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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB160N04S2L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB17N25S3100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S400ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N04S4LH0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4LH010-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670cf90ea6434 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180P04P403ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452HUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP452-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a30431b3e89eb011b7eac4d321531&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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CY8C4127AZI-M485 CY8C4127AZI-M485 INFINEON TECHNOLOGIES CY8C4125AZI-M443.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 51
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Case: TQFP64
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF200B211 IRF200B211 INFINEON TECHNOLOGIES IRF200B211.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR4620TRL INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BBY5503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
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 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2214SSPBF IR2214SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2114SSPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Case: SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Turn-off time: 440ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10.4...20V DC
Output current: -1.5...1A
Type of integrated circuit: driver
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.87 EUR
13+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTF3050EJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTF3050EJ.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TDSO-8-31
On-state resistance: 45mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...5.5V DC
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Power dissipation: 1.6W
Turn-on time: 1.35µs
Turn-off time: 2µs
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3050EJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3050TFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS3050TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a5186143f59 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 47W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 47W
Case: DPAK3
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC015N06NM5LF2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-isc015n06nm5lf2-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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ESD156B1W0201E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD156-B1-W0201-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185eea129d200a0 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
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 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE72593GEXUMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: transceiver
Type of integrated circuit: transceiver
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD650P06NMATMA1 IPD650P06NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -22A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T880N18TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T880N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffb85bf75bf8 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.75kA; 880A; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 880A
Case: B-PUK
Max. forward impulse current: 17.5kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Max. load current: 1.75kA
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2180N18TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T2180N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240b719a2f47ca Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 4.46kA; 2.18kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 2.18kA
Max. forward impulse current: 44kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Max. load current: 4.46kA
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD280N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TT280N18SOF_TD280N18SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 280A; BG-PB50SB-1; Ufmax: 1.77V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 280A
Case: BG-PB50SB-1
Max. forward voltage: 1.77V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 280A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD280N18SOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT280N18SOF-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e50ebf7edb Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FF450R12KE4 FF450R12KE4 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R12KE4-DTE.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 2.4kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R12KE4-DTE.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 2.4kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KE4EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; 2.4kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 2.4kW
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KE4PHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF450R12KE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e679fa2d78c7 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
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 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT120N16SOFHPSA1 TT120N16SOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TT120N16SOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 120A
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Case: BG-SB20-1
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.75V
Gate current: 100mA
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: thyristor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFN26E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW90R340C3XKSA1 IPW90R340C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3a02810087 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 208W
Gate charge: 94nC
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+6.05 EUR
30+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP90R340C3XKSA2 IPP90R340C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 208W
Gate charge: 94nC
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.59 EUR
17+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014NE2LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ099N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ099N06LS5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP039N04LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QKVS2XUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLF35584QV-ProductOverview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce150fc81cbf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 1900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QKVS1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QKVS1XUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLF35584QV-ProductOverview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce150fc81cbf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QVHS1XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLF35584QVHSx-product-overview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce1408601c29 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QVHS2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLF35584QVHSx-product-overview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce1408601c29 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0703NLSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB019N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB019N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163cf77bd7313c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 224W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 224W
Gate charge: 123nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
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IPB019N08NF2SATMA1 IPB019N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; 250W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.95mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 124nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 166A
Kind of channel: enhancement
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IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB031N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.1mΩ
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S25FS064SAGNFB033 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Operating temperature: -40...105°C
Type of integrated circuit: FLASH memory
Application: automotive
Memory: 64Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Case: LGA8
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 1.7...2V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
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ESD132B1W0201E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD132-B1-W0201-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb4836a6f2ca2 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
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IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
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IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R380E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
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IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Case: PG-TO262-3
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
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IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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SGW50N60HS SGW50N60HS INFINEON TECHNOLOGIES SGW50N60HS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
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BAV70E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bav70series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0ba40e041d Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
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BGB707L7ESDE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGB707L7ESD-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389722f14ed4 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
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IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT067N20NM6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 137A; Idm: 548A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 548A
