Produkte > SMC DIODE SOLUTIONS > Alle Produkte des Herstellers SMC DIODE SOLUTIONS (9689) > Seite 127 nach 162
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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S3D20065C | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D20065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D20065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D20065E | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D20065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
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auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3D20065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D20065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D30065A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D30065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D30065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D30065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D30065GTR-SMC SMD Schottky diodes |
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S3D30065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D35065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D40065D | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3D40065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes |
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S3D40065D-A | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Technology: SiC Max. load current: 40A Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3D40065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2,TO247AC Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 40A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2; TO247AC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3D40065H2-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes |
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S3D50065D1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-3; TO247AD Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 209A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3D50065F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.4V Max. forward impulse current: 209A Kind of package: tube Max. load current: 68A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3D50065GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes |
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S3D50065H | SMC DIODE SOLUTIONS |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3D60065H2 | SMC DIODE SOLUTIONS | S3D60065H2-SMC THT Schottky diodes |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3DBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3DTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3GBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3GBTR-SMC SMD universal diodes |
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S3GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3GTR-SMC SMD universal diodes |
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S3JBTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3JBTR-SMC SMD universal diodes |
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S3JTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3JTR-SMC SMD universal diodes |
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S3KBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3KTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3KTR-SMC SMD universal diodes |
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S3M0016120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 576W Drain current: 75A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0016120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 287nC On-state resistance: 25mΩ Power dissipation: 732W Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0016120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 732W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 287nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0025120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: T2PAK Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 394W Drain current: 52A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0025120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 517W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0025120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO247-4 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 517W Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0025120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TOLL Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 175nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 517W Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120B | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 333W Case: T2PAK Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120D | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 143nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 130W Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 291 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120J-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
S3M0040120J-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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S3M0040120K | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120N | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 50mΩ Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 483W Technology: SiC Gate-source voltage: -8...20V Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3M0040120T | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 223A Power dissipation: 130W Case: TOLL Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3MBTR | SMC DIODE SOLUTIONS |
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S3MTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S3MTR-SMC SMD universal diodes |
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S4D02120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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S4D02120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D02120F | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: ITO220AC Max. forward voltage: 2.5V Max. forward impulse current: 25A Kind of package: tube Max. load current: 14A Power dissipation: 26W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D02120G0 | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
S4D02120T | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes |
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S4D04120A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D04120A-SMC THT Schottky diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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S4D04120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 3V Load current: 4A Max. forward impulse current: 46A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S4D05120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
S4D05120E1 | SMC DIODE SOLUTIONS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
S4D05120ETR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
S4D05120G-A | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
S4D05120GTR | SMC DIODE SOLUTIONS | S4D05120GTR-SMC SMD Schottky diodes |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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S4D08120A | SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ufmax: 3V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 3V Max. forward impulse current: 64A Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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S3D20065C |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065C-SMC THT Schottky diodes
S3D20065C-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D20065D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes
S3D20065D-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D20065D1 |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D20065D1-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D20065E |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes
S3D20065ETR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D20065F |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
S3D20065F-SMC THT Schottky diodes
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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14+ | 5.48 EUR |
20+ | 3.6 EUR |
22+ | 3.4 EUR |
S3D20065GTR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D20065GTR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D20065H |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
S3D20065H-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D30065A |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065A-SMC THT Schottky diodes
S3D30065A-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D30065D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065D-SMC THT Schottky diodes
S3D30065D-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D30065D1 |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D30065D1-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D30065GTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D30065GTR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D30065H |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
S3D30065H-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D35065D1 |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D35065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D35065D1-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D40065D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065D-SMC THT Schottky diodes
