Produkte > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (4484) > Seite 22 nach 75
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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AOD5B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOD5B65MQ1E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 21W Collector current: 5A Pulsed collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Case: TO252 Type of transistor: IGBT Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD5B65MQ1E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 21W Collector current: 5A Pulsed collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Case: TO252 Type of transistor: IGBT Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD5B65N1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ Kind of package: reel; tape Turn-on time: 23ns Turn-off time: 114ns Turn-off switching energy: 0.049mJ Turn-on switching energy: 0.081mJ Power dissipation: 21W Collector-emitter saturation voltage: 2.5V Collector current: 5A Pulsed collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V Case: TO252 Type of transistor: IGBT Mounting: SMD Gate charge: 9.2nC |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD5B65N1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ Kind of package: reel; tape Turn-on time: 23ns Turn-off time: 114ns Turn-off switching energy: 0.049mJ Turn-on switching energy: 0.081mJ Power dissipation: 21W Collector-emitter saturation voltage: 2.5V Collector current: 5A Pulsed collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 650V Case: TO252 Type of transistor: IGBT Mounting: SMD Gate charge: 9.2nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD5N40 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD5N40 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD5N40 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 1966 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD5N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD5N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD5N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.1A Power dissipation: 104W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD5N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.1A Power dissipation: 104W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD600A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOD600A70 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD600A70R | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 15.5nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 104W Drain-source voltage: 700V |
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AOD600A70R | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD600A70R | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 15.5nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 104W Drain-source voltage: 700V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD603A | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD603A | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD603A | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD603A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 9.5/-9.5A Power dissipation: 13.5/21.5W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60/115mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 3.8/7.4nC Semiconductor structure: common drain |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD603A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 9.5/-9.5A Power dissipation: 13.5/21.5W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60/115mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 3.8/7.4nC Semiconductor structure: common drain Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD607 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD607 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD607A | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD607A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD608 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD609 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD609 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD609 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 12/-12A Power dissipation: 14/15W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30/45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3/16.2nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain |
auf Bestellung 1046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD609 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD609 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD609 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 12/-12A Power dissipation: 14/15W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30/45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3/16.2nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1046 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD609G | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
AOD609G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 12/-12A Power dissipation: 14/15W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30/45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10/15.5nC Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AOD609G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 12/-12A Power dissipation: 14/15W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30/45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10/15.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD661 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD66406 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD66406 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD66406 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 467 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD66616 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: AlphaSGT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 45W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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AOD66616 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: AlphaSGT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 45W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD66620 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W Type of transistor: N-MOSFET Technology: AlphaSGT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 58A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 21W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AOD66620 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W Type of transistor: N-MOSFET Technology: AlphaSGT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 58A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 21W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AOD66620 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AOD66620 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD66919 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
AOD66919 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 62W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Technology: AlphaSGT™ Pulsed drain current: 220A |
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AOD66919 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 62W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Technology: AlphaSGT™ Pulsed drain current: 220A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD66920 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD66920 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 35.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Technology: AlphaSGT™ Pulsed drain current: 180A |
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AOD66920 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD66920 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 35.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Technology: AlphaSGT™ Pulsed drain current: 180A Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD66923 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36.5A Power dissipation: 29W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AOD66923 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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AOD66923 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AOD66923 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36.5A Power dissipation: 29W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
AOD6B60M1 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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AOD6B60M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20ns Turn-off time: 158ns Turn-off switching energy: 0.09mJ Turn-on switching energy: 0.12mJ Power dissipation: 28W Collector-emitter saturation voltage: 1.7V Collector current: 6A Pulsed collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 600V Case: TO252 Type of transistor: IGBT Mounting: SMD Gate charge: 14nC |
auf Bestellung 1709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD6B60M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20ns Turn-off time: 158ns Turn-off switching energy: 0.09mJ Turn-on switching energy: 0.12mJ Power dissipation: 28W Collector-emitter saturation voltage: 1.7V Collector current: 6A Pulsed collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter voltage: 600V Case: TO252 Type of transistor: IGBT Mounting: SMD Gate charge: 14nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1709 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD5B65M1 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD5B65M1 SMD IGBT transistors
