestellung 122 Stücke:
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1+9.56 EUR
10+6.91 EUR
120+4.96 EUR
510+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120H GP3T080A120H.pdf
GP3T080A120H
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
auf Bestellung 99 Stücke:
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2+10.94 EUR
10+7.29 EUR
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GP3T080A120J GP3T080A120J.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
auf Bestellung 50 Stücke:
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2+10.94 EUR
50+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GP3T080A120TS GP3T080A120TS.pdf
Hersteller: SemiQ
Description: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET TSPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1351 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TSPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
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3+10.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA015A120MN-ND GPA015A120MN-ND_REV2.1_10-13.pdf
GPA015A120MN-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO-3PN
Reverse Recovery Time (trr): 320 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 212 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/166ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A120MN-FD GPA020A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA020A120MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/150ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 425 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Power - Max: 223 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA020A135MN-FD GPA020A135MN-FD_REV0.1_12-13.pdf
GPA020A135MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA025A120MN-ND GPA025A120MN-ND_REV1.1_10-13.pdf
GPA025A120MN-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Power - Max: 312 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 350 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/240ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 480 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A120MN-FD GPA030A120MN-FD_REV1.1_10-13.pdf
GPA030A120MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Power - Max: 329 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 330 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.5mJ (on), 850µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA030A135MN-FDR GPA030A135MN-FDR_REV0.0_2-14.pdf
GPA030A135MN-FDR
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Power - Max: 329 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 300 nC
Test Condition: 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/145ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 450 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120L-FD GPA040A120L-FD.pdf
GPA040A120L-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120L-ND GPA040A120L-ND.pdf
GPA040A120L-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 455W TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA040A120MN-FD GPA040A120MN-FD_REV0.0_3-14.pdf
GPA040A120MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Power - Max: 480 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 480 nC
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/200ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPA042A100L-ND GPA042A100L-ND_REV1_8-12.pdf
GPA042A100L-ND
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Gate Charge: 405 nC
Test Condition: 600V, 60A, 50Ohm, 15V
Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 230ns/1480ns
IGBT Type: NPT and Trench
Supplier Device Package: TO-264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Reverse Recovery Time (trr): 465 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Power - Max: 463 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GPI040A060MN-FD GPI040A060MN-FD_REV0_9-13.pdf
GPI040A060MN-FD
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Power - Max: 231 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Gate Charge: 173 nC
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/85ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GSID080A120B1A5 GSID080A120B1A5.pdf
GSID080A120B1A5
Hersteller: SemiQ
Description: IGBT MOD 1200V 160A 1710W
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