S3D40065D-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D40065D1 |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
S3D40065D1-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3D40065D-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Technology: SiC
Max. load current: 40A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Technology: SiC
Max. load current: 40A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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17+ | 4.29 EUR |
19+ | 3.88 EUR |
22+ | 3.4 EUR |
23+ | 3.2 EUR |
25+ | 3.09 EUR |
S3D40065H2 |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2,TO247AC
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2; TO247AC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 7.15 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
100+ | 3.45 EUR |
S3D40065H2-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
S3D40065H2A-SMC THT Schottky diodes
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S3D50065D1 |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3; TO247AD
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.75 EUR |
19+ | 3.76 EUR |
100+ | 3.4 EUR |
300+ | 3.3 EUR |
S3D50065F |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; ITO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Max. load current: 68A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
19+ | 3.93 EUR |
21+ | 3.55 EUR |
24+ | 3.07 EUR |
25+ | 2.92 EUR |
50+ | 2.82 EUR |
250+ | 2.8 EUR |
S3D50065GTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes
S3D50065GTR-SMC SMD Schottky diodes
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S3D50065H |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
S3D50065H-SMC THT Schottky diodes
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.58 EUR |
9+ | 8.32 EUR |
10+ | 7.86 EUR |
S3D60065H2 |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3D60065H2-SMC THT Schottky diodes
S3D60065H2-SMC THT Schottky diodes
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.69 EUR |
7+ | 10.44 EUR |
8+ | 9.87 EUR |
S3DBTR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3DBTR-SMC SMD universal diodes
S3DBTR-SMC SMD universal diodes
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S3DTR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3DTR-SMC SMD universal diodes
S3DTR-SMC SMD universal diodes
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S3GBTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3GBTR-SMC SMD universal diodes
S3GBTR-SMC SMD universal diodes
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S3GTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3GTR-SMC SMD universal diodes
S3GTR-SMC SMD universal diodes
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S3JBTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3JBTR-SMC SMD universal diodes
S3JBTR-SMC SMD universal diodes
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S3JTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3JTR-SMC SMD universal diodes
S3JTR-SMC SMD universal diodes
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S3KBTR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3KBTR-SMC SMD universal diodes
S3KBTR-SMC SMD universal diodes
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S3KTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3KTR-SMC SMD universal diodes
S3KTR-SMC SMD universal diodes
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S3M0016120B |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 576W
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 576W
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 17.1 EUR |
6+ | 12.31 EUR |
7+ | 11.64 EUR |
105+ | 11.47 EUR |
S3M0016120D |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 287nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 732W
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 14.21 EUR |
7+ | 11.18 EUR |
30+ | 10.77 EUR |
S3M0016120K |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 14.8 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
30+ | 11.15 EUR |
S3M0025120B |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 394W
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: T2PAK
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 394W
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.87 EUR |
7+ | 11.23 EUR |
S3M0025120D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 517W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 517W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.21 EUR |
30+ | 7.26 EUR |
S3M0025120K |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 17.88 EUR |
6+ | 11.91 EUR |
30+ | 7.64 EUR |
S3M0025120T |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 200A; 517W
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TOLL
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 175nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 517W
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.95 EUR |
10+ | 7.48 EUR |
11+ | 7.08 EUR |
250+ | 6.81 EUR |
S3M0040120B |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.44 EUR |
13+ | 5.79 EUR |
14+ | 5.33 EUR |
15+ | 5.05 EUR |
35+ | 4.85 EUR |
S3M0040120D |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 143nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 130W
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.59 EUR |
11+ | 6.85 EUR |
12+ | 6.48 EUR |
30+ | 6.22 EUR |
S3M0040120J-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors
S3M0040120JA-SMC THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3M0040120J-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors
S3M0040120JATR-SMC SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3M0040120K |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.19 EUR |
12+ | 5.96 EUR |
13+ | 5.63 EUR |
30+ | 5.42 EUR |
S3M0040120N |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 46A; SOT227B; screw; Idm: 223A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 483W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...20V
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 35.75 EUR |
10+ | 24.14 EUR |
36+ | 23.25 EUR |
S3M0040120T |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 223A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 130W
Case: TOLL
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 11.91 EUR |
10+ | 7.15 EUR |
250+ | 4.59 EUR |
S3MBTR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3MBTR-SMC SMD universal diodes
S3MBTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S3MTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S3MTR-SMC SMD universal diodes
S3MTR-SMC SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D02120A |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120A-SMC THT Schottky diodes
S4D02120A-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
S4D02120ETR |
![]() |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
157+ | 0.46 EUR |
500+ | 0.33 EUR |
1000+ | 0.32 EUR |
S4D02120F |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Power dissipation: 26W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; ITO220AC; 26W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: ITO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: tube
Max. load current: 14A
Power dissipation: 26W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 0.8 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
2000+ | 0.36 EUR |
S4D02120G0 |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120G0TR-SMC SMD Schottky diodes
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S4D02120T |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes
S4D02120T-SMC SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
S4D04120A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D04120A-SMC THT Schottky diodes
S4D04120A-SMC THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
S4D04120ETR |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 3V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 46A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
89+ | 0.8 EUR |
500+ | 0.52 EUR |
S4D05120A |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120A-SMC THT Schottky diodes
S4D05120A-SMC THT Schottky diodes
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S4D05120E1 |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120E1-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120E1-SMC SMD Schottky diodes
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S4D05120ETR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120ETR-SMC SMD Schottky diodes
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Stück im Wert von UAH
S4D05120G-A |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120GATR-SMC SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
S4D05120GTR |
Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
S4D05120GTR-SMC SMD Schottky diodes
S4D05120GTR-SMC SMD Schottky diodes
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S4D08120A |
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Hersteller: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220AC; Ufmax: 3V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 3V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
13+ | 5.82 EUR |
29+ | 2.52 EUR |
31+ | 2.37 EUR |
1000+ | 2.29 EUR |