Produkte > SMC DIODE SOLUTIONS > Alle Produkte des Herstellers SMC DIODE SOLUTIONS (9706) > Seite 127 nach 162
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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S3D50065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes |
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S3D50065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2,TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2; TO247AC Max. forward voltage: 2.4V Max. load current: 112A Max. forward impulse current: 0.3kA Leakage current: 40µA Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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S3D60065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC Max. off-state voltage: 650V Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Case: TO247-2; TO247AC Kind of package: tube Max. load current: 128A Max. forward voltage: 2V Semiconductor structure: single diode Leakage current: 50µA Power dissipation: 484W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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S3DBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3DTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3GBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3GBTR-SMC SMD universal diodes |
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S3GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3GTR-SMC SMD universal diodes |
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S3JBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3JBTR-SMC SMD universal diodes |
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S3JTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3JTR-SMC SMD universal diodes |
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S3KBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3KTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3KTR-SMC SMD universal diodes |
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S3M0016120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 75A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 576W Case: T2PAK Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 287nC Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 732W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 287nC Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 732W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 287nC Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0025120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 52A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 394W Case: T2PAK Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 175nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0025120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0025120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 200A Case: TO247-4 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0025120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TOLL Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Gate charge: 175nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 333W Case: T2PAK Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120J-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors |
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S3M0040120J-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors |
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S3M0040120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120N | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 483W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...20V Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TOLL Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3MBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: SMB Max. forward voltage: 1.2V Kind of package: reel; tape Capacitance: 60pF Leakage current: 5µA Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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S3MTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3MTR-SMC SMD universal diodes |
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S4D02120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D02120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 3V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 197 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D02120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 14A Max. forward voltage: 2.5V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 25A Power dissipation: 26W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: ITO220AC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D02120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D02120T | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes |
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S4D04120A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D04120A-SMC THT Schottky diodes |
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S4D04120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
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S4D05120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D05120E1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D05120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
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S4D05120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes |
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S4D05120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 3V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 46A Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D08120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D08120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D08120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
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S4D10120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D10120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D10120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D10120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D10120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D10120H | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D10120L1TR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D10120L1TR-SMC SMD Schottky diodes |
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S4D15120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D15120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D15120G | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D15120G-SMC SMD Schottky diodes |
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S4D15120H | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S4D20120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 3V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 162A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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S4D20120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; Ufmax: 3V; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 105A Kind of package: tube Max. load current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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S4D20120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D20120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 162A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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S4D20120H | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2,TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2; TO247AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 162A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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S4D30120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
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S4D30120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 68A Max. forward voltage: 3V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 246A Power dissipation: 191W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: ITO220AC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D30120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D30120G0-SMC SMD Schottky diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
S3D50065GTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D50065H |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. load current: 112A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. load current: 112A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D60065H2 |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Max. load current: 128A
Max. forward voltage: 2V
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 60A; TO247-2,TO247AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Max. load current: 128A
Max. forward voltage: 2V
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 484W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3DBTR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3DBTR-SMC SMD universal diodes
S3DBTR-SMC SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3DTR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3DTR-SMC SMD universal diodes
S3DTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3GBTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3GBTR-SMC SMD universal diodes
S3GBTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3GTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3GTR-SMC SMD universal diodes
S3GTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3JBTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3JBTR-SMC SMD universal diodes
S3JBTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3JTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3JTR-SMC SMD universal diodes
S3JTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3KBTR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3KBTR-SMC SMD universal diodes
S3KBTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3KTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3KTR-SMC SMD universal diodes
S3KTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3M0016120B |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 576W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 576W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.33 EUR |
7+ | 11.65 EUR |
10+ | 11.21 EUR |
S3M0016120D |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.21 EUR |
7+ | 11.2 EUR |
30+ | 10.77 EUR |
S3M0016120K |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.67 EUR |
6+ | 12.27 EUR |
7+ | 11.6 EUR |
30+ | 11.15 EUR |
S3M0025120B |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 394W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 394W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.97 EUR |
6+ | 11.95 EUR |
7+ | 11.3 EUR |
S3M0025120D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.85 EUR |
10+ | 7.49 EUR |
30+ | 7.21 EUR |
S3M0025120K |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
30+ | 7.65 EUR |
S3M0025120T |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 175nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.22 EUR |
10+ | 7.44 EUR |
11+ | 7.02 EUR |
250+ | 6.76 EUR |
S3M0040120B |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.41 EUR |
13+ | 5.78 EUR |
14+ | 5.33 EUR |
15+ | 5.03 EUR |
35+ | 4.85 EUR |
S3M0040120D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11+ | 7.06 EUR |
S3M0040120J-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors
S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3M0040120J-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors
S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3M0040120K |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.18 EUR |
13+ | 5.63 EUR |
30+ | 5.42 EUR |
S3M0040120N |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
10+ | 23.92 EUR |
36+ | 23.25 EUR |
S3M0040120T |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
250+ | 4.58 EUR |
S3MBTR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Leakage current: 5µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 3A; SMB; Ufmax: 1.2V; Ir: 5uA; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 60pF
Leakage current: 5µA
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3MTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3MTR-SMC SMD universal diodes
S3MTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D02120A |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120A-SMC THT Schottky diodes
S4D02120A-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D02120ETR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 3V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 3V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
162+ | 0.44 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
197+ | 0.36 EUR |
250+ | 0.33 EUR |
500+ | 0.32 EUR |
S4D02120F |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 14A
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: ITO220AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 14A
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
Power dissipation: 26W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: ITO220AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
2000+ | 0.37 EUR |
5000+ | 0.36 EUR |
S4D02120G0 |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
39+ | 1.83 EUR |
106+ | 0.67 EUR |
800+ | 0.4 EUR |
S4D02120T |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D04120A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D04120A-SMC THT Schottky diodes
S4D04120A-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D04120ETR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D04120ETR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D05120A |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120A-SMC THT Schottky diodes
S4D05120A-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D05120E1 |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120E1-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120E1-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D05120ETR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D05120G-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D05120GTR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 3V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 46A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 3V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 46A
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
81+ | 0.89 EUR |
90+ | 0.8 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
800+ | 0.59 EUR |
S4D08120A |
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Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220AC; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S4D20120D |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; Ufmax: 3V; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 105A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; Ufmax: 3V; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 105A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S4D20120G-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.15 EUR |
18+ | 3.98 EUR |
50+ | 2.36 EUR |
S4D20120GTR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S4D20120H |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 162A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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S4D30120D |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
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S4D30120F |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 68A
Max. forward voltage: 3V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 246A
Power dissipation: 191W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: ITO220AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; ITO220AC; 191W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 68A
Max. forward voltage: 3V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 246A
Power dissipation: 191W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: ITO220AC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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18+ | 3.98 EUR |
50+ | 3.07 EUR |
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