Power dissipation: 300W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IPT025N15NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPT008N06NM5LFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0bc6601b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB160N04S2L03ATMA2 Infineon-IPB160N04S2L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b99f14568
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB17N25S3100ATMA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB180N04S400ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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IPB180N04S4LH0ATMA1 Infineon-IPB180N04S4LH010-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670cf90ea6434
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB180P04P403ATMA2 Infineon-IPB180P04P4-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSP452HUMA1 Infineon-BSP452-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a30431b3e89eb011b7eac4d321531&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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CY8C4127AZI-M485 CY8C4125AZI-M443.pdf
CY8C4127AZI-M485
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 51
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Case: TQFP64
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IRF200B211 IRF200B211.pdf
IRF200B211
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AUIRFR4620TRL INFN-S-A0002298851-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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BBY5503WE6327HTSA1 INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
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IR2214SSPBF IR2114SSPBF.pdf
IR2214SSPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Case: SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Turn-off time: 440ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10.4...20V DC
Output current: -1.5...1A
Type of integrated circuit: driver
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IRF8721TRPBFXTMA1
IRF8721TRPBFXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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BTF3050EJXUMA1 BTF3050EJ.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TDSO-8-31
On-state resistance: 45mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...5.5V DC
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Power dissipation: 1.6W
Turn-on time: 1.35µs
Turn-off time: 2µs
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3050EJXUMA1 Infineon-BTS3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f34750157be8fab3b43ce
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3050TFATMA1 Infineon-BTS3050TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a5186143f59
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 47W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 47W
Case: DPAK3
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC015N06NM5LF2ATMA1 infineon-isc015n06nm5lf2-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD156B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD156-B1-W0201-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185eea129d200a0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLE72593GEXUMA3 Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: transceiver
Type of integrated circuit: transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD650P06NMATMA1 Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1
IPD650P06NMATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -22A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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T880N18TOFXPSA1 Infineon-T880N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc20123ffb85bf75bf8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.75kA; 880A; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 880A
Case: B-PUK
Max. forward impulse current: 17.5kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Max. load current: 1.75kA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T2180N18TOFVTXPSA1 Infineon-T2180N-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240b719a2f47ca
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 4.46kA; 2.18kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 2.18kA
Max. forward impulse current: 44kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Max. load current: 4.46kA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD280N18SOF TT280N18SOF_TD280N18SOF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 280A; BG-PB50SB-1; Ufmax: 1.77V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 280A
Case: BG-PB50SB-1
Max. forward voltage: 1.77V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 280A
Produkt ist nicht verfügbar
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TD280N18SOFHPSA1 Infineon-TT280N18SOF-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d06e50ebf7edb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FF450R12KE4 FF450R12KE4-DTE.pdf
FF450R12KE4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 2.4kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
Produkt ist nicht verfügbar
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FF450R12KE4HOSA1 FF450R12KE4-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 2.4kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KE4EHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; 2.4kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 2.4kW
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KE4PHOSA1 Infineon-FF450R12KE4P-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153e679fa2d78c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6-DTE.pdf
IPW60R160C6FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT120N16SOFHPSA1 TT120N16SOF.pdf
TT120N16SOFHPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 120A
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Case: BG-SB20-1
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.75V
Gate current: 100mA
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: thyristor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857AE6327HTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFN26E6327HTSA1 bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW90R340C3XKSA1 Infineon-IPW90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3a02810087
IPW90R340C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 208W
Gate charge: 94nC
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+6.05 EUR
30+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP90R340C3XKSA2 Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14
IPP90R340C3XKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 208W
Gate charge: 94nC
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.59 EUR
17+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI-DTE.pdf
BSC014NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ099N06LS5.pdf
BSZ099N06LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LG-DTE.pdf
IPP039N04LGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QKVS2XUMA2 Infineon-TLF35584QV-ProductOverview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce150fc81cbf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 1900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QKVS1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QKVS1XUMA2 Infineon-TLF35584QV-ProductOverview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce150fc81cbf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QVHS1XUMA1 Infineon-TLF35584QVHSx-product-overview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce1408601c29
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLF35584QVHS2XUMA1 Infineon-TLF35584QVHSx-product-overview-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce1408601c29
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC0703NLSATMA1 Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N5ATMA1 Infineon-IPB019N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163cf77bd7313c8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 224W; TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
On-state resistance: 2.3mΩ
Power dissipation: 224W
Gate charge: 123nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe
IPB019N08NF2SATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 166A; 250W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.95mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 124nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 166A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5-DTE.pdf
IPB031N08N5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.1mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S25FS064SAGNFB033
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Operating temperature: -40...105°C
Type of integrated circuit: FLASH memory
Application: automotive
Memory: 64Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Case: LGA8
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 1.7...2V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD132B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD132-B1-W0201-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb4836a6f2ca2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6-DTE.pdf
IPD65R380E6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R380E6BTMA1 IPD65R380E6-DTE.pdf
IPD65R380E6BTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6-DTE.pdf
IPI65R380C6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Case: PG-TO262-3
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N08NF2SATMA1 Infineon-IPB016N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4a92f971afa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGW50N60HS SGW50N60HS.pdf
SGW50N60HS
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAV70E6433HTMA1 bav70series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0ba40e041d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching
Type of diode: switching
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGB707L7ESDE6327XTSA1 Infineon-BGB707L7ESD-DataSheet-v04_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389722f14ed4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 7500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 137A; Idm: 548A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 548A
Power dissipation: 300W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon-IPT025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a019077409ede701c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon-IPT008N06NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0bc6601b5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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