Produkte > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (4504) > Seite 23 nach 76
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AOD66920 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD66920 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 35.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 180A Kind of package: reel; tape Technology: AlphaSGT™ |
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AOD66920 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 35.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 180A Kind of package: reel; tape Technology: AlphaSGT™ Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD66923 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD66923 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD66923 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36.5A Power dissipation: 29W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement |
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AOD66923 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36.5A Power dissipation: 29W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD6B60M1 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD6B60M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 1.7V Collector current: 6A Pulsed collector current: 18A Turn-on time: 20ns Turn-off time: 158ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 28W Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Turn-on switching energy: 0.12mJ Turn-off switching energy: 0.09mJ Mounting: SMD Case: TO252 |
auf Bestellung 1779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD6B60M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 1.7V Collector current: 6A Pulsed collector current: 18A Turn-on time: 20ns Turn-off time: 158ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 28W Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Turn-on switching energy: 0.12mJ Turn-off switching energy: 0.09mJ Mounting: SMD Case: TO252 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1779 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD6B65MQ1E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 6A Power dissipation: 38W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape |
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AOD6B65MQ1E | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD6B65MQ1E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 6A Power dissipation: 38W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 13.5nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD6N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7B65M3 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 28W; TO252; Eoff: 0.099mJ; Eon: 0.108mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 7A Power dissipation: 28W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Turn-off switching energy: 0.099mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.87V Turn-on time: 21ns Turn-off time: 136ns Turn-on switching energy: 0.108mJ |
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AOD7B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 28W; TO252; Eoff: 0.099mJ; Eon: 0.108mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 7A Power dissipation: 28W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 21A Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Turn-off switching energy: 0.099mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.87V Turn-on time: 21ns Turn-off time: 136ns Turn-on switching energy: 0.108mJ Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD7N60 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 178W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 178W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement |
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AOD7N60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 178W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.5A Power dissipation: 178W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD7N65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 178W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.3A Power dissipation: 178W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.6nC Kind of channel: enhancement |
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AOD7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 178W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.3A Power dissipation: 178W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.6nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD7N65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7N65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD7N65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD7N65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7S60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOD7S65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD7S65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD7S65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD7S65 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD7S65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOD8B65MQ1 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD8B65MQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 36W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape |
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AOD8B65MQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 36W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AOD8N25 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD8N25 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD8N25 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD8N25 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD8N25 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOD950A70 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOD9N40 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD9N40 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOD9N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.7A Power dissipation: 178W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 860mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.1nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD9N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
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AOD9N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOD9N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.7A Power dissipation: 178W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 860mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.1nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2031 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOE66410 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
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AOE6930 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOE6930 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/85A; 9.6/30W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22/85A Power dissipation: 9.6/30W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±12V; ±20V On-state resistance: 4.3/0.83mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOE6930 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOE6930 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOE6930 | Alpha & Omega Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOE6930 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/85A; 9.6/30W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22/85A Power dissipation: 9.6/30W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±12V; ±20V On-state resistance: 4.3/0.83mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AOE6932 | Alpha & Omega Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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AOE6932 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 55/85A; 9.6/20W; DFN5x6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 55/85A On-state resistance: 5/1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 9.6/20W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V; ±20V Mounting: SMD Case: DFN5x6 Semiconductor structure: asymmetric |
auf Bestellung 2441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AOD66920 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66920 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66920 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 180A
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66923 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66923 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66923 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 29W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 29W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD66923 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 29W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 29W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD6B60M1 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