AOD5B65M1 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD5B65MQ1E |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 21W
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 21W
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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76+ | 0.94 EUR |
129+ | 0.55 EUR |
171+ | 0.42 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
240+ | 0.3 EUR |
AOD5B65MQ1E |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 21W
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 21W
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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76+ | 0.94 EUR |
129+ | 0.55 EUR |
171+ | 0.42 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
240+ | 0.3 EUR |
2500+ | 0.29 EUR |
AOD5B65N1 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Turn-on switching energy: 0.081mJ
Power dissipation: 21W
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Turn-on switching energy: 0.081mJ
Power dissipation: 21W
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
119+ | 0.6 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
250+ | 0.55 EUR |
AOD5B65N1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Turn-on switching energy: 0.081mJ
Power dissipation: 21W
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Turn-on switching energy: 0.081mJ
Power dissipation: 21W
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
119+ | 0.6 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
250+ | 0.55 EUR |
2500+ | 0.54 EUR |
AOD5N40 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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AOD5N40 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD5N40 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD5N40 SMD N channel transistors
AOD5N40 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1966 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
215+ | 0.33 EUR |
227+ | 0.32 EUR |
AOD5N50 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD5N50 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD5N50 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.72 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
125+ | 0.57 EUR |
145+ | 0.49 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
AOD5N50 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 1.72 EUR |
101+ | 0.71 EUR |
125+ | 0.57 EUR |
145+ | 0.49 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
AOD600A60 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD600A60 SMD N channel transistors
AOD600A60 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD600A70 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD600A70R |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 700V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 700V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD600A70R |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD600A70R |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 700V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 104W
Drain-source voltage: 700V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOD603A |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD603A |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD603A |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD603A |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.8/7.4nC
Semiconductor structure: common drain
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.8/7.4nC
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
62+ | 1.16 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
105+ | 0.68 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
AOD603A |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.8/7.4nC
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.8/7.4nC
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
62+ | 1.16 EUR |
92+ | 0.78 EUR |
105+ | 0.68 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
128+ | 0.56 EUR |
AOD607 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Trans MOSFET N/P-CH 30V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD607 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Trans MOSFET N/P-CH 30V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD607A |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Complementary MOSFET
30V Complementary MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD607A |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD607A Multi channel transistors
AOD607A Multi channel transistors
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
72+ | 1 EUR |
234+ | 0.31 EUR |
247+ | 0.29 EUR |
AOD608 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD609 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD609 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD609 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
151+ | 0.47 EUR |
188+ | 0.38 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
223+ | 0.32 EUR |
AOD609 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
290+ | 0.49 EUR |
295+ | 0.47 EUR |
300+ | 0.44 EUR |
305+ | 0.42 EUR |
310+ | 0.4 EUR |
500+ | 0.37 EUR |
1000+ | 0.35 EUR |
AOD609 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
295+ | 0.48 EUR |
300+ | 0.46 EUR |
305+ | 0.44 EUR |
310+ | 0.41 EUR |
500+ | 0.39 EUR |
1000+ | 0.37 EUR |
AOD609 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
151+ | 0.47 EUR |
188+ | 0.38 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
223+ | 0.32 EUR |
AOD609G |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD609G |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD609G |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD661 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
30V Dual Complementary MOSFET
30V Dual Complementary MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66406 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66406 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOD66406 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD66406 SMD N channel transistors
AOD66406 SMD N channel transistors
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
180+ | 0.4 EUR |
274+ | 0.26 EUR |
290+ | 0.25 EUR |
AOD66616 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
AOD66616 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOD66620 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Stück im Wert von UAH
AOD66620 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 58A; Idm: 125A; 21W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOD66620 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Trench Power MOSFET
N Channel Trench Power MOSFET
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AOD66620 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Trench Power MOSFET
N Channel Trench Power MOSFET
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AOD66919 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
AOD66919
AOD66919
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AOD66919 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 62W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 220A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 62W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 220A
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Stück im Wert von UAH
AOD66919 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 62W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 220A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 62W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 220A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOD66920 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Stück im Wert von UAH
AOD66920 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 180A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 180A
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Stück im Wert von UAH
AOD66920 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Stück im Wert von UAH
AOD66920 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Pulsed drain current: 180A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOD66923 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 29W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 29W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66923 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66923 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66923 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 29W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 29W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOD6B60M1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
600V, 6A AlphaIGBT TM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
600V, 6A AlphaIGBT TM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD6B60M1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Power dissipation: 28W
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Power dissipation: 28W
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
221+ | 0.32 EUR |
250+ | 0.31 EUR |
AOD6B60M1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Power dissipation: 28W
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Power dissipation: 28W
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
221+ | 0.32 EUR |
250+ | 0.31 EUR |