| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IKWH70N67PR7XKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IKWH70N67PR7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 313 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 140A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IKWH50N67PR7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKWH50N67PR7XKSA1 - IGBT, 105 A, 1.4 V, 246 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 246W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 105A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BSC009N04LSSCATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 301A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB65R045C7ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB65R045C7ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CYUSB3ACC-004A | INFINEON |
Description: INFINEON - CYUSB3ACC-004A - Anschlussplatine, Halbleiter-Bildsensorplatinen, Anschlussplatine, Bildsensor tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Anschlussplatine productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Zur Verwendung mit: Bildsensorplatinen von ON Semiconductor Produktpalette: - |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZC120R026M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 289W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPB123N10N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB123N10N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG120R034M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R034M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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S25FS128SAGNFI101 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS128SAGNFI101 - Flash-Speicher, NOR, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s) tariffCode: 85423261 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit |
auf Bestellung 1278 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S25FS128SAGMFB100 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS128SAGMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8 tariffCode: 85423275 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Taktfrequenz: 133MHz Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Speichergröße: 128Mbit Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit |
auf Bestellung 1514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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S25FS128SAGMFV101 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS128SAGMFV101 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8 tariffCode: 85423275 Bauform - Speicherbaustein: SOIC IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: - IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Taktfrequenz: 133MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit Speichergröße: 128Mbit Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPL60R125C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 103W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPL60R125C7AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 103W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm |
auf Bestellung 2596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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KITLGPWRBOM015TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM015TOBO1 - Power-Board, Demoboards für skalierbare LVD-Stromversorgung, Niederspannungsantrieb tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Stromversorgungsplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: LVD-Demoboards von Infineon für skalierbare Stromversorgung usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FS33MR12W1M1HB70BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul tariffCode: 85044095 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 23Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 - Evaluationsboard, XMC4700, Wireless-Lade-IC, Power-Management tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4700 Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Wireless-Ladegerät SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: XMC4700 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.a.2 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CYBLE-416045-EVAL | INFINEON |
Description: INFINEON - CYBLE-416045-EVAL - Evaluationsboard, EX-BLE Creator-Modul, Bluetooth Smart, Arduino-kompatibel, IoT tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: EZ-BLE Evaluationsboard CYBLE-416045-02 Modul, USB-Kabel Prozessorhersteller: Cypress hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy Leiterplatte: Evaluationsboard SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: CYBLE-416045-02 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IR2125STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.6A Versorgungsspannung, min.: 12V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 170ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IR2125STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.6A Versorgungsspannung, min.: 12V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 170ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CYBLE-212006-EVAL | INFINEON |
Description: INFINEON - CYBLE-212006-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212006-01 EZ-BLE™ PRoC™ programmierbares Bluetooth®-Smart-Modul tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-212006-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy Leiterplatte: Evaluationsboard SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: CYBLE-212006-01 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A992.c |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CYW55513IUBGT | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW55513IUBGT - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 6GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth tariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren rohsCompliant: YES euEccn: NLR Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES HF-Frequenz: 6GHz usEccn: 5A992.c Produktpalette: AIROC Bluetooth Series |
auf Bestellung 4414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CYW55511IUBGTXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW55511IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 2.4GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth tariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren rohsCompliant: YES euEccn: NLR Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES HF-Frequenz: 2.4GHz usEccn: 5A992.c Produktpalette: AIROC Bluetooth Series |
auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB60R060P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPB60R060P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF750R17ME7DPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 650A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatinen, Leistungsregler tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET+2-12V-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber tariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4229PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CY8C21223-24SXI | INFINEON |
 Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 8Kanäle Programmspeichergröße: 4KB Versorgungsspannung, min.: 2.4V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 256Byte MCU-Baureihe: CY8C21x23 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s) Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF2600UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: 3A228.c Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 720A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A228.c Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF2000UXTR33T2M1BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: 3A228.c Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 925A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: XHP 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A228.c Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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EVALM1CM610N3TOBO2 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung tariffCode: 84733020 Prozessorkern: IKCM10H60GA Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AIMW120R035M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228mW Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AIMBG75R040M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AIMZH120R160M1TXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 109W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AIMZHN120R060M1TXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TLE94112ESSHIELDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE94112ES, DC-Bürstenmotorsteuerung tariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLE94112ES Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES euEccn: NLR Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul tariffCode: 84733020 Prozessorkern: 2ED1324S12P Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P euEccn: NLR Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung tariffCode: 84733020 Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF1600R12IP7BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.6kA Produktpalette: PrimePACK 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF1MR12KM1HHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FF1MR12KM1HPHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: 62mm C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Audio euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon Verwendeter IC / verwendetes Modul: - Leiterplatte: Evaluationsboard SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: IM72D128V01 Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TLE8251VSJXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Übertragungsrate, max.: 2Mbps MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Anzahl der Empfänger: 1Receivers Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Treiber: 1Treiber CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 13906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TLE8251VSJXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Übertragungsrate, max.: 2Mbps MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Anzahl der Empfänger: 1Receivers Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Treiber: 1Treiber CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 13906 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TLE4999C4HALA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C tariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Linear rohsCompliant: YES Sensortyp: Linear hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5mA Qualifikation: AEC-Q100 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Sensorgehäuse/-bauform: SSO Bauform - Sensor: SSO euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKWH70N67PR7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH70N67PR7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 313 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IKWH70N67PR7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 313 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 140A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IKWH50N67PR7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH50N67PR7XKSA1 - IGBT, 105 A, 1.4 V, 246 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 105A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKWH50N67PR7XKSA1 - IGBT, 105 A, 1.4 V, 246 W, 670 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 105A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 670V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC009N04LSSCATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 301A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB65R045C7ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB65R045C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CYUSB3ACC-004A |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB3ACC-004A - Anschlussplatine, Halbleiter-Bildsensorplatinen, Anschlussplatine, Bildsensor
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Anschlussplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Bildsensorplatinen von ON Semiconductor
Produktpalette: -
Description: INFINEON - CYUSB3ACC-004A - Anschlussplatine, Halbleiter-Bildsensorplatinen, Anschlussplatine, Bildsensor
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Anschlussplatine
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Bildsensorplatinen von ON Semiconductor
Produktpalette: -
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMZC120R026M2HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - IMZC120R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 289W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB123N10N3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB123N10N3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB123N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMBG120R034M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMBG120R034M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S25FS128SAGNFI101 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS128SAGNFI101 - Flash-Speicher, NOR, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FS128SAGNFI101 - Flash-Speicher, NOR, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 1278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S25FS128SAGMFB100 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS128SAGMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Description: INFINEON - S25FS128SAGMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S25FS128SAGMFV101 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS128SAGMFV101 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FS128SAGMFV101 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPL60R125C7AUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPL60R125C7AUMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
Description: INFINEON - IPL60R125C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.125 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 103W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| KITLGPWRBOM015TOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM015TOBO1 - Power-Board, Demoboards für skalierbare LVD-Stromversorgung, Niederspannungsantrieb
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Stromversorgungsplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: LVD-Demoboards von Infineon für skalierbare Stromversorgung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - KITLGPWRBOM015TOBO1 - Power-Board, Demoboards für skalierbare LVD-Stromversorgung, Niederspannungsantrieb
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Stromversorgungsplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: LVD-Demoboards von Infineon für skalierbare Stromversorgung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FS33MR12W1M1HB70BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85044095
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85044095
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 - Evaluationsboard, XMC4700, Wireless-Lade-IC, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4700
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Wireless-Ladegerät
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: XMC4700
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Description: INFINEON - TRUSTCHARGEEVALKITTOBO1 - Evaluationsboard, XMC4700, Wireless-Lade-IC, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XMC4700
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Wireless-Ladegerät
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: XMC4700
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CYBLE-416045-EVAL |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-416045-EVAL - Evaluationsboard, EX-BLE Creator-Modul, Bluetooth Smart, Arduino-kompatibel, IoT
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: EZ-BLE Evaluationsboard CYBLE-416045-02 Modul, USB-Kabel
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYBLE-416045-02
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - CYBLE-416045-EVAL - Evaluationsboard, EX-BLE Creator-Modul, Bluetooth Smart, Arduino-kompatibel, IoT
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: EZ-BLE Evaluationsboard CYBLE-416045-02 Modul, USB-Kabel
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYBLE-416045-02
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IR2125STRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IR2125STRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2125STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 12V bis 18V Versorgung, 1 A /2Aout, 150ns Ein/Aus, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.6A
Versorgungsspannung, min.: 12V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CYBLE-212006-EVAL |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-212006-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212006-01 EZ-BLE™ PRoC™ programmierbares Bluetooth®-Smart-Modul
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-212006-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYBLE-212006-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Description: INFINEON - CYBLE-212006-EVAL - Evaluationsboard, CYBLE-212006-01 EZ-BLE™ PRoC™ programmierbares Bluetooth®-Smart-Modul
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
IC-Funktion: Bluetooth Low Energy-Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBLE-212006-01, Bluetooth LE-Drahtlosmodul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYBLE-212006-01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CYW55513IUBGT |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55513IUBGT - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 6GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 6GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
Description: INFINEON - CYW55513IUBGT - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 6GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 6GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CYW55511IUBGTXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYW55511IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 2.4GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 2.4GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
Description: INFINEON - CYW55511IUBGTXTMA1 - WLAN, SDIO/GSPI/HSUART-Schnittstelle, 2.4GHz, 1X1 802.11AX, -40°C bis 85°C, Reihe AIROC Bluetooth
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Modulanwendungsbereiche: IoT/IIoT, IP-Kameras/Video-Türklingeln, Smart-Home/Türschlösser/Uhren/Brillen/Lautsprecher, Sensoren
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Modulschnittstelle: SDIO, GSPI, HSUART
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
HF-Frequenz: 2.4GHz
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: AIROC Bluetooth Series
auf Bestellung 4450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB60R060P7ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPB60R060P7ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPB60R060P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FF750R17ME7DPB11BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 650A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 650A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70102EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70402EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70121EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BTS70902EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS70101EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS71202EPADAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: INFINEON - BTS72002EPCDAUGHBRDTOBO1 - Daughter Board with Switch, PROFET+2 12V Motherboards, Automotive Load Drive
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BTS70502EPLDAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET ONE4ALL-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine PROFET ONE4ALL von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatinen, Leistungsregler
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SPOC2DBBTS710404ESPTOBO1 - Tochterplatine, SPOC+2-Hauptplatinen, Leistungsregler
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Hauptplatine SPOC+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET+2-12V-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine mit Schalter, PROFET+2-12V-Hauptplatinen, Kfz-Lasttreiber
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: Tochterplatine mit Schalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 12V-Hauptplatine PROFET+2 von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFB4229PBFXKMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| CY8C21223-24SXI |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CY8C21223-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C21x23
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C21x23 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FS13MR12W2M1HB70BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FF2600UXTR33T2M1BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 720A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FF2000UXTR33T2M1BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: INFINEON - FF2000UXTR33T2M1BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 925 A, 3.3 kV, 2400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: 3A228.c
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 925A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: XHP 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| EVALM1CM610N3TOBO2 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IKCM10H60GA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - EVALM1CM610N3TOBO2 - Evaluationsboard, IKCM10H60GA, 3-Phasen-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IKCM10H60GA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IKCM10H60GA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AIMW120R035M1HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228mW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AIMBG75R040M1HXTMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMBG75R040M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AIMZH120R160M1TXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| AIMZHN120R060M1TXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TLE94112ESSHIELDTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE94112ES, DC-Bürstenmotorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE94112ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE94112ESSHIELDTOBO1 - Evaluations-Shield-Board, TLE94112ES, DC-Bürstenmotorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE94112ES
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Shield-Board TLE94112ES
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung für DC-Bürstenmotor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED1324S12P
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - EVAL2ED1324S12PM1TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED1324S12P, Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Leistungsmodul
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED1324S12P
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED1324S12P
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Halbbrücken-Gate-Treiber & IGBT-Stromversorgungsmodul
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - EVALXDPP1100Q024DBTOBO1 - Leistungsregler-Tochterplatine, XDPP1100-Q024, EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Board, FW-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Digitaler Leistungsregler Tochterplatine XDPP1100-Q024
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: EVAL-600W-FBFB-XDPP Power-Boards von Infineon, Standalone-Platinen für FW-Entwicklung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FF1600R12IP7BOSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.6kA
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.6kA
Produktpalette: PrimePACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FF1MR12KM1HHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FF1MR12KM1HPHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
Description: INFINEON - FF1MR12KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 475 A, 1.2 kV, 1470 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Audio
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
Verwendeter IC / verwendetes Modul: -
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IM72D128V01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EVALAHNBDIGITALV01TOBO1 - Evaluationsboard, IM72D128V01, MEMS-Mikrofon, Audiohub-Nano, Mikrofon-Flex-Kit, Micro-USB-Kabel
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Audio
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Audiohub-Nano-Evaluationsboard IM72D128V01, Flex-Kit für XENSIV MEMS-Mikrofon, Micro-USB-Kabel
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
Verwendeter IC / verwendetes Modul: -
Leiterplatte: Evaluationsboard
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IM72D128V01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TLE8251VSJXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TLE8251VSJXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE8251VSJXUMA1 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, 2 Mbps, 4.5 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 2Mbps
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TLE4999C4HALA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Linear
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE4999C4HALA1 - Hall-Effekt-Sensor, Linear, SSO, 4 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Linear
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5mA
Qualifikation: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)