Produkte > INFINEON > Alle Produkte des Herstellers INFINEON (25026) > Seite 265 nach 418

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 41 82 123 164 205 246 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 287 328 369 410 418  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 INFINEON INFNS16267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.77 EUR
37+6.33 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 INFINEON INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.79 EUR
24+9.82 EUR
100+7.28 EUR
500+6.47 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1 IPB180N08S402ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001304884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
21+11.07 EUR
100+9.21 EUR
500+6.88 EUR
1000+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.49 EUR
26+9.03 EUR
50+7.2 EUR
200+6.05 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON INFNS16264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.52 EUR
36+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
56+4.18 EUR
250+2.65 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1 IPB180N10S402ATMA1 INFINEON 4129357.pdf Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.59 EUR
28+8.54 EUR
100+5.97 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3GATMA1 INFINEON INFNS16280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.54 EUR
25+9.58 EUR
100+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3GATMA1 INFINEON INFNS16268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.52 EUR
38+6.26 EUR
100+4.28 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+1.29 EUR
321+0.73 EUR
506+0.43 EUR
676+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 INFINEON Infineon-3D%20Magnetic%20Sensor-PB-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46261d5e6820161e7571b2b3dd0 Description: INFINEON - TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO 3D-Magnetsensor, boardinterner Debugger
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLV493D-A1B6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLV493D-A1B6
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: TLV493D-A1B6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0000193372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.42 EUR
38+6.2 EUR
100+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1502ELE6327XTMA1 BAT1502ELE6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0009651440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
Sperrspannung: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
182+1.27 EUR
261+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT15099E6433HTMA1 BAT15099E6433HTMA1 INFINEON INFN-S-A0009651351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT15099E6433HTMA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1502ELE6327XTMA1 BAT1502ELE6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0009651440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
Sperrspannung: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
182+1.27 EUR
261+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT15099E6433HTMA1 BAT15099E6433HTMA1 INFINEON INFN-S-A0009651351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT15099E6433HTMA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412S-TPBF PVT412S-TPBF INFINEON 2290910.pdf Description: INFINEON - PVT412S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.67 EUR
19+12.88 EUR
20+11.19 EUR
50+10.33 EUR
100+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412LPBF PVT412LPBF INFINEON pvt412.pdf?fileId=5546d462533600a401535684376e296b description Description: INFINEON - PVT412LPBF - MOSFET-Relais, 400V, 120mA, 35R, SPST-NO
tariffCode: 85423990
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.61 EUR
20+11.77 EUR
24+9.19 EUR
50+8.52 EUR
100+8.2 EUR
250+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412PBF PVT412PBF INFINEON 2290910.pdf description Description: INFINEON - PVT412PBF - MOSFET-Relais, 400V, 140mA, 27R, SPST-NO
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.42 EUR
20+11.97 EUR
22+9.81 EUR
50+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412APBF PVT412APBF INFINEON 2290909.pdf Description: INFINEON - PVT412APBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 240 mA, DIP-6, Durchsteckmontage
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 240mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.04 EUR
18+12.53 EUR
50+9.72 EUR
100+9.23 EUR
250+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412LSPBF PVT412LSPBF INFINEON IRSD-S-A0001054338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVT412LSPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 120 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1
Durchlassstrom If: 25
Isolationsspannung: 4
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 120
Produktpalette: HEXFET PVT412PbF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.59 EUR
15+16.15 EUR
17+13.02 EUR
50+12.29 EUR
100+11.54 EUR
250+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412SPBF PVT412SPBF INFINEON 2290910.pdf description Description: INFINEON - PVT412SPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.52 EUR
19+12.85 EUR
20+10.73 EUR
21+10.54 EUR
50+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412AS-TPBF PVT412AS-TPBF INFINEON 665980.pdf Description: INFINEON - PVT412AS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 360 mA, SMD-6, SMD
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: SMD
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 360mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SMD-6
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.79 EUR
17+13.88 EUR
18+12.05 EUR
50+11.11 EUR
100+10.73 EUR
250+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412AS-TPBF PVT412AS-TPBF INFINEON IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - PVT412AS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 360 mA, SMD-6, SMD
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: SMD
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 360mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SMD-6
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.11 EUR
18+13.27 EUR
19+11.54 EUR
50+10.65 EUR
100+10.28 EUR
250+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 INFINEON Infineon-ApplicationKitManual_TC3X7-UM-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454383c483d Description: INFINEON - KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 - Evaluationsboard, TC387, AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC387
