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MBR2X080A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a150.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A060 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a060.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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MBR2X080A200 MBR2X080A200 GeneSiC Semiconductor mbr2x080a200.pdf Schottky Rectifier Module Type 160 A
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BR86 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR88 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR81 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR82 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
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BR84 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
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MBRH20045 GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
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MBR2X060A180 MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a180.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A120 MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a150.pdf Schottky Rectifier Vrrm 150 V
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MBR2X060A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a080.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
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MBRH20060R GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
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FR70BR02 FR70BR02 GeneSiC Semiconductor fr70b02.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
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S70YR GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
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S70D GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70M GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
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FR70J05 GeneSiC Semiconductor fr70b05.pdf Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70JR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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S70DR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70V GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
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S70BR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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S70B GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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MBR6040R GeneSiC Semiconductor 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
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G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+38.84 EUR
3+37.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
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G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.79 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+61.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+57.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+25.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750D600C7&compId=GC10MPS12-220.pdf?ci_sign=18926f42c79388a3e357c27a5e3b51058e96b5c5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750D740C7&compId=GC10MPS12-252.pdf?ci_sign=831fa413bb78ef0fd5d403c7ff076878496d51ca Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F69B42A780C7&compId=GB20SLT12-247.pdf?ci_sign=a8d0f6f4a31b6ee5d68c260fe2afdbdbe72e5c5b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B860C7&compId=GB50SLT12-247.pdf?ci_sign=a4aa72e47928a4f11fd91a5094cfb7da466cef2f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E620C7&compId=GD30MPS06J.pdf?ci_sign=f8b1e4b27ce9688c062b7b8c34999d76d8340eac Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.61 EUR
25+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 88A
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 809W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Polarisation: unipolar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A120 mbr2x080a120.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A150 mbr2x080a150.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A060 mbr2x080a060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X080A200 mbr2x080a200.pdf
MBR2X080A200
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 160 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR86 br86.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR88 br86.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR81 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR82 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BR84 br81.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRH20045 mbrh20060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F75MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F40MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3F20MT12K
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A180 mbr2x060a180.pdf
MBR2X060A180
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A120 mbr2x060a120.pdf
MBR2X060A120
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A150 mbr2x060a150.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Vrrm 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR2X060A080 mbr2x060a080.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBRH20060R mbrh20060.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR70BR02 fr70b02.pdf
FR70BR02
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70YR s70vr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
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S70D s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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S70M s70k.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FR70J05 fr70b05.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70JR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70DR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70V s70vr.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70BR s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S70B s70g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR6040R 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
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G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+38.84 EUR
3+37.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
auf Bestellung 453 Stücke:
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Anzahl Preis
8+10.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 187 Stücke:
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Anzahl Preis
11+6.79 EUR
12+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 107 Stücke:
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Anzahl Preis
2+61.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X100MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d
GD2X100MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+57.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2X30MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55
GD2X30MPS06N
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R450MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312
G3R450MT17J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-220 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750D600C7&compId=GC10MPS12-220.pdf?ci_sign=18926f42c79388a3e357c27a5e3b51058e96b5c5
GC10MPS12-220
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC10MPS12-252 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750D740C7&compId=GC10MPS12-252.pdf?ci_sign=831fa413bb78ef0fd5d403c7ff076878496d51ca
GC10MPS12-252
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB20SLT12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F69B42A780C7&compId=GB20SLT12-247.pdf?ci_sign=a8d0f6f4a31b6ee5d68c260fe2afdbdbe72e5c5b
GB20SLT12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GB50SLT12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B860C7&compId=GB50SLT12-247.pdf?ci_sign=a4aa72e47928a4f11fd91a5094cfb7da466cef2f
GB50SLT12-247
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30MPS06J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E620C7&compId=GD30MPS06J.pdf?ci_sign=f8b1e4b27ce9688c062b7b8c34999d76d8340eac
GD30MPS06J
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.61 EUR
25+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 88A
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 809W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
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