600V, 6A AlphaIGBT TM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
600V, 6A AlphaIGBT TM With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD6B60M1 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Mounting: SMD
Case: TO252
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Mounting: SMD
Case: TO252
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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200+ | 0.36 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
221+ | 0.32 EUR |
250+ | 0.31 EUR |
AOD6B60M1 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Mounting: SMD
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 28W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Mounting: SMD
Case: TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
211+ | 0.34 EUR |
221+ | 0.32 EUR |
250+ | 0.31 EUR |
AOD6B65MQ1E |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
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AOD6B65MQ1E |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
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Stück im Wert von UAH
AOD6B65MQ1E |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6A; 38W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 6A
Power dissipation: 38W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AOD6N50 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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AOD7B65M3 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
650V, 7A Alpha IGBT TM With soft and fast recovery anti-parallel diode
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AOD7B65M3 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 28W; TO252; Eoff: 0.099mJ; Eon: 0.108mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.099mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.87V
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 136ns
Turn-on switching energy: 0.108mJ
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 28W; TO252; Eoff: 0.099mJ; Eon: 0.108mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.099mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.87V
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 136ns
Turn-on switching energy: 0.108mJ
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AOD7B65M3 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 28W; TO252; Eoff: 0.099mJ; Eon: 0.108mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.099mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.87V
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 136ns
Turn-on switching energy: 0.108mJ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 28W; TO252; Eoff: 0.099mJ; Eon: 0.108mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 21A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.099mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.87V
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 136ns
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AOD7N60 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AOD7N60 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
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AOD7N60 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AOD7N65 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOD7N65 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AOD7N65 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AOD7N65 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Stück im Wert von UAH
AOD7N65 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2500+ | 0.62 EUR |
AOD7N65 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.67 EUR |
AOD7N65 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Stück im Wert von UAH
AOD7S60 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD7S60 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD7S60 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD7S60 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD7S60 SMD N channel transistors
AOD7S60 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AOD7S65 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.83 EUR |
AOD7S65 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD7S65 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.91 EUR |
AOD7S65 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOD7S65 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD7S65 SMD N channel transistors
AOD7S65 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD8B65MQ1 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD8B65MQ1 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD8B65MQ1 |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 24A
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD8N25 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD8N25 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.22 EUR |
5000+ | 0.21 EUR |
AOD8N25 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOD8N25 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2500+ | 0.22 EUR |
5000+ | 0.21 EUR |
AOD8N25 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD8N25 SMD N channel transistors
AOD8N25 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD950A70 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD950A70 SMD N channel transistors
AOD950A70 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD9N40 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD9N40 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD9N40 SMD N channel transistors
AOD9N40 SMD N channel transistors
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
43+ | 1.70 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
62+ | 1.17 EUR |
AOD9N50 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.1nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.1nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 0.69 EUR |
AOD9N50 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AOD9N50 |
![]() |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
AOD9N50 |
![]() |
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.1nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
105+ | 0.69 EUR |
AOE66410 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOE66410 SMD N channel transistors
AOE66410 SMD N channel transistors
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AOE6930 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
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AOE6930 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/85A; 9.6/30W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22/85A
Power dissipation: 9.6/30W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 4.3/0.83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/85A; 9.6/30W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22/85A
Power dissipation: 9.6/30W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 4.3/0.83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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40+ | 1.80 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
100+ | 1.39 EUR |
AOE6930 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AOE6930 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3000+ | 1.34 EUR |
AOE6930 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 22A/85A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 1.33 EUR |
AOE6930 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/85A; 9.6/30W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22/85A
Power dissipation: 9.6/30W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 4.3/0.83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/85A; 9.6/30W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22/85A
Power dissipation: 9.6/30W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
On-state resistance: 4.3/0.83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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40+ | 1.80 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
100+ | 1.39 EUR |
AOE6932 |
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Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 55A/85A 8-Pin DFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 55A/85A 8-Pin DFN EP T/R
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AOE6932 |
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 55/85A; 9.6/20W; DFN5x6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55/85A
On-state resistance: 5/1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 9.6/20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 55/85A; 9.6/20W; DFN5x6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 55/85A
On-state resistance: 5/1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 9.6/20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V; ±20V
Mounting: SMD
Case: DFN5x6
Semiconductor structure: asymmetric
auf Bestellung 2441 Stücke:
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60+ | 1.20 EUR |
66+ | 1.09 EUR |