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: AURIX
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: TC387
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorarchitektur: TriCore
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+652.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 6793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+1.38 EUR
437+0.54 EUR
521+0.42 EUR
646+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 INFINEON infineon-lite-sbc-evaluation-board-getting-started-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 - Evaluationsboard, Schnittstelle, TLE9471-3ES, CAN, Kfz
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9471-3ES
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Systembasis-Chip (SBC)
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9471-3ES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+346.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 INFINEON INFNS19096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
69+3.39 EUR
101+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 166561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+1.39 EUR
295+0.79 EUR
461+0.46 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 10182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+1.32 EUR
304+0.76 EUR
481+0.44 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF INFINEON INFN-S-A0003523308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 23205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+1.24 EUR
354+0.65 EUR
511+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 69406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
433+0.54 EUR
493+0.44 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
auf Bestellung 6009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+1.13 EUR
356+0.65 EUR
535+0.4 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2246TRPBF IRLML2246TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 21576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+1.23 EUR
331+0.7 EUR
527+0.4 EUR
700+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
281+0.83 EUR
439+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF INFINEON INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON 140795.pdf Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON IR2113SPBF.pdf description Description: INFINEON - IR2113PBF - MOSFET-Treiber, zweifach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.67 EUR
35+6.75 EUR
38+5.65 EUR
50+5.4 EUR
100+5.14 EUR
250+4.88 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON IR2113SPBF.pdf description Description: INFINEON - IR2113SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.09 EUR
26+9.26 EUR
28+7.88 EUR
50+7.54 EUR
100+7.18 EUR
250+6.79 EUR
500+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
50+4.69 EUR
100+3 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON 786211.pdf Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON 786211.pdf Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT422SPBF PVT422SPBF INFINEON INFN-S-A0008993266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - PVT422SPBF - MOSFET-Relais, 400V, 120mA, 35R, DPST-NO
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: DPST-NO (2 Form A)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: HEXFET PVT422 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8
Kontaktkonfiguration: DPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+16.98 EUR
15+15.16 EUR
50+11.89 EUR
100+11.65 EUR
250+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.95 EUR
100+2.32 EUR
111+1.94 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
82+2.83 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP INFINEON 1309657.pdf Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP INFINEON 1309657.pdf Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.25 EUR
75+3.13 EUR
89+2.42 EUR
110+1.95 EUR
250+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB016N06L3GATMA1 INFNS16267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB016N06L3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.77 EUR
37+6.33 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB019N08N3GATMA1 INFNS16270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB019N08N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.79 EUR
24+9.82 EUR
100+7.28 EUR
500+6.47 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N08S402ATMA1 INFN-S-A0001304884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N08S402ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N08S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 1800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 277W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.72 EUR
21+11.07 EUR
100+9.21 EUR
500+6.88 EUR
1000+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N10N5ATMA1 INFN-S-A0001299290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N10N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.49 EUR
26+9.03 EUR
50+7.2 EUR
200+6.05 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB011N04NGATMA1 INFNS16264-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB011N04NGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.52 EUR
36+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6727MTRPBF INFN-S-A0012827042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6727MTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6727MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 A, 1700 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.93 EUR
56+4.18 EUR
250+2.65 EUR
1000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB180N10S402ATMA1 4129357.pdf
IPB180N10S402ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N10S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.59 EUR
28+8.54 EUR
100+5.97 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB036N12N3GATMA1 INFNS16280-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB036N12N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 3600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.54 EUR
25+9.58 EUR
100+6.4 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB017N06N3GATMA1 INFNS16268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB017N06N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.52 EUR
38+6.26 EUR
100+4.28 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 21550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
196+1.29 EUR
321+0.73 EUR
506+0.43 EUR
676+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 Infineon-3D%20Magnetic%20Sensor-PB-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46261d5e6820161e7571b2b3dd0
TLV493DA1B6MS2GOTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLV493DA1B6MS2GOTOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO 3D-Magnetsensor, boardinterner Debugger
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLV493D-A1B6
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLV493D-A1B6
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: TLV493D-A1B6
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP40N65F5XKSA1 INFN-S-A0000193372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKP40N65F5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKP40N65F5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.42 EUR
38+6.2 EUR
100+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1502ELE6327XTMA1 INFN-S-A0009651440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1502ELE6327XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
Sperrspannung: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+2.43 EUR
182+1.27 EUR
261+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT15099E6433HTMA1 INFN-S-A0009651351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT15099E6433HTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099E6433HTMA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1502ELE6327XTMA1 INFN-S-A0009651440-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1502ELE6327XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1502ELE6327XTMA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, TSLP-2-19
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-19
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
Sperrspannung: 4V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+2.43 EUR
182+1.27 EUR
261+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT15099E6433HTMA1 INFN-S-A0009651351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT15099E6433HTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099E6433HTMA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412S-TPBF 2290910.pdf
PVT412S-TPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412S-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.67 EUR
19+12.88 EUR
20+11.19 EUR
50+10.33 EUR
100+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412LPBF description pvt412.pdf?fileId=5546d462533600a401535684376e296b
PVT412LPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412LPBF - MOSFET-Relais, 400V, 120mA, 35R, SPST-NO
tariffCode: 85423990
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.61 EUR
20+11.77 EUR
24+9.19 EUR
50+8.52 EUR
100+8.2 EUR
250+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412PBF description 2290910.pdf
PVT412PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412PBF - MOSFET-Relais, 400V, 140mA, 27R, SPST-NO
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
auf Bestellung 1684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.42 EUR
20+11.97 EUR
22+9.81 EUR
50+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412APBF 2290909.pdf
PVT412APBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412APBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 240 mA, DIP-6, Durchsteckmontage
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 240mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.04 EUR
18+12.53 EUR
50+9.72 EUR
100+9.23 EUR
250+8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412LSPBF IRSD-S-A0001054338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVT412LSPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412LSPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 120 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1
Durchlassstrom If: 25
Isolationsspannung: 4
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 120
Produktpalette: HEXFET PVT412PbF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.59 EUR
15+16.15 EUR
17+13.02 EUR
50+12.29 EUR
100+11.54 EUR
250+10.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412SPBF description 2290910.pdf
PVT412SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412SPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 140 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 140mA
Produktpalette: HEXFET PVT412 Series
productTraceability: No
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.52 EUR
19+12.85 EUR
20+10.73 EUR
21+10.54 EUR
50+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412AS-TPBF 665980.pdf
PVT412AS-TPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412AS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 360 mA, SMD-6, SMD
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: SMD
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 360mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SMD-6
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+15.79 EUR
17+13.88 EUR
18+12.05 EUR
50+11.11 EUR
100+10.73 EUR
250+10.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT412AS-TPBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PVT412AS-TPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT412AS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 400 V, 360 mA, SMD-6, SMD
tariffCode: 85364900
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: SMD
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 360mA
Produktpalette: HEXFET PVT412A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: SMD-6
Durchlasswiderstand, max.: 6ohm
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+15.11 EUR
18+13.27 EUR
19+11.54 EUR
50+10.65 EUR
100+10.28 EUR
250+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 Infineon-ApplicationKitManual_TC3X7-UM-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454383c483d
KITA2GTC3873V3TFTTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITA2GTC3873V3TFTTOBO1 - Evaluationsboard, TC387, AURIX, 32 Bit, TriCore
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evalutionsboard TC387
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: AURIX
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: TC387
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorarchitektur: TriCore
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+652.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 6793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+1.38 EUR
437+0.54 EUR
521+0.42 EUR
646+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 infineon-lite-sbc-evaluation-board-getting-started-usermanual-en.pdf
LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - LITEDCDCSBCV33BOARDTOBO1 - Evaluationsboard, Schnittstelle, TLE9471-3ES, CAN, Kfz
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE9471-3ES
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Systembasis-Chip (SBC)
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: TLE9471-3ES
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+346.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO080P03SHXUMA1 INFNS19096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSO080P03SHXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSO080P03SHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.65 EUR
69+3.39 EUR
101+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0060TRPBF INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0060TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
auf Bestellung 166561 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+1.39 EUR
295+0.79 EUR
461+0.46 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0100TRPBF INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0100TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 10182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+1.32 EUR
304+0.76 EUR
481+0.44 EUR
629+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBF description INFN-S-A0003523308-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLMS2002TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF INFN-S-A0012905231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML9301TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
auf Bestellung 23205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
202+1.24 EUR
354+0.65 EUR
511+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0040TRPBF INFN-S-A0012905116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML0040TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 69406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+1.29 EUR
433+0.54 EUR
493+0.44 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF INFN-S-A0012905629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML9303TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2244TRPBF INFN-S-A0012905613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2244TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2244TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
auf Bestellung 6009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
222+1.13 EUR
356+0.65 EUR
535+0.4 EUR
715+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2246TRPBF INFN-S-A0012905186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2246TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBF description INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLMS1503TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5103TRPBF INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML5103TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 540mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 21576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
204+1.23 EUR
331+0.7 EUR
527+0.4 EUR
700+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6344TRPBF INFN-S-A0012905767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6344TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.46 EUR
281+0.83 EUR
439+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBF description INFN-S-A0002428625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLMS1503TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6246TRPBF INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6246TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML6246TRPBF INFN-S-A0012905778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML6246TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6246TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.046 ohm, TO-236AB (SOT-23), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF 140795.pdf
IRLMS6802TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF 140795.pdf
IRLMS6802TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2113PBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2113PBF - MOSFET-Treiber, zweifach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.67 EUR
35+6.75 EUR
38+5.65 EUR
50+5.4 EUR
100+5.14 EUR
250+4.88 EUR
500+4.74 EUR
1000+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2113SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.5Aout, 94ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 94ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+13.09 EUR
26+9.26 EUR
28+7.88 EUR
50+7.54 EUR
100+7.18 EUR
250+6.79 EUR
500+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.75 EUR
50+4.69 EUR
100+3 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44ZSTRLPBF 786211.pdf
IRLZ44ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ44ZSTRLPBF 786211.pdf
IRLZ44ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ44ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 51 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PVT422SPBF description INFN-S-A0008993266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVT422SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT422SPBF - MOSFET-Relais, 400V, 120mA, 35R, DPST-NO
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Art der Last: AC/DC
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: DPST-NO (2 Form A)
Laststrom: 120mA
Produktpalette: HEXFET PVT422 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
usEccn: EAR99
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8
Kontaktkonfiguration: DPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 35ohm
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+16.98 EUR
15+15.16 EUR
50+11.89 EUR
100+11.65 EUR
250+11.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44NSTRLPBF INFN-S-A0012813799-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
auf Bestellung 1563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.95 EUR
100+2.32 EUR
111+1.94 EUR
150+1.44 EUR
250+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.22 EUR
82+2.83 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ44ESTRLPBF INFN-S-A0012837686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ44ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSTRLP 1309657.pdf
IRF1010EZSTRLP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSTRLP 1309657.pdf
IRF1010EZSTRLP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF INFN-S-A0012732048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL540NSTRLPBF INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
auf Bestellung 1493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.25 EUR
75+3.13 EUR
89+2.42 EUR
110+1.95 EUR
250+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 41 82 123 164 205 246 260 261 262 263 264 265 266 267 268 269 270 287 328 369 410 418  [ Nächste Seite